1.一種半導體裝置，包括：
第一絕緣體；
第二絕緣體；
第一氧化物半導體；
第二氧化物半導體；
第一導電體；以及
第二導電體，
其中，所述第一氧化物半導體位于所述第一絕緣體上，
所述第二氧化物半導體位于所述第一氧化物半導體上，
所述第一導電體包括與所述第二氧化物半導體的頂面接觸的區(qū)域，
所述第二絕緣體包括與所述第二氧化物半導體的頂面接觸的區(qū)域，
所述第二導電體隔著所述第二絕緣體位于所述第二氧化物半導體上，
所述第二氧化物半導體包括第一層及第二層，
所述第一層包括與所述第一氧化物半導體接觸的區(qū)域，
所述第二層包括與所述第二絕緣體接觸的區(qū)域，
并且，所述第一層的氧缺陷的比率低于所述第二層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，還包括所述第二氧化物半導體與所述第二絕緣體之間的第三氧化物半導體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，
其中，所述第二層包括與所述第二絕緣體接觸的第一區(qū)域以及與所述第一導電體接觸的第二區(qū)域，
并且，所述第一區(qū)域的厚度比所述第二區(qū)域的厚度小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一區(qū)域的厚度為1nm以上且10nm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其中所述第二區(qū)域包括電阻率比所述第一區(qū)域低的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，還包括所述第一導電體與所述第二絕緣體之間的第三絕緣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其中所述第二氧化物半導體為包含銦、元素M(M為鋁、鎵、釔或者錫)以及鋅的氧化物。
8.一種包括印刷電路板以及權(quán)利要求1所述的半導體裝置的模塊。
9.一種包括揚聲器、操作鍵、電池和權(quán)利要求8所述的模塊中的至少一個的電子設(shè)備。
10.一種半導體裝置，包括：
第一絕緣體；
第二絕緣體；
第一氧化物半導體；
第二氧化物半導體；
第一導電體；以及
第二導電體，
其中，所述第一氧化物半導體位于所述第一絕緣體上，
所述第二氧化物半導體位于所述第一氧化物半導體上，
所述第一導電體包括與所述第二氧化物半導體的頂面接觸的區(qū)域，
所述第一導電體覆蓋所述第一氧化物半導體的側(cè)面，
所述第二絕緣體包括與所述第二氧化物半導體的頂面接觸的區(qū)域，
所述第二導電體隔著所述第二絕緣體位于所述第二氧化物半導體上，
所述第二氧化物半導體包括第一層及第二層，
所述第一層包括與所述第一氧化物半導體接觸的區(qū)域，
所述第二層包括與所述第二絕緣體接觸的區(qū)域，
并且，所述第一層的氧缺陷的比率低于所述第二層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置，還包括所述第二氧化物半導體與所述第二絕緣體之間的第三氧化物半導體。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置，
其中，所述第二層包括與所述第二絕緣體接觸的第一區(qū)域以及與所述第一導電體接觸的第二區(qū)域，
并且，所述第一區(qū)域的厚度比所述第二區(qū)域的厚度小。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置，其中所述第一區(qū)域的厚度為1nm以上且10nm以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置，其中所述第二區(qū)域包括電阻率比所述第一區(qū)域低的區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置，還包括所述第一導電體與所述第二絕緣體之間的第三絕緣體。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置，其中所述第二氧化物半導體為包含銦、元素M(M為鋁、鎵、釔或者錫)以及鋅的氧化物。
17.一種包括印刷電路板以及權(quán)利要求10所述的半導體裝置的模塊。
18.一種包括揚聲器、操作鍵、電池和權(quán)利要求17所述的模塊中的至少一個的電子設(shè)備。