1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底表面具有鰭部，所述鰭部的頂部表面具有掩膜層；
在所述襯底表面、鰭部側壁表面和掩膜層表面形成初始隔離層，所述初始隔離層的表面低于所述掩膜層的頂部表面、且高于或齊平于所述鰭部的頂部表面；
在所述初始隔離層內(nèi)摻雜閾值調(diào)節(jié)離子；
進行退火工藝，使所述初始隔離層內(nèi)的閾值調(diào)節(jié)離子向鰭部內(nèi)擴散；
在所述退火工藝之后，去除部分初始隔離層以形成隔離層，所述隔離層的表面低于所述鰭部的頂部表面。
2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述初始隔離層內(nèi)摻雜閾值調(diào)節(jié)離子的工藝為離子注入工藝。
3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述離子注入工藝的參數(shù)包括：注入角度垂直于所述襯底表面，注入深度為20A～150A。
4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述閾值電壓調(diào)節(jié)離子包括N型離子或P型離子；所述P型離子包括硼離子、銦離子中的一種或多種組合；所述N型離子包括砷離子、磷離子中的一種或多種組合。
5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述初始隔離層的形成步驟包括：在所述襯底表面、鰭部的側壁表面、以及掩膜層表面形成隔離膜；平坦化所述隔離膜；在平坦化所述隔離膜之后，刻蝕所述隔離膜，直至隔離膜的表面低于所述掩膜層的頂部表面、且高于或齊平于所述鰭部的頂部表面，以形成所述初始隔離層。
6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述初始隔離層的材料為氧化硅；所述隔離膜的形成工藝為流體化學氣相沉積工藝。
7.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在形成隔離膜之前，在所述襯底表面、鰭部的側壁表面、以及掩膜層表面形成襯墊層。
8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述襯墊層的材料為氧化硅；所述襯墊層的形成工藝為原位蒸汽生成工藝。
9.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在所述襯墊層表面形成停止層。
10.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述停止層的材料為氮化硅。
11.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在所述停止層表面形成保護層。
12.如權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述保護層的材料為氧化硅。
13.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述隔離層之后，去除高于所述隔離層表面的襯墊層，并暴露出鰭部的部分側壁表面和頂部表面。
14.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述鰭部的形成步驟包括：提供基底；在所述基底的部分表面形成掩膜層，所述掩膜層覆蓋需要形成鰭部的對應區(qū)域；以所述掩膜層為掩膜，刻蝕所述基底，在所述基底內(nèi)形成溝槽，所述溝槽底部的部分基底形成襯底，相鄰溝槽之間的基底形成鰭部。
15.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述隔離層之后，去除所述掩膜層。
16.如權利要求15所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在去除所述掩膜層之后，形成橫跨所述鰭部的柵極結構，所述柵極結構位于所述鰭部的部分側壁和部分頂部表面；在所述柵極結構兩側的鰭部內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)。
17.如權利要求16所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述柵極結構包括柵極層；所述柵極層的材料為多晶硅。
18.如權利要求17所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述柵極結構 還包括：位于所述鰭部和柵極層之間的柵氧化層；所述柵氧化層的材料為氧化硅。
19.如權利要求16所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在所述隔離層表面、鰭部的側壁和頂部表面形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層表面與所述柵極結構的頂部表面齊平；去除所述柵極層，在所述介質(zhì)層內(nèi)形成開口；在所述開口內(nèi)形成填充滿所述開口的金屬柵。
20.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述退火工藝為快速熱退火、尖峰退火或激光退火；所述快速熱退火工藝的參數(shù)包括：退火氣體為氮氣、氫氣、氬氣或氦氣，退火溫度為950℃～1200℃，時間為5秒～20秒。