本發(fā)明是在陸軍研究辦公室授予的W911NF-04-2-0005下在政府支持下作出的。政府在本發(fā)明中具有某些權(quán)利。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2014年5月13日提交的美國臨時專利申請?zhí)?1/992,799的利益。美國臨時專利申請?zhí)?1/992,799通過引用以其全部結(jié)合于此。

技術(shù)領域

本發(fā)明總體上涉及制造電子器件，并且更具體地涉及制造在柔性襯底上具有一個或多個半導體元件的電子器件以及由此制造的電子器件。

背景技術(shù)：

在電子設備行業(yè)中，柔性襯底作為用于電子器件的基底正在快速變得越來越受歡迎。柔性襯底可以包括多種多樣的材料，比如像以下各項中的任一項：大量的塑料、金屬箔和玻璃(例如，氟硅酸鹽玻璃、硼硅玻璃、康寧(Corning)玻璃、Willow^TM玻璃、和/或Vitrelle玻璃等)。一旦在柔性襯底的表面上形成了一個或多個所期望的半導體元件，柔性襯底可以附接到最終產(chǎn)品上或者結(jié)合到進一步的結(jié)構(gòu)中。這種產(chǎn)品或結(jié)構(gòu)的典型示例是平板顯示器上的有源矩陣、零售商店中的各種商業(yè)產(chǎn)品上的RFID(射頻識別)標簽、多種傳感器等。

在本領域中需要開發(fā)一種用于制造具有柔性襯底的電子器件的方法，該方法允許對電氣特性進行改進，比如像對參數(shù)特性和/或使用壽命進行改進，并且允許減小弓彎、翹曲、和/或變形。

附圖說明

為方便進一步描述這些實施例，提供了如下附圖，在附圖中：

圖1展示了提供半導體器件的方法的實施例的流程圖；

圖2展示了根據(jù)圖1的實施例的提供半導體器件的載體襯底的示例性活動；

圖3展示了根據(jù)圖1的實施例的在載體襯底的至少一部分上提供半導體器件的粘接改性層的示例性活動；

圖4展示了根據(jù)實施例的在載體襯底上提供粘接改性層之后的半導體器件的局部橫截面圖；

圖5展示了根據(jù)實施例的半導體器件的局部橫截面圖，其中，已經(jīng)通過蝕刻移除了半導體器件的粘接改性層的中央部分，以便留下粘接改性層的周邊部分并且暴露出載體襯底；

圖6展示了根據(jù)圖4的實施例的在載體襯底上和粘接改性層上提供粘接劑之后的半導體器件的局部橫截面圖；

圖7展示了根據(jù)圖1的實施例的將器件襯底與載體襯底聯(lián)接在一起的示例性活動；

圖8展示了根據(jù)圖7的實施例將器件襯底直接粘合到粘接改性層上的示例性活動；

圖9展示了根據(jù)圖5的實施例的在將器件襯底直接粘合到粘接改性層上并且粘合在載體襯底上之后的半導體器件的局部橫截面圖；

圖10展示了根據(jù)圖7的實施例的通過粘接劑將器件襯底粘合到粘接改性層上的示例性活動；

圖11展示了根據(jù)圖4的實施例在將器件襯底通過粘接劑粘合到粘接改性層上并且將其粘合在載體襯底上之后的半導體器件的局部橫截面圖；

圖12展示了根據(jù)圖4的實施例的在器件襯底上提供一個或多個半導體元件之后的半導體器件的局部橫截面圖；

圖13展示了根據(jù)圖5的實施例的在器件襯底上提供一個或多個半導體元件之后的半導體器件的局部橫截面圖；

圖14展示了根據(jù)圖5的實施例的在將器件襯底的器件部分與器件襯底的非器件部分切斷之后的半導體器件的局部橫截面圖；

圖15展示了根據(jù)圖4的實施例的在將器件襯底與載體襯底分離之后的半導體器件的器件襯底的橫截面圖；

圖16展示了根據(jù)圖5的實施例的在將器件部分與載體襯底分離之后的半導體器件的器件襯底的器件部分的橫截面圖；

圖17是通過傅里葉變換紅外光譜法展示了根據(jù)將聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底粘合到硅載體襯底上的固化粘接劑的波數(shù)變化的吸收率的圖表，其中減去了硅載體襯底的頻譜；

圖18是展示了圖17的相關(guān)區(qū)域的圖表；

圖19是通過傅里葉變換紅外光譜法展示了根據(jù)以下各項的波數(shù)變化的吸收率的圖表：(i)未加工的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底；(ii)在具有非晶硅(a-Si)粘接改性層的硅載體襯底上加工并且與硅載體襯底分離的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底；以及(iii)在不具有非晶硅(a-Si)粘接改性層的硅載體襯底上加工并且與硅載體襯底分離的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底；以及

圖20是通過傅里葉變換紅外光譜法展示了根據(jù)以下各項的波數(shù)變化的吸收率的圖表：(i)在不具有非晶硅粘接改性層的硅載體襯底上加工的第一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底，其中已經(jīng)將聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底與硅載體襯底分離，并且已經(jīng)減去了第二聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底的頻譜；(ii)在將聚萘二甲酸乙二醇酯器件襯底與硅載體襯底脫粘之后保留在硅載體襯底上的固化粘接劑，其中減去了硅載體襯底的頻譜；以及(iii)在具有非晶硅粘接改性層的硅載體襯底上加工的第一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底，其中已經(jīng)將聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底與硅載體襯底分離，并且已經(jīng)減去了第二聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底的頻譜。

為了圖示的簡明性和清晰性，附圖展示了總體的構(gòu)造方式，并且可以省略眾所周知的特征和技術(shù)的描述和細節(jié)以避免不必要地使本發(fā)明模糊。另外，附圖中的元件不一定是按比例繪制的。例如，圖中的一些元件的尺寸可以相對于其他元件被放大以幫助改善對本發(fā)明的實施例的理解。不同圖中的相同參考數(shù)字表示相同的元件。

說明書和權(quán)利要求書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果有的話)用于區(qū)分相似的元件，并且不一定用于描述具體的序列或時間順序。應當理解，如此使用的這些術(shù)語在合適的情況下是可以互換的，從而使得在此描述的實施例例如能夠按照不同于在此所展示的或以其他方式描述的那些順序來操作。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及其任何變化形式旨在覆蓋非排他性的包括，從而使得包括一系列元件的過程、方法、系統(tǒng)、物品、器件、或設備不必受限于那些元件，而是可以包括未清楚地列出或不是此類過程、方法、系統(tǒng)、物品、器件、或設備固有的其他元件。

說明書和權(quán)利要求書中的“左”、“右”、“前”、“后”、“頂部”、“底部”、“上”、“下”等術(shù)語(如果有的話)用于描述性的目的而不一定用于描述永久的相對位置。應當理解，如此使用的這些術(shù)語在合適的情況下是可互換的，從而使得在此描述的本發(fā)明的實施例例如能夠在不同于在此所展示的或以其他方式描述的那些方向上操作。

