1.一種熔斷器件，其具有：
絕緣基板，
在所述絕緣基板上搭載的熔線元件或并聯(lián)的多個熔線元件，所述熔線元件通過流過超過額定的電流而自身發(fā)熱從而熔斷來阻斷通電通路并具備并聯(lián)的多個保險絲部，
在所述多個保險絲部之間或所述多個熔線元件之間設置的絕緣部，所述絕緣部防止并聯(lián)的所述保險絲部彼此或所述熔線元件彼此的連接。
2.如權(quán)利要求1所述的熔斷器件，其中，
多個所述熔線元件或多個所述保險絲部依次熔斷，
所述絕緣部設置在最初熔斷的所述保險絲部和與該最初熔斷的所述保險絲部并聯(lián)的所述保險絲部之間，或設置在最初熔斷的所述熔線元件和與該最初熔斷的所述熔線元件并聯(lián)的所述熔線元件之間。
3.如權(quán)利要求1或2所述的熔斷器件，其中，
具有在所述絕緣基板上設置的第1電極和第2電極，
所述保險絲部或所述熔線元件安裝在所述第1電極和第2電極之間。
4.如權(quán)利要求3所述的熔斷器件，其中，
所述絕緣部設置在所述第1電極與所述第2電極之間的區(qū)域。
5.如權(quán)利要求3所述的熔斷器件，其中，
所述熔線元件與所述第1電極和第2電極通過焊料連接。
6.如權(quán)利要求1或2所述的熔斷器件，其中，
所述熔線元件具有低熔點金屬層和在所述低熔點金屬層上層疊的高熔點金屬層，
所述低熔點金屬層在所述通電時起到消溶所述高熔點金屬層并熔斷的作用。
7.如權(quán)利要求6所述的熔斷器件，其中，
所述熔線元件中，在所述低熔點金屬的上下層疊有所述高熔點金屬層。
8.如權(quán)利要求6所述的熔斷器件，其中，
所述熔線元件是以所述低熔點金屬為內(nèi)層、所述高熔點金屬層為外層的被覆結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求6所述的熔斷器件，其中，
所述熔線元件中，與所述高熔點金屬層的體積相比，所述低熔點金屬層的體積大。
10.如權(quán)利要求1或2所述的熔斷器件，其中，
由覆蓋部件覆蓋所述絕緣基板上的所述熔線元件的阻斷部位。
11.如權(quán)利要求10所述的熔斷器件，其中，
在所述覆蓋部件上設置有所述絕緣部。
12.如權(quán)利要求1或2所述的熔斷器件，其中，
在所述絕緣基板的表面設置有所述絕緣部。
13.如權(quán)利要求1或2所述的熔斷器件，其中，
所述絕緣部通過在所述多個保險絲部之間或所述多個熔線元件之間涂布的絕緣性材料進行固化來形成。
14.一種熔線元件，具有：
并聯(lián)的多個保險絲部和在所述多個保險絲部之間設置的防止并聯(lián)的所述保險絲部彼此連接的絕緣部；
所述多個保險絲部因流過超過額定的電流而自身發(fā)熱從而熔斷。