技術總結
一種半導體結構的形成方法，包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述第一區(qū)域的半導體襯底上形成第一柵極結構，在所述第二區(qū)域的半導體襯底上形成第二柵極結構；形成覆蓋所述第二區(qū)域的半導體襯底和第二柵極結構的第一光刻膠層；形成覆蓋所述第一區(qū)域的半導體襯底和第一光刻膠層的第二光刻膠層；以所述第二光刻膠層為阻擋層，對第一區(qū)域的第一柵極結構兩側的半導體襯底進行淺摻雜離子注入，在第一柵極結構兩側的半導體襯底內形成第一淺摻雜區(qū)。本發(fā)明的方法適于形成深度較淺的淺摻雜區(qū)。

技術研發(fā)人員：朱紅波
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510377833
技術研發(fā)日：2015.07.01
技術公布日：2017.01.11