術(shù)語“聯(lián)接(couple)”、“聯(lián)接(coupled)”、“聯(lián)接(couples)”、“聯(lián)接(coupling)”等應被廣泛地理解并且指代電氣地、機械地和/或以其他方式將兩個或更多個元件或信號連接起來。兩個或更多個電氣元件可以電氣地聯(lián)接但不可以機械地或以其他方式聯(lián)接；兩個或更多個機械元件可以機械地聯(lián)接但不可以電氣地或以其他方式聯(lián)接；兩個或更多個電氣元件可以機械地聯(lián)接但不可以電氣地或以其他方式聯(lián)接。聯(lián)接可以持續(xù)任何時間長度，例如，永久或半永久或僅片刻。

“電氣聯(lián)接”等應被廣泛地理解并且包括涉及任何電信號的聯(lián)接，無論是功率信號、數(shù)據(jù)信號、和/或電信號的其他類型或組合。“機械聯(lián)接”等應被廣泛地理解并且包括所有類型的機械聯(lián)接。

在“聯(lián)接”等詞語附近缺少“可拆卸地”、“可拆卸的”等詞語不意味著所討論的聯(lián)接等是或不是可拆卸的。

如在此所使用的術(shù)語“弓彎(bowing)”意指襯底圍繞正中面的曲率，該正中面平行于襯底的頂面和底面或主要表面。如在此所使用的術(shù)語“翹曲(warping)”意指襯底的表面相對于z軸的線性位移，該z軸垂直于襯底的頂面和底面或主要表面。如在此所使用的術(shù)語“變形(distortion)”意指襯底在平面(即x-y平面，該平面平行于襯底的頂面和底面或主要表面)內(nèi)的位移。例如，變形可以包括在襯底的x-y平面內(nèi)的收縮和/或在襯底的x-y平面內(nèi)的膨脹。

如在此所使用的術(shù)語“CTE匹配材料”等意指具有與參考材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)相差小于大約百分之20(％)的CTE的材料。優(yōu)選地，CTE相差小于大約10％、5％、3％或1％。

如在此所使用的術(shù)語“柔性襯底”意指容易對其形狀進行適配的獨立襯底。相應地，在許多實施例中，柔性襯底可以包括柔性材料(例如，由其組成)、和/或可以包括足夠薄的厚度(例如，平均厚度)從而使得襯底容易對形狀進行適配。在這些或其他實施例中，柔性材料可以指的是具有低彈性模量的材料。進一步地，低彈性模量可以指的是小于大約五吉帕斯卡(GPa)的彈性模量。在某些實施例中，作為因為足夠薄從而使得其容易對形狀進行適配的柔性襯底的襯底如果以更大的厚度實施則可以不是柔性襯底，和/或該襯底可以具有超過五GPa的彈性模量。例如，彈性模量可以大于等于大約五GPa但是小于等于大約二十GPa、五十GPa、七十GPa或八十GPa。在某些實施例中，用于因為足夠薄使得其容易對形狀進行適配從而是柔性襯底但是如果以更大的厚度實施可以不是柔性襯底的襯底的示例性材料可以包括某些玻璃(例如，由美國紐約州康寧市康寧公司(Corning Inc.)等所制造的氟硅酸鹽玻璃、硼硅玻璃、康寧(Corning)玻璃、Willow^TM玻璃、和/或Vitrelle玻璃等)、或具有大于等于大約25微米并且小于等于大約100微米的厚度的硅。

同時，如在此所使用的術(shù)語“剛性襯底”可以意指不容易對其形狀進行適配的獨立襯底和/或不是柔性襯底的襯底。在某些實施例中，剛性襯底可以沒有柔性材料和/或可以包括具有大于柔性襯底的彈性模量的彈性模量的材料。在各實施例中，剛性襯底可以用足夠厚從而使得襯底不容易對其形狀進行適配的厚度來實施。在這些或其他示例中，通過增加載體襯底的厚度所提供的載體襯底的剛性的增加可以對與通過增加載體襯底的厚度所提供的成本和重量的增加相平衡。

如在此所使用的，“拋光”可以意指對表面進行研磨和拋光或僅對表面進行研磨。

具體實施方式

某些實施例包括一種方法。這種方法可以包括：提供載體襯底；在該載體襯底上提供粘接改性層；提供器件襯底；以及將該器件襯底與該載體襯底聯(lián)接在一起，當該器件襯底與該載體襯底聯(lián)接在一起時，該粘接改性層位于該器件襯底與該載體襯底之間。在這些實施例中，該粘接改性層可以被配置成使得該器件襯底通過第一粘合力借助于該粘接改性層與該載體襯底間接地聯(lián)接，該第一粘合力大于在沒有該粘接改性層的情況下該器件襯底與該載體襯底相聯(lián)接所用的第二粘合力。

其他實施例包括一種方法。這種方法可以包括：提供載體襯底；在該載體襯底上提供粘接改性層；提供粘接劑；提供器件襯底，該器件襯底包括第一表面和與該第一表面相對的第二表面；用該粘接劑將該器件襯底的該第一表面與該載體襯底聯(lián)接在一起，當該器件襯底的該第一表面與該載體襯底聯(lián)接在一起時，該粘結(jié)改性層位于該器件襯底的該第一表面與該載體襯底之間；在將該器件襯底的該第一表面與該載體襯底聯(lián)接在一起之后，將該器件襯底與該載體襯底聯(lián)接在一起的同時在該器件襯底的該第二表面上提供一個或多個半導體元件；以及在該器件襯底的該第二表面上提供一個或多個半導體元件之后，將該器件襯底的該第一表面與該載體襯底機械地分離，從而使得在剛剛分離之后該粘接劑的不超過5％保留在該器件襯底的該第一表面上。

進一步的實施例包括一種方法。這種方法可以包括：提供載體襯底，該載體襯底包括第一表面和與該第一表面相對的第二表面；提供器件襯底，該器件襯底包括第一表面和與該第一表面相對的第二表面；處理該載體襯底的該第二表面的至少一部分，以增加該器件襯底的該第一表面聯(lián)接至該載體襯底的該第二表面的至少一部分上所用的力；以及將該器件襯底的該第一表面與該載體襯底的該第二表面聯(lián)接在一起。

轉(zhuǎn)至附圖，圖1展示了方法100的實施例的流程圖。方法100僅是示例性的并不限于在此所展示的實施例。方法100可以應用在未在此具體描繪或描述的許多不同的實施例或示例中。在某些實施例中，可以用所展示的順序進行方法100的活動。在其他實施例中，可以用任何其他合適的順序進行方法100的活動。在再其他實施例中，可以組合或跳過方法100中的活動中的一項或多項活動。

在許多實施例中，方法100可以包括一種提供(例如，制造)電子器件的方法。雖然電子器件可以包括任何合適的電子器件，但在許多實施例中，電子器件可以包括電子顯示器、X射線傳感器、生物傳感器、電池等。一般來講，當在器件襯底上提供電子器件的一個或多個半導體元件時，將電子器件的器件襯底聯(lián)接至載體襯底上可以方便提供電子器件。例如，在某些實施例中，當器件襯底包括柔性襯底并且載體襯底包括剛性襯底時，將電子器件的器件襯底聯(lián)接到載體襯底上可以允許使用被配置成用于在剛性襯底上進行加工的半導體制造基礎設施在器件襯底上提供電子器件的半導體元件。在許多實施例中，在器件襯底上提供半導體元件之后，方法100可以允許將器件襯底與載體襯底以減輕或消除電子器件上的缺陷的方式分離，如在此更詳細地討論的。

