1.一種晶圓片翻膜方法，其特征在于，其包括以下步驟：
獲取晶圓片，所述晶圓片的背面貼有第一膜，所述第一膜上貼有第一金屬環(huán)；
在所述晶圓片的正面貼上第二膜，所述第二膜上貼有第二金屬環(huán)；
將晶圓片翻轉(zhuǎn)180度使晶圓片的正面朝下并將晶圓片放置于定位裝置上，所述第二膜及晶圓片定位于所述定位裝置上；
剝離貼于晶圓片背面的第一膜。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓片翻膜方法，其特征在于，所述晶圓片與所述第一金屬環(huán)位于第一膜相同的一側(cè)，所述晶圓片與所述第二金屬環(huán)位于第二膜相同的一側(cè)，所述第一金屬環(huán)與所述第二金屬環(huán)接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓片翻膜方法，其特征在于，所述定位裝置包括承接所述第二膜及晶圓片的微孔陶瓷盤(pán)、承接所述微孔陶瓷盤(pán)的基座及設(shè)置于基座外的真空泵，當(dāng)所述真空泵開(kāi)啟后，所述第二膜及晶圓片吸附于所述微孔陶瓷盤(pán)。
4.如權(quán)利要求3所述的晶圓片翻膜方法，其特征在于，所述定位裝置還包括置于基座上方且設(shè)有凹陷槽的承載盤(pán)及設(shè)置于承載盤(pán)周邊的若干磁性元件，所述第一金屬環(huán)及第二金屬環(huán)位于磁性元件上方且被磁性元件吸引，所述陶瓷盤(pán)位于所述凹陷槽內(nèi)。
5.一種定位裝置，其用于定位膜及貼于膜上的晶圓片，其特征在于，其包括：
基座；
微孔陶瓷盤(pán)，其位于基座上方且用于放置所述膜及晶圓片，所述微孔陶瓷盤(pán)內(nèi)設(shè)有若干第三通道；
真空泵，其與所述第三通道連通；
當(dāng)開(kāi)啟真空泵后，所述第三通道內(nèi)形成真空負(fù)壓，所述膜及晶圓片吸附于 所述微孔陶瓷盤(pán)。
6.如權(quán)利要求5所述的定位裝置，其特征在于，所述定位裝置還包括置于基座上方且設(shè)有凹陷槽的承載盤(pán)及設(shè)置于承載盤(pán)周邊的若干磁性元件，所述第一金屬環(huán)及第二金屬環(huán)位于磁性元件上方且被磁性元件吸引，所述陶瓷盤(pán)位于所述凹陷槽內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的定位裝置，其特征在于，所述基座包括位底板、承接盤(pán)及位于底板及承接盤(pán)中間的支柱。
8.如權(quán)利要求7所述的定位裝置，其特征在于，所述承接盤(pán)上設(shè)有第一通道，所述承載盤(pán)上設(shè)有一個(gè)通孔，使得所述基座與所述微孔陶瓷盤(pán)之間形成第一收容腔，所述第一收容腔分別與所述第一通道及第三通道連通，所述定位裝置還包括連接所述第一通道下端及真空泵的第一圓管。
9.如權(quán)利要求8所述的定位裝置，其特征在于，當(dāng)開(kāi)啟所述真空開(kāi)關(guān)后，所述承載盤(pán)吸附于所述基座的承接盤(pán)。
10.如權(quán)利要求9所述的定位裝置，其特征在于，所述承接盤(pán)上設(shè)有第二通道，所述基座與所述承載盤(pán)之間具有形成與所述第二通道連通的第二收容腔，所述定位裝置還包括連接所述第二通道下端及真空泵的第二圓管。