技術(shù)總結(jié)
一種快閃存儲器的制作方法，首先在存儲晶體管柵極堆疊結(jié)構(gòu)外表面及其間的基底表面采用原子層沉積法形成功能層，該功能層厚度均勻，且不會填滿間距較小的存儲晶體管柵極堆疊結(jié)構(gòu)之間的間隙；后對功能層進(jìn)行處理使其表面粗糙易吸水；處理后的功能層吸水后，在功能層表面利用化學(xué)氣相沉積工藝形成介質(zhì)層，化學(xué)氣相沉積工藝為高溫工藝，在高溫下，功能層內(nèi)吸收的水分蒸發(fā)形成向上氣流，阻止介質(zhì)層沉積。該填充性能較差的填充工藝在間距較小的存儲晶體管的柵極堆疊結(jié)構(gòu)之間形成了空氣隙，空氣隙的介電常數(shù)小于二氧化硅介質(zhì)層的介電常數(shù)，因而能降低讀、寫、擦除過程中產(chǎn)生的寄生電容，避免相鄰存儲晶體管之間相互干擾。

技術(shù)研發(fā)人員：陳亮;仇圣棻
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號碼：201510714032
技術(shù)研發(fā)日：2015.10.28
技術(shù)公布日：2017.05.10