例如，方法100可以包括提供載體襯底的活動101。圖2展示了根據(jù)圖1的實施例的示例性活動101。

在許多實施例中，活動101可以包括提供載體襯底的活動201。載體襯底可以包括第一表面和與該第一表面相對的第二表面。載體襯底可以被配置成用于在將器件襯底聯(lián)接到載體襯底和粘接改性層上時最小化器件襯底的弓彎、翹曲、和/或變形，如下文所述。

相應地，在許多實施例中，載體襯底可以包括剛性襯底。載體襯底(例如，剛性襯底)可以包括具有如上文所限定的剛性襯底的特性的任何合適的材料。具體地，示例性材料可以包括鋁(Al2O3)、硅、玻璃(例如，鋇硼硅酸鹽玻璃、鈉鈣硅酸鹽玻璃和/或堿水玻璃)、金屬、金屬合金(例如，鋼，比如像不銹鋼)、和/或藍寶石。然而，在某些實施例中，載體襯底(例如，剛性襯底)可以沒有硅和/或非晶硅。同時，在許多實施例中，玻璃可以包括低CTE玻璃。

進一步地，還可以選擇用于載體襯底(例如，剛性襯底)的材料，從而使得材料的CTE大致與器件襯底和/或粘接改性層的材料的CTE相匹配，這些中的每一個都在上文進行了簡單地介紹并且在下文進行更詳細的描述。同樣，在某些實施例中，用于器件襯底和/或粘接改性層的材料可以被選擇成CTE與載體襯底的材料相匹配、和/或彼此相匹配。非匹配的CTE會在載體襯底、器件襯底和/或粘接改性層之間產(chǎn)生應力。

同樣，在許多實施例中，載體襯底可以是晶片或面板。載體襯底(例如，晶片或面板)可以包括任何合適的尺寸。例如，載體襯底(例如，晶片或面板)可以包括任何合適的最大尺寸(例如，直徑)，比如像大約6英寸(大約15.24厘米)、大約8英寸(大約20.32厘米)、大約12英寸(大約30.48厘米)、或大約18英寸(大約45.72厘米)。在某些實施例中，載體襯底可以是大約370毫米乘以大約470毫米、大約400毫米乘以大約500毫米、大約620毫米乘以大約750毫米、大約730毫米乘以大約920毫米、大約1,000毫米乘以大約1,200毫米、大約1,000毫米乘以大約1,300毫米、大約1,300毫米乘以大約1,500毫米、大約1,500毫米乘以大約1,850毫米、大約1,870毫米乘以大約2,200毫米、大約1,950毫米乘以大約2,250毫米、大約2,160毫米乘以大約2,460毫米、大約2,200毫米乘以大約2,500毫米、大約2,880毫米乘以大約3,130毫米的面板。在某些實施例中，載體襯底(例如，晶片或面板)可以包括一定的載體襯底厚度。載體襯底厚度可以指的是在大致垂直于載體襯底的第一和第二表面的方向上測量的載體襯底的尺寸。例如，載體襯底厚度可以大于等于大約300微米并且小于等于大約2毫米。在這些或其他實施例中，載體襯底厚度可以大于等于大約0.5毫米。在許多實施例中，載體襯底厚度可以是大致恒定的。

隨后，在某些實施例中，活動101可以包括清潔載體襯底的活動202。在某些實施例中，活動202可以如下進行：使用等離子體(例如，氧等離子體)或使用超聲波浴清潔載體襯底。

然后，活動101可以包括對載體襯底的第一表面和/或第二表面進行拋光的活動203。如下文所述，對沒有隨后聯(lián)接(例如，粘合)到粘接改性層上的載體襯底的表面(例如，第一表面)進行拋光提高了真空卡盤或氣動卡盤操作載體襯底的能力。同樣，如下文所述，對隨后聯(lián)接(例如，粘合)到粘接改性層上的載體襯底的表面(例如，第二表面)進行拋光去除了載體襯底的那個表面上的拓撲特征，這些拓撲特征可能造成在將器件襯底與載體襯底聯(lián)接到一起之后所產(chǎn)生的器件襯底組件在z軸上的粗糙度。

接下來，返回到圖1，方法100可以包括在載體襯底的至少一部分上，比如像在載體襯底的第二表面的至少一部分(例如，全部)上提供粘接改性層的活動102。像載體襯底一樣，粘接改性層可以包括第一表面和與該第一表面相對的第二表面。在這些實施例中，粘接改性層的第一表面可以位于載體襯底的第二表面附近。

如下文所解釋的，在各實施例中，粘接改性層可以包括能夠用粘合力(即，第一粘合力)粘合到器件襯底和/或粘合到將器件襯底粘合到粘接改性層的粘接劑上(如下文所述)的任何合適的材料(例如，非晶硅、氮化硅、二氧化硅、和/或3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等)，該粘合力大于載體襯底與器件襯底和/或直接與粘接劑之間的粘合力(即，第二粘合力)。因此，粘接改性層可作為中間層進行操作，中間層被配置成使得器件襯底通過粘接改性層用比沒有粘接改性層的情況下的將可能的粘合力更大的粘合力直接與載體襯底相聯(lián)接。相應地，在某些示例中，可以將活動102作為以下活動的一部分來進行：對載體襯底的第二表面的至少一部分進行處理，以增加器件襯底的第一表面聯(lián)接到載體襯底的第二表面的至少一部分上所用的力(即，第二粘合力)(即，增加至第一粘合力)。圖3展示了根據(jù)圖1的實施例的示例性活動102。

活動102可以包括在載體襯底的至少一部分上(比如像在載體襯底的第二表面的至少一部分(例如，全部))上沉積粘接改性層的活動301。在其他實施例中，活動301可以由對在器件襯底的第一表面處的粘接改性層進行沉積的活動來替代。在任一實現(xiàn)方式中，可以通過化學氣相沉積(例如，等離子增強型化學氣相沉積)來進行沉積。例如，在許多實施例中，可以在一個或多個預定條件下在載體襯底(例如，載體襯底的第二表面的至少一部分或全部或基本全部)上沉積粘接改性層。沉積的示例性條件可以包括大約0.267kPa的壓力、大約170mW/cm2的功率密度、大約100標準立方厘米每分鐘的硅烷流量、大約3000標準立方厘米每分鐘的氫氣流量、和大約2.44厘米的基座間隔。

粘接改性層可以被提供(例如，沉積)成包括一定的厚度(即，在載體襯底上提供粘接改性層時大致垂直于載體襯底的第二表面的粘接改性層的尺寸)。在許多實施例中，跨載體襯底的第二表面的厚度可以是大致恒定的。在某些實施例中，該厚度可以大于等于大約0.05微米并且小于等于大約25微米，比如像大約0.3微米。一般來講，可以將厚度選擇成足夠厚以確保粘接改性層在載體襯底上的連續(xù)分布。進一步地，在仍然允許載體襯底的同時，可以將厚度選擇成盡可能薄以便在將器件襯底聯(lián)接到載體襯底和/或粘接改性層上時最小化器件襯底的弓彎、翹曲、和/或變形，如下文所述。

