技術(shù)總結(jié)
提供電特性良好的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括：第一絕緣體；第二絕緣體；第一氧化物半導(dǎo)體；第二氧化物半導(dǎo)體；第一導(dǎo)電體；以及第二導(dǎo)電體，其中，第一氧化物半導(dǎo)體位于第一絕緣體上，第二氧化物半導(dǎo)體位于第一氧化物半導(dǎo)體上，第一導(dǎo)電體包括與第二氧化物半導(dǎo)體的頂面接觸的區(qū)域，第二絕緣體包括與第二氧化物半導(dǎo)體的頂面接觸的區(qū)域，第二導(dǎo)電體隔著第二絕緣體位于第二氧化物半導(dǎo)體上，第二氧化物半導(dǎo)體包括第一層及第二層，第一層包括與第一氧化物半導(dǎo)體接觸的區(qū)域，第二層包括與第二絕緣體接觸的區(qū)域，并且，第一層的氧缺陷的比率低于第二層。

技術(shù)研發(fā)人員：山崎舜平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
文檔號碼：201580029026
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.20
技術(shù)公布日：2017.02.15