技術(shù)總結(jié)
一種晶體管及其形成方法，其中晶體管包括：半導(dǎo)體襯底，位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第一源區(qū)；覆蓋半導(dǎo)體襯底和第一源區(qū)表面的第一隔離層；位于第一隔離層上的第一柵電極，第一柵電極位于第一源區(qū)上方；覆蓋第一隔離層表面和第一柵電極側(cè)壁表面的第一介質(zhì)層；覆蓋第一介質(zhì)層表面和第一柵電極頂部表面的第二隔離層；位于第二隔離層、第一柵電極和第一隔離層中的第一刻蝕孔，第一刻蝕孔底部暴露出有第一源區(qū)的表面；位于第一刻蝕孔的兩側(cè)側(cè)壁表面上的第一柵介質(zhì)層；位于第一刻蝕孔中的第一柵介質(zhì)層之間的第一溝道材料層，第一溝道材料層填充滿第一刻蝕孔；位于所述第一溝道材料層頂部表面上的第一漏區(qū)。本發(fā)明的晶體管的集成度提高。

技術(shù)研發(fā)人員：黃子倫;許清秀
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510536211
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.27
技術(shù)公布日：2017.03.08