在某些實施例中，活動102可以包括在粘接改性層的至少一部分(例如，粘接改性層的第二表面的至少一部分)上圖案化掩模(例如，光刻膠)的活動302。掩?？梢愿采w粘接改性層的不被蝕刻的一個或多個部分。例如，在如下文所述的活動303過程中，可以在粘接改性層的第二表面的周邊部分上圖案化掩模，從而使粘接改性層的第二表面的中央部分暴露出來。

在這些實施例中，載體襯底的周邊部分可以指的是載體襯底的第二表面的位于載體襯底的邊緣與載體襯底的周邊之間的一部分。周邊可以指的是位于載體襯底的第二表面距離載體襯底的邊緣預定距離處的連續(xù)參考線?？梢詫㈩A定距離選擇成盡可能小以便最大化用于半導體器件的器件構(gòu)建表面同時足夠大以對應于載體表面的將在半導體器件的制造過程中操作的那些部分。同時，粘接改性層的中央部分可以指的是載體襯底的第二表面的對應于用于半導體器件的器件構(gòu)建表面的剩余部分。

掩模可以配備有一定的厚度，從而使得掩模不會在如下所述的活動303過程中被蝕刻穿。在某些實施例中，掩?？梢跃哂锌梢源笥诘扔诖蠹s2.5微米并且小于等于大約5.0微米的厚度，比如像大約3.5微米。

在某些實施例中，可以通過用光刻膠涂覆粘接改性層的第二表面來進行活動302。接下來，粘接改性層可以與模板對齊，并且光刻膠可以暴露于紫外線下以將掩模圖像從模板傳遞到光刻膠上。在傳遞掩模圖像之后，可以烘烤光刻膠。然后，可以通過使用常規(guī)的顯影化學制品來移除光刻膠由于模板而沒有暴露于紫外線下的部分來顯影掩模。

接下來，活動102可以包括對粘接改性層(例如，粘接改性層的未掩模部分)進行蝕刻的活動303。在許多實施例中，可以通過對粘接改性層進行反應離子刻蝕或濕蝕刻來進行活動303。在某些示例中，可以用緩沖氧化蝕刻劑、氯基蝕刻劑、或氟基蝕刻劑來蝕刻粘接改性層。

同時，在活動303之后，活動102可以包括移除掩模的活動304。在某些示例中，可以通過使用包括一種或多種溶劑(比如像丙酮、n-甲基吡咯烷酮、氨丙基嗎啉、二甲亞砜、氨丙醇、和/或環(huán)丁砜等)的溶劑蝕刻溶解掩模來進行活動304。在這些或其他示例中，可以在70℃使用靜態(tài)浴、再循環(huán)浴、或噴霧涂布機來進行溶劑蝕刻。然后，帶有粘接改性層的剩余部分的載體襯底可以使用去離子水來沖洗并且可以被旋轉(zhuǎn)干燥或風刀干燥。在某些示例中，可以在快速翻斗沖洗器中進行沖洗，并且可以在旋轉(zhuǎn)沖洗干燥器中進行干燥。

在許多實施例中，可以省略活動302至304。在某些實施例中，是否進行活動302至304可以取決于被實施用于器件襯底的材料，如下文所述。例如，當器件襯底包括聚酰亞胺時，可能期望進行活動302至304。同時，當器件襯底包括聚萘二甲酸乙二醇酯時，可能期望省略活動302至304。

活動102可以包括對具有粘接改性層的剩余部分的載體襯底進行清潔的活動305。活動305可以如下進行：使用去離子水對帶有粘接改性層的剩余部分的載體襯底進行沖洗并且對帶有粘接改性層的剩余部分的載體襯底進行旋轉(zhuǎn)干燥。在某些示例中，可以在快速翻斗沖洗器中進行沖洗，并且可以在旋轉(zhuǎn)沖洗干燥器中進行干燥。在某些實施例中，可以將活動305省略或者作為活動304的一部分來進行。

進一步地，活動102可以包括對帶有粘接改性層的剩余部分的載體襯底進行蝕刻(例如，灰化)的活動306?？梢杂醚醯入x子體蝕刻來進行活動306。在某些實施例中，氧等離子體蝕刻可以在大約1200mTorr(托)的壓力下進行90分鐘。在某些實施例中，可以省略活動306。

在附圖中暫時向前轉(zhuǎn)，圖4展示了根據(jù)實施例的在載體襯底401上提供粘接改性層402之后的半導體器件400的局部橫截面圖。半導體器件400可以與方法100(圖1)的半導體器件類似或完全相同。進一步地，載體襯底401和/或粘接改性層402可以分別與方法100(圖1)的載體襯底和/或粘接改性層類似或完全相同。相應地，載體襯底401可以包括第一表面403和與第一表面403相對的第二表面404。同樣，粘接改性層402可以包括第一表面405和與第一表面405相對的第二表面406。

同時，圖5展示了根據(jù)實施例的半導體器件500的局部橫截面圖。半導體器件500可以與半導體器件400類似或完全相同，除了粘接改性層502的中央部分已經(jīng)通過蝕刻被移除以留下粘接改性層502的周邊部分508并且暴露出載體襯底501以外。載體襯底501可以與載體襯底401(圖4)和/或方法100(圖1)的載體襯底類似或完全相同；粘接改性層502可以與粘接改性層402(圖4)和/或方法100(圖1)的粘接改性層類似或完全相同；并且中央部分507和/或周邊部分508可以分別與方法100(圖1)的粘接改性層的中央部分和/或周邊部分類似或完全相同。相應地，載體襯底501可以包括第一表面503和與第一表面503相對的第二表面504。同樣，粘接改性層502可以包括第一表面505和與第一表面505相對的第二表面506。

現(xiàn)在返回參照圖1，方法100可以包括提供器件襯底的活動103。像載體襯底一樣，器件襯底可以包括第一表面和與該第一表面相對的第二表面。

在許多實施例中，器件襯底可以包括柔性襯底。器件襯底(例如，柔性襯底)可以包括具有如上文所限定的柔性襯底的那些特性的任何適合的材料。具體地，示例性材料可以包括聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)烯烴共聚物、液晶聚合物、任何其他合適的聚合物、玻璃(比如像由美國紐約州康寧市的康寧公司(Corning Inc.)等所制造的氟硅酸鹽玻璃、硼硅玻璃、康寧(Corning)玻璃、Willow^TM玻璃、和/或Vitrelle玻璃等)、金屬箔(例如，鋁箔等)等。

在某些實施例中，活動103可以如下進行：提供器件襯底。在其他實施例中，活動103可以如下進行：在載體襯底上和在粘接改性層(例如，在粘接改性層的第二表面)上沉積器件襯底，比如像作為如下文所述的活動701(圖7)的一部分。

