技術(shù)總結(jié)
提供晶片的加工方法，即使是在晶片的背面上形成有SiO2膜、SiN膜或?qū)嵤┝宋g刻處理的情況下也能夠?qū)⒕煽康胤指畛梢粋€(gè)個(gè)的器件。將在正面上呈格子狀形成有多條分割預(yù)定線并在由多條分割預(yù)定線劃分的多個(gè)區(qū)域中形成有器件的晶片沿著分割預(yù)定線分割成一個(gè)個(gè)的器件，晶片的加工方法包含：改質(zhì)層形成工序，將聚光點(diǎn)從晶片的正面?zhèn)榷ㄎ辉趦?nèi)部而沿著分割預(yù)定線照射對于晶片具有透過性的波長的激光光線，在晶片的內(nèi)部形成改質(zhì)層；保護(hù)部件粘接工序，在晶片的正面上粘接保護(hù)部件；以及背面磨削工序，將晶片的保護(hù)部件側(cè)保持在卡盤工作臺上，對晶片的背面進(jìn)行磨削而形成為規(guī)定的厚度并且沿著形成有改質(zhì)層的分割預(yù)定線分割成一個(gè)個(gè)的器件。

技術(shù)研發(fā)人員：中村勝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社迪思科
文檔號碼：201610443117
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.20
技術(shù)公布日：2017.01.04