1.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，其包括：
a)蝕刻金屬片的第一側(cè)形成帶有一個或多個焊盤的引線框；
b)在所述第一側(cè)上涂覆第一保護層；
c)蝕刻所述金屬片的第二側(cè)以形成一個或多個導(dǎo)電引出端；以及
c)在所述第二側(cè)上涂覆第二保護層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個或多個焊盤包括柱結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個或多個焊盤處于高于附接到所述引線框的裸片位置的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個或多個焊盤形成用于適配裸片于其中的腔體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個或多個導(dǎo)電引出端位于附接到所述引線框的裸片之下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個或多個導(dǎo)電引出端沒有一個位于附接到所述引線框的裸片之下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述引線框包括從所述一個或多個導(dǎo)線接合焊盤至所述一個或多個導(dǎo)電引出端的導(dǎo)電通路。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述一個或多個導(dǎo)線接合焊盤和所述一個或多個導(dǎo)電引出端之間的導(dǎo)電跡線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括耦接裸片至所述引線框。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括填充位于附接到所述引線框的裸片之下的腔體。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括電鍍所述一個或多個焊盤。
12.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：
a)引線框的第一端部上的第一柱結(jié)構(gòu)；
b)所述引線框的第二端部上的第二柱結(jié)構(gòu)；
c)所述第一柱和所述第二柱之間的腔體；以及
d)所述腔體內(nèi)與所述引線框物理耦接的裸片。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述柱高于所述裸片。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，還包括包封所述第一柱的側(cè)壁、所述第二柱的側(cè)壁和所述裸片的第一制模材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一柱與第一導(dǎo)線接合焊盤耦接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述引線框與第二導(dǎo)線接合焊盤耦接。
17.一種形成半導(dǎo)體封裝的方法，其包括：
a)蝕刻金屬片以形成成形的引線框；
b)在所述引線框上涂覆具有預(yù)定厚度的掩模至所述成形的引線框上的第一預(yù)定區(qū)域，以形成具有預(yù)定深度的一個或多個孔；以及
c)沉積導(dǎo)電材料至所述孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述導(dǎo)電材料形成柱結(jié)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述柱結(jié)構(gòu)具有接近所述掩模的厚度的高度。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述沉積包括電鍍。
21.一種檢測半導(dǎo)體封裝的方法，其包括：
a)電耦合第一半導(dǎo)體封裝與第二半導(dǎo)體封裝，其中所述第二半導(dǎo)體封裝包括包封除了在一側(cè)上的至少兩個接觸點和相對側(cè)上的一個或多個接觸點外的整個所述第二半導(dǎo)體封裝的保護層；以及
b)從所述第二半導(dǎo)體封裝發(fā)送電信號至所述第一半導(dǎo)體封裝。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一半導(dǎo)體封裝包括BGA、QFN或WLCSP封裝。