進一步地，在某些實施例中，方法100可以包括比如像(i)在載體襯底和在粘接改性層(例如，在粘接改性層的第二表面)上和/或(ii)在器件襯底的第一表面上提供粘接劑的活動104。粘接劑可以包括被配置成用于用比粘合到載體襯底上更大的粘合力粘合到粘接改性層上的任何材料。在許多示例中，粘接劑可以包括丙烯酸鹽聚合物粘接劑。在某些實施例中，可以省略活動104，比如像在進行活動701(圖7)時。

在各實施例中，活動104可以如下進行：在粘接改性層(例如，在粘接改性層的第二表面)上和/或在器件襯底的第一表面沉積粘接劑，比如像通過旋轉(zhuǎn)涂覆、噴涂、擠壓涂覆、預成型層壓、狹縫型模涂覆、絲網(wǎng)層壓、絲網(wǎng)印刷和/或汽相涂底。在這些或其他實施例中，可以在一個或多個預定條件下將粘接劑沉積在粘接改性層(例如，在粘接改性層的第二表面)上和/或器件襯底的第一表面處。

在具體示例中，可以在首先以大約1000轉(zhuǎn)每分鐘的旋轉(zhuǎn)速率旋轉(zhuǎn)具有粘接改性層的載體襯底大約25秒的時間的同時沉積粘接劑。然后，在以大約3,500轉(zhuǎn)每分鐘的旋轉(zhuǎn)速率旋轉(zhuǎn)載體襯底和粘接改性層大約20秒的時間之前可以在一定時間(例如，大約10秒)內(nèi)保持載體襯底和粘接改性層靜止。

在附圖中向前轉(zhuǎn)，圖6展示了根據(jù)圖4的實施例的在載體襯底401上和在粘接改性層402(例如，在粘接改性層402的第二表面406)上提供粘接劑609之后的半導體器件400的局部橫截面圖。

再次回到圖1，方法100可以包括將器件襯底與載體襯底聯(lián)接到一起的活動105。在這些實施例中，可以進行活動105，從而使得當器件襯底與載體襯底聯(lián)接在一起時，粘接改性層位于器件襯底與載體襯底之間。相應地，在許多實施例中，可以在活動102和/或活動301(圖3)之后進行活動105。圖7展示了根據(jù)圖1的實施例的示例性活動105。

在某些實施例中，活動105可以包括將器件襯底直接粘合到粘接改性層上的活動701。圖8展示了根據(jù)圖7的實施例的示例性活動701。

活動701可以包括在粘接改性層(例如，在粘接改性層的第二表面)上沉積器件襯底的活動801，比如像通過旋轉(zhuǎn)涂覆、噴涂、擠壓涂覆、預成型層壓、狹縫型模涂覆、絲網(wǎng)層壓、絲網(wǎng)印刷和/或汽相涂底。在這些或其他實施例中，可以在一個或多個預定條件下將器件襯底沉積在粘接改性層(例如，在粘接改性層的第二表面)上。

在某些實施例中，這些預定條件可以取決于所期望的器件襯底厚度，如下文所討論的。在具體示例中，可以在大于等于大約10秒并且小于等于大約100秒的時間內(nèi)以大于等于大約500轉(zhuǎn)每分鐘并且小于等于大約6,000轉(zhuǎn)每分鐘的旋轉(zhuǎn)速率旋轉(zhuǎn)載體襯底的同時沉積器件襯底。例如，旋轉(zhuǎn)速率可以是大約1,000轉(zhuǎn)每分鐘，和/或時間可以是大約25秒。

在許多實施例中，活動701可以包括在粘接改性層(例如，在粘接改性層的第二表面)上固化器件襯底的活動802。例如，固化可以首先通過在大約90℃至大約150℃下熱板烘烤大約10分鐘、接著在大約220℃下常規(guī)烘箱烘烤大約一小時來進行。在許多實施例中，活動802可以有助于從器件襯底上移除用來進行如上所述的活動801的化學物質(zhì)(例如，溶劑)。在這些或其他實施例中，活動802可以有助于將器件襯底粘合到粘接改性層上。如所期望的，器件襯底可以是熱固化的和/或光固化的。在某些實施例中，可以省略活動802。

在附圖中暫時向前轉(zhuǎn)，圖9展示了根據(jù)圖5的實施例的在將器件襯底910直接粘合到粘接改性層502上以及載體襯底501上之后的半導體器件500的局部橫截面圖。器件襯底910可以與上文關(guān)于方法100(圖1)所述的器件襯底相似或完全相同。相應地，器件襯底910可以包括第一表面911和與第一表面911相對的第二表面912。第一表面911可以與方法100(圖1)的器件襯底的第一表面類似或完全相同，并且第二表面912可以與方法100(圖1)的器件襯底的第二表面類似或完全相同。

現(xiàn)在返回圖7，在其他實施例中，活動105可以包括用粘接劑將器件襯底粘合到粘接改性層上的活動702。相應地，當用活動702實施方法100時，進行活動104(圖1)。值得注意的是，在許多實施例中，在進行活動701時，可以省略活動702，并且反之亦然。圖10展示了根據(jù)圖7的實施例的示例性活動702。

在某些實施例中，活動702可以包括烘烤器件襯底的活動1001。在這些或其他實施例中，可以在一個或多個預定條件下烘烤器件襯底。在許多實施例中，可以在真空條件下和/或大于等于大約100℃并且小于等于大約200℃的溫度下烘烤器件襯底。一般來講，可以在活動1002至1006之前進行活動1001。在某些實施例中，可以省略活動1001。

在許多實施例中，活動702可以包括在器件襯底的第二表面提供保護層的活動1002。在許多實施例中，保護層可以包括膠帶(例如，由美國加利福尼亞州摩爾帕克市半導體設備公司(Semiconductor Equipment Corporation)所制造的產(chǎn)品號為18133-7.50的藍色低粘性帶(Blue Low Tack Squares))。進行活動802可以防止在進行如以下所述的活動1003時對器件襯底的第二表面造成損壞和/或污染。

在活動1002之后，活動702可以繼續(xù)進行將器件襯底的第一表面粘合到粘接改性層的第二表面上的活動1003?？梢允褂萌魏魏线m的層壓技術(shù)(例如，輥壓、囊壓等)來進行活動1003。在許多實施例中，可以在一個或多個預定條件下進行活動1003。在許多示例中，可以在大于等于大約34kPa并且小于等于207kPa的壓力下、在大于等于大約80℃并且小于等于大約140℃的溫度下、和/或在大約0.45米每分鐘的進給速率下進行活動1003。

例如，可以在大于等于大約0千帕(即，在真空中)并且小于等于大約150千帕的壓力下將器件襯底的第一表面粘合到粘接改性層的第二表面上。在某些實施例中，壓力可以包括大約138千帕。進一步地，在其他實施例中，可以用大于等于大約0.1米每分鐘并且小于等于大約1.0米每分鐘的進給速率將器件襯底的第一表面粘合到粘接改性層的第二表面。在某些實施例中，進給速率可以包括0.46米每分鐘。還進一步地，可以在大于等于大約20℃并且小于等于大約100℃、160℃、220℃、350℃等(取決于器件襯底的材料)的溫度下將器件襯底的第一表面粘合到粘接改性層的第二表面上。例如，溫度在當器件襯底包括聚萘二甲酸乙二醇酯時可以小于等于大約220℃(例如，大約100℃)、在當器件襯底包括聚對苯二甲酸乙二醇酯時可以小于等于大約160℃(例如，大約100℃)、并且在當器件襯底包括聚醚砜時可以小于等于大約350℃(例如，大約100℃)。

