技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體晶片(1)包括：襯底(23)；層疊在襯底(23)上的GaN類半導(dǎo)體膜(24)；設(shè)置在GaN類半導(dǎo)體膜(24)上的多個元件區(qū)域；層疊在GaN類半導(dǎo)體膜(24)上的電介質(zhì)膜(25)；和以劃分上述元件區(qū)域的方式不貫通上述電介質(zhì)膜地設(shè)置成格子狀的具有切割槽(27)的切割區(qū)域(21)。而且，在切割槽(27)的底面(27a)，切割槽(27)的元件區(qū)域側(cè)的端部高于或低于切割槽(27)的寬度方向(W)的中央部。

技術(shù)研發(fā)人員：森下敏;安井忠;木下多賀雄;佐藤知稔
受保護的技術(shù)使用者：夏普株式會社
文檔號碼：201580025673
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.30
技術(shù)公布日：2017.02.15