技術(shù)總結(jié)
一種能提高抗靜電能力和發(fā)光效率的藍光LED外延結(jié)構(gòu)，涉及發(fā)光二極管外延技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明從下至上依次包括藍寶石襯底、AlN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、有源區(qū)、電子阻擋層和P型GaN層。其結(jié)構(gòu)特點是，所述P型GaN層包括生長厚度較薄的薄P?GaN層、厚度較厚的厚P?GaN層以及依次生長在薄P?GaN層和厚P?GaN層上方的低濃度P?GaN層、超高濃度薄P?GaN層和高濃度厚P?InGaN層。所述薄P?GaN層與厚P?GaN層交替生長，或者厚P?GaN層與薄P?GaN層交替生長，交替生長周期為6?20個周期。P型GaN層中摻雜Mg元素或者同時摻雜Mg元素和In元素。本發(fā)明不但能夠降低工作電壓，還能夠提高抗靜電能力，有效提高LED的發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：張雷城;王朋喬;林政志;曾頎堯;李鵬飛
受保護的技術(shù)使用者：南通同方半導(dǎo)體有限公司;同方股份有限公司
文檔號碼：201510364987
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.29
技術(shù)公布日：2017.01.11