適用于固化粘接劑的任何技術(shù)(例如，光固化、熱固化、壓力固化等)來進行活動1004，而無不損壞載體襯底、粘接改性層或器件襯底。例如，在某些實施例中，活動1005可以如下進行：比如像使用由美國康涅狄格州托靈頓市的戴馬士公司(Dymax Corporation)所制造的戴馬士紫外線固化系統(tǒng)(Dymax ultraviolet cure system)對粘接劑進行紫外線固化。在這些實施例中，活動1004可以進行大約20秒至大約180秒。在其他實施例中，活動1004可以如下進行：在烘箱(比如像由美國加利福尼亞州圣克拉拉市的美國雅馬拓(Yamato)科技股份有限公司所制造的雅馬拓烘箱)中烘烤粘接劑。

在活動1003和/或活動1004之后，活動702可以包括從半導體器件上移除過剩的粘接劑的活動1005。在某些實施例中，活動1005可以如下進行：使用等離子體(例如，氧等離子體)或使用超聲波浴清潔載體襯底。

在活動1003之后，活動702可以包括移除器件襯底的第二表面處的保護層的活動1006。在某些實施例中，可以省略活動1002和1005。在各實施例中，可以將活動1006作為活動1005的一部分來進行。

在附圖中向前轉(zhuǎn)，圖11展示了根據(jù)圖4的實施例的在用粘接劑609將器件襯底1110粘合到粘接改性層402上并且將器件襯底粘合在載體襯底401上之后的半導體器件400的局部橫截面圖。器件襯底1110可以與器件襯底910和/或上文關(guān)于方法100(圖1)所描述的器件襯底相似或完全相同。相應地，器件襯底1010可以包括第一表面1111和與第一表面1111相對的第二表面1112。第一表面1111可以與第一表面911(圖9)和/或方法100(圖1)的器件襯底的第一表面類似或完全相同，并且第二表面912可以與第二表面912(圖9)和/或方法100(圖1)的器件襯底的第二表面類似或完全相同。

現(xiàn)在再次返回圖1，無論是根據(jù)活動701(圖7)還是活動702(圖7)實施方法100，器件襯底都可以被提供成包括一定的器件襯底厚度(即，載體襯底或粘接劑上的器件襯底的尺寸，如果適用的話，該尺寸在器件襯底聯(lián)接到載體襯底上時大致垂直于載體襯底或粘接劑)。值得注意的是，為了引用目的，器件襯底厚度的計算不包含當已經(jīng)將粘接改性層的中央部分移除時器件襯底在粘接改性層的周邊部分上的部分，沿著該部分將要比器件襯底厚度小大約等于粘接改性層厚度的量。在許多實施例中，器件襯底厚度可以是大致恒定的。同樣，器件襯底在粘接改性層的周邊部分上的部分的厚度也可以是大致恒定的。在某些實施例中，載體襯底厚度可以大于等于大約1微米并且小于等于大約1毫米。例如，器件襯底厚度可以是大約20微米。一般來講，可以將器件襯底厚度選擇成足夠厚以確保器件襯底在載體襯底上的連續(xù)分布。進一步地，在仍然允許以上內(nèi)容的同時，可以將器件襯底厚度選擇成盡可能薄以便在將器件襯底聯(lián)接到載體襯底上時最小化器件襯底的弓彎、翹曲、和/或變形。

在活動105之后，方法100可以包括在將器件襯底聯(lián)接至載體襯底上的同時對器件襯底進行固化的活動106。如所期望的，器件襯底可以是熱固化的和/或光固化的。例如，在許多實施例中，首先，可以首先在真空條件下、在大于等于大約100℃并且小于等于大約235℃的溫度下、和/或在大于等于大約1小時并且小于等于大約8小時的時間內(nèi)對器件襯底進行熱固化。例如，溫度可以包括大約180℃或220℃，和/或時間可以包括大約3小時。

接下來，方法100可以包括在將器件襯底聯(lián)接至載體襯底上的同時在器件襯底上提供一個或多個半導體元件的活動107。在某些實施例中，可以根據(jù)不超出200℃的溫度的任何常規(guī)半導體制造工藝在器件襯底上提供半導體元件。在進一步的實施例中，可以根據(jù)不超出235℃的溫度的任何常規(guī)半導體制造工藝在器件襯底上提供半導體元件。例如，在各實施例中，可以根據(jù)在以下專利申請中所描述的半導體制造工藝在器件襯底上提供半導體元件：(i)于2012年3月15日公開的美國專利申請公開序列號US 20120061672，(ii)于2012年10月11日公開的國際專利申請公開序列號WO 20121381903，和/或(iii)在2013年6月6日公開的國際專利申請公開序列號WO 2013082138，這些專利申請中的每一個專利申請的全部內(nèi)容都將通過引用合并于此。在某些實施例中，可以在活動105之后進行活動107。進一步地，可以在活動108和/或活動110之前進行活動107。圖12展示了根據(jù)圖4的實施例的在器件襯底1110上提供一個或多個半導體元件1213之后的半導體器件400的局部橫截面圖；以及圖13展示了根據(jù)圖5的實施例的在器件襯底910上提供一個或多個半導體元件1313之后的半導體器件500的局部橫截面圖。

再次參照圖1，在某些實施例中，方法100可以包括將器件襯底的器件部分與器件襯底的非器件部分切斷的活動108(例如，在上文關(guān)于周邊部分和中央部分所討論的載體襯底的周邊內(nèi)的位置上)?？梢詫⑵骷r底的非器件部分粘合到粘接改性層上。同時，可以將器件襯底的器件部分僅粘合到載體襯底上。器件部分包括半導體元件的至少一部分。在某些實施例中，非器件部分可以包括半導體元件的一部分?？梢允褂萌魏魏线m的切割工具(例如，刀片、激光器等)將器件襯底的器件部分與器件襯底的非器件部分切斷。在許多實施例中，可以進行活動108，從而使得在進行活動110(下文)時，半導體元件的某些或全部與器件襯底的器件部分保持在一起(例如，盡可能少地留下半導體元件與器件襯底的非器件部分在一起)。在許多實施例中，活動108可以發(fā)生在活動107之后。進一步地，活動108可以發(fā)生在活動110之前。

在某些實施例中，可以省略活動108，比如像當用活動702(圖7)實施方法100時。在許多實施例中，當方法100被實施成包括活動701(圖7)和/或活動302至304(圖3)中的一個或多個活動時，方法100還可以包括活動108。圖14展示了根據(jù)圖5的實施例的在將器件襯底910的器件部分1414與器件襯底910的非器件部分1415切斷之后的半導體器件500的局部橫截面圖。

