技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法在＜10-11＞±1度、＜10-1-1＞±1度、＜10-12＞±1度或＜10-1-2＞±1度的方向上將雜質(zhì)離子注入到SiC層。

技術(shù)研發(fā)人員：河野洋志;新田智洋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社東芝
文檔號(hào)碼：201610031064
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.18
技術(shù)公布日：2017.03.22