技術(shù)特征：

1.一種能提高抗靜電能力和發(fā)光效率的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)，它從下至上依次包括藍(lán)寶石襯底（1）、AlN緩沖層（2）、U型GaN層（3）、N型GaN層（4）、有源區(qū)（5）、電子阻擋層（6）和P型GaN層（7），其特征在于：所述P型GaN層（7）包括生長(zhǎng)厚度較薄的薄P-GaN層（8）、厚度較厚的厚P-GaN層（9）以及依次生長(zhǎng)在薄P-GaN層（8）和厚P-GaN層（9）上方的低濃度 P-GaN層（10）、超高濃度薄P-GaN層（11）和高濃度厚P-InGaN層（12），所述薄P-GaN層（8）與厚P-GaN層（9）交替生長(zhǎng)，或者厚P-GaN層（9）與薄P-GaN層（8）交替生長(zhǎng)，交替生長(zhǎng)周期為6-20個(gè)周期，P型GaN層（7）中摻雜Mg元素或者同時(shí)摻雜Mg元素和In元素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述能提高抗靜電能力和發(fā)光效率的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述薄P-GaN層（8）為高濃度層，薄P-GaN層（8）的厚度為10-30埃，生長(zhǎng)P型，摻雜的Mg元素濃度為6x10¹⁹ cm^3-4x10²⁰ cm³，同時(shí)摻雜In元素濃度為1x10¹⁷ cm³ ~4x10¹⁷ cm³；厚P-GaN層（9）為低濃度層，厚P-GaN層（9）的厚度為20-80埃，生長(zhǎng)P型，摻雜的Mg元素濃度為6x10¹⁹ cm³ -4x10²⁰ cm³，同時(shí)摻雜In元素濃度為1x10¹⁷ cm³ ~4x10¹⁷ cm³；低濃度 P-GaN層（10）厚度為70-90埃，生長(zhǎng)P型，摻雜Mg元素濃度為6x10¹⁹ cm³ ~9.5x10¹⁹cm³；超高濃度薄P-GaN層（11）厚度為30-40埃，生長(zhǎng)P型，摻雜Mg元素濃度為6x10²⁰cm³ ~9x10²⁰ cm³；高濃度厚P-InGaN層（12）厚度為15-25埃，生長(zhǎng)P型，摻雜Mg元素濃度為2x10²⁰cm³ ~5x10²⁰ cm³，同時(shí)摻雜In元素濃度為2.4x10¹⁹ cm³ ~2.4x10²⁰cm³。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述能提高抗靜電能力和發(fā)光效率的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述P型GaN層（7）的生長(zhǎng)溫度為800-1000℃，生長(zhǎng)壓力為180-300torr，P型GaN層（7）在氮?dú)?、氫氣或者氫氮混合氣環(huán)境中生長(zhǎng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述能提高抗靜電能力和發(fā)光效率的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述P型GaN層（7）采用P-InGaN或者PGaN中的任一種，所述薄P-GaN層(8)與厚P-GaN層（9）交替生長(zhǎng)采用InGaN/GaN、InGaN/InGaN或者GaN/GaN 中的任一種。