再次參照圖1，在某些實施例中，方法100可以包括降低第一粘合力或第二粘合力中的至少一個粘合力的活動109。在這些實施例中，活動109可以如下進行：對粘接劑或粘接改性層進行化學處理、電磁處理(例如，通過紫外線或其他形式的電磁輻射，比如像激光電磁輻射)、或熱處理(例如，使用激光發(fā)送電子著塑(EPLaR^TM)、使用激光退火/沖蝕表面釋放技術(shù)(SUFTLA^TM)等)。

在許多實施例中，可以省略活動109。當使用活動109實施方法100時，在活動110之前進行活動109，如下文所述。在某些實施例中，活動109可以發(fā)生在活動108之后，或者反之亦然。

接下來，方法100可以包括將器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)與載體襯底分離(例如，機械地)的活動110。圖15展示了根據(jù)圖4的實施例的在提供半導體元件1213之后并且在將器件襯底1110與載體襯底401(圖4)分離之后的半導體元件400的器件襯底1110的橫截面圖；以及圖16展示了根據(jù)圖5的實施例的在提供半導體元件1313之后并且在將器件部分1414與載體襯底501(圖5)分離之后的半導體元件500的器件襯底910的器件部分1414的橫截面圖。

在許多實施例中，活動110可以如下進行：向器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)施加釋放力(例如，穩(wěn)定的釋放力)。在許多實施例中，如果適用的話，可以通過從粘接改性層和/或載體襯底上剝離(例如，用手)器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)來向器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)施加釋放力。在這些或其他實施例中，如果適用的話，可以通過在器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)下插入刀片并且在遠離粘接改性層和/或載體襯底的方向上在器件襯底上按壓(或在適用時，器件襯底的器件部分)來施加(或增強)釋放力。

進一步地，在這些或其他實施例中，活動110可以如下進行：比如像使用任何合適的切割工具(例如，刀片、激光器等)將器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)與粘接改性層和/或載體襯底切斷。將器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)與粘接改性層和/或載體襯底切斷可以替代向器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)施加釋放力的活動或作為其一部分來進行。

在許多實施例中，在進行活動110時保持器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)與粘接改性層和/或載體襯底之間的小于等于大約45度的角可以減輕或防止對器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)上的半導體元件造成損害。

進一步地，有利的是，在許多實施例中，可以在不首先比如像通過對粘接劑或粘接改性層進行化學處理、電磁處理(例如，通過紫外線或其他形式的電磁輻射，比如像激光電磁輻射)、或熱處理(例如，使用激光發(fā)送電子著塑(例如，EPLaR^TM工藝)、使用激光退火/沖蝕表面釋放技術(shù)(例如，SUFTLA^TM工藝)等)(例如，修改粘接劑或粘接改性層的結(jié)構(gòu))來降低第一粘合力和/或第二粘合力的情況下進行活動110。換言之，第一粘合力和/或第二粘合力可以直接保持大致恒定(并且在許多示例中，至少保持足夠低以允許機械脫粘)，一直直到進行活動110。相應地，通過避免使用化學處理、電磁處理、或熱處理，可以降低或消除由于使用這種化學處理、電磁處理、或熱處理所導致的半導體元件的器件缺陷和/或降低的半導體元件成品率。例如，電磁處理可以通過熱變形和/或形成顆粒碎屑而破壞半導體元件。同時，化學處理可以通過使半導體元件暴露在化學產(chǎn)品下而損壞半導體元件，從而造成半導體元件退化。而且，使用化學處理可能要求后續(xù)的清潔以便從半導體元件上移除任何殘留的化學產(chǎn)品，和/或可能不允許器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)在分離過程中保持大致扁平，因為在將器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)浸入化學產(chǎn)品中的同時物理地約束器件襯底(或在適用時，器件襯底的器件部分)會具有挑戰(zhàn)性。

進一步地，方法100可以包括比如像清潔載體襯底和/或粘接改性層的活動111，以便從載體襯底和/或粘接改性層上移除在進行活動110之后剩余的器件層、粘接劑、和/或半導體元件的殘留部分。在某些實施例中，活動111可以如下進行：使用等離子體(例如，氧等離子體)或使用超聲波浴清潔載體襯底和/或粘接改性層。相應地，在許多實施例中，可以使用同一載體襯底和/或粘接改性層來重復方法100一次或多次。

在各實施例中，當用活動104(即，使用粘接劑粘合)來實施方法100時，粘接改性層可操作用于允許將器件襯底與載體襯底分離(例如，通過活動110)，從而使得在剛剛分離之后或由于分離，很少或沒有粘接劑留在器件襯底的第一表面上(即，無需進行額外的制造活動來移除粘接劑)。例如，在某些實施例中，在剛剛分離之后或由于分離，少于百分之五、百分之三、百分之二或百分之一的粘接劑留在器件襯底的第一表面上。同時，在這些或其他實施例中，在分離之后，載體襯底可以保持聯(lián)接到粘接改性層上，并且部分、大部分、基本上全部或全部粘接劑可以保持聯(lián)接到粘接改性層上。

一般來講，在使用粘接劑實施涉及將器件襯底(例如，柔性襯底，比如像聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、玻璃等)聯(lián)接至載體襯底(例如，剛性襯底)上以及將器件襯底與載體襯底分離的用于制造電子器件的常規(guī)技術(shù)時，在分離之后留在器件襯底上的殘留粘接劑會導致電子器件產(chǎn)品中的一部分或全部有缺陷。此類缺陷可以(i)降低器件制造成品率和/或(ii)增加為了移除這種殘留粘接劑所需要的制造復雜度、時間和/或成本。然后，因為單獨地方法100的粘接改性層與器件襯底和/或粘接劑的粘合力大于器件襯底和/或粘接劑與載體襯底之間的粘合力，在實施方法100時，在剛剛分離之后或由于分離，很少或沒有粘接劑留在器件襯底上。相應地，因為方法100可以被實施成使得在剛剛分離之后或由于分離，很少或沒有粘接劑留在器件襯底上，可以減少器件缺陷并且增加器件制造成品率，而無需會增加制造電子器件的復雜度、時間和/或成本的額外制造活動。

在附圖中向前轉(zhuǎn)，圖17至圖20提供了通過傅里葉變換紅外光譜法憑經(jīng)驗展示了在實施方法100(圖1)時器件襯底處的殘留粘接劑的減少的各種圖表。圖17至圖20的圖表中的每一個圖表示出了根據(jù)波數(shù)變化的吸收率，其中，波數(shù)是以厘米的倒數(shù)為單位進行測量的，并且吸收率是以任意單位測量的。

具體來講，圖17是通過傅里葉變換紅外光譜法展示了根據(jù)將聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底粘合到硅載體襯底上的固化粘接劑的波數(shù)變化的吸收率的圖表，其中減去了硅載體襯底和器件襯底的頻譜。值得注意的是，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底在相關(guān)區(qū)域中是基本上透明的。在相關(guān)區(qū)域之外的低波數(shù)具有過多的吸收帶。在相關(guān)區(qū)域中的峰值對應于碳氫伸縮振動，其中，振動的頻率取決于粘合到碳原子上的氫原子的數(shù)量以及碳原子的粘合安排。

轉(zhuǎn)到下一個圖，圖18是展示了圖17的相關(guān)區(qū)域的圖表。在相關(guān)區(qū)域中粘接劑的吸收率有四個主峰。

轉(zhuǎn)到下一個圖，圖19是通過傅里葉變換紅外光譜法展示了根據(jù)以下各項的波數(shù)變化的吸收率的圖表：(i)未加工的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底；(ii)在具有非晶硅(a-Si)粘接改性層的硅載體襯底上加工并且與硅載體襯底分離的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底；以及(iii)在不具有非晶硅(a-Si)粘接改性層的硅載體襯底上加工并且與硅載體襯底分離的聚萘二甲酸乙二醇酯器件襯底。

再次轉(zhuǎn)到下一個圖，圖20是通過傅里葉變換紅外光譜法展示了根據(jù)以下各項的波數(shù)變化的吸收率的圖表：(i)在不具有非晶硅粘接改性層的硅載體襯底上加工的第一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底，其中已經(jīng)將聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底與硅載體襯底分離，并且已經(jīng)減去了第二聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底的頻譜；(ii)在將聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底與硅載體襯底脫粘之后留在硅載體襯底上的固化粘接劑，其中減去了硅載體襯底的頻譜；以及(iii)在具有非晶硅粘接改性層的硅載體襯底上加工的第一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底，其中已經(jīng)將聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底與硅載體襯底分離，并且已經(jīng)減去了第二未加工的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底的頻譜。為清晰起見，在圖20中以降序示出了項(i)至(iii)。值得注意的是，對于項(iii)，所有的四個峰值都缺失。同時，在項(i)和(iii)上的額外峰可以歸因于第一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底與第二未加工的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)器件襯底之間的厚度和/或成分上的細微差別。

同時，在這些實施例中或在其他實施例中，比如像在不進行活動104(即，無需粘接劑)但是進行例如活動701(例如，在粘接改性層上直接沉積器件襯底)的情況下實施方法100，粘接改性層可以操作用于在活動107過程中防止器件襯底的過早分離。在各示例中，在實施涉及將器件襯底(例如，柔性襯底，比如像聚醚砜)聯(lián)接(例如，通過直接沉積)至載體襯底(例如，剛性襯底，比如像玻璃)上以及將器件襯底與載體襯底分離的用于制造半導體的常規(guī)技術(shù)時，經(jīng)常通過改變器件襯底的配方來控制器件襯底到載體襯底上的粘合力。然而，器件襯底配方的批次到批次的變化分離有時會導致器件襯底與載體襯底分離比所期望的要更快。例如，器件襯底的機器操作有時會導致器件襯底與載體襯底分離比所期望的要更快。器件襯底與載體襯底的過早分離還會造成器件缺陷和圖案變形，這降低了器件制造成品率。有利的是，因為單獨地方法100的粘接改性層與器件襯底的粘合力大于器件襯底與載體襯底之間粘合力，可以防止過早分離，從而產(chǎn)生更少的器件缺陷和更少的圖案變形。

值得注意的是，雖然粘接改性層通常被描述為增加載體襯底上的粘合力，在一種替代方法中，粘接改性層可以被沉積在器件襯底上并且被配置成用于降低粘合力。在這些實施例中，當器件襯底是柔性襯底時，將從將不會干擾器件襯底的柔性的材料中選擇粘接改性層。

進一步地，在此所披露的方法(例如，方法100(圖1))和半導體器件(例如，半導體器件400(圖4、圖6、圖11、圖12和圖15)和/或半導體器件500(圖5、圖9、圖13、圖14和圖16))可以特別良好地適用于實施半導體制造，其中，半導體制造受到上限溫度的約束(比如像由于正在使用的材料)。例如，當是柔性襯底時，許多器件襯底(包括上文所提供的示例性器件襯底材料中的許多材料)可以排除高于某些溫度的制造。在某些實施例中，半導體制造中的某些或全部可能不能超出大約160℃、180℃、200℃、220℃、250℃、或350℃。

可以良好地適用于實施此所披露的方法(例如，方法100(圖1))和半導體器件(例如，半導體器件400(圖4、圖6、圖11、圖12和圖15)和/或半導體器件500(圖5、圖9、圖13、圖14和圖16))的各種半導體制造工藝和器件在以下參考文獻中進行了描述，這些參考文獻中的每一個參考文獻的披露內(nèi)容通過引用以其全文結(jié)合于此：(i)于2011年9月22日公開的美國專利申請公開序列號US 20110228492，(ii)于2013年10月17日公開的美國專利申請公開序列號US 20130271930，(iii)于2012年3月15日公開的美國專利申請公開序列號US 20120061672，(iv)于2014年1月9日公開的美國專利申請公開序列號US 20140008651，(v)于2013年6月6日公開的國際專利申請公開序列號WO 2013082138，(vi)于2014年3月6日公開的美國專利申請公開序列號US 20140065389，(vii)于2013年3月28日公開的美國專利申請公開序列號US 20130075739，(viii)于2011年3月17日公開的美國專利申請公開序列號US 20110064953，(ix)于2010年11月25日公開的美國專利申請公開序列號US 20100297829，(x)于2010年10月21日公開的美國專利申請公開序列號US 20100264112，(xi)于2011年3月24日公開的美國專利申請公開序列號US 20110068492，(xii)于2011年5月31日公開的美國專利申請公開序列號US 20060194363，以及(xiii)于2011年2月3日公開的美國專利申請公開序列號US 20110023672。

盡管已經(jīng)參考特定實施例描述了本發(fā)明，但是應理解到本領域內(nèi)的技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下進行各種改變。相應地，本發(fā)明的實施例的披露旨在說明本發(fā)明的范圍而不在于限制。在此的意圖是本發(fā)明的范圍應當僅限于所附權(quán)利要求所要求的內(nèi)容。例如，對于本領域的普通技術(shù)人員而言，非常明顯的是方法100(圖1)的一項或多項活動可以由許多不同的活動、程序和/或流程組成，并且可以由許多不同模塊且以許多不同的順序進行，可以對圖1至圖20的任何元件進行修改，并且這些實施例中的某些實施例的前面的討論不一定代表全部可能實施例的完整描述。

通常，一個或多個要求的元件的替代構(gòu)成重構(gòu)而不是修復。此外，已經(jīng)就特定實施例描述了益處、其他優(yōu)點以及問題的解決方案。然而，不能認為可以引起任何益處、優(yōu)點、或解決方案發(fā)生或變得更明顯的益處、優(yōu)點、問題解決方案以及任何元件或多個元件是任何或全部權(quán)利要求的關(guān)鍵的、要求的、或必要的特征或元素，除非在此類權(quán)利要求中陳述了此類益處、優(yōu)點、解決方案或元件。

并且，若實施例和/或限制如下，則在此所披露的實施例和限制不是在專用原則下而為大眾所專用：(1)未在權(quán)利要求書中清楚地要求；及(2)是或在等同原則下是權(quán)利要求書中提及的元件和/或限制的潛在等效物。