技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種超結(jié)MOS晶體管，其特征在于，包括：外延層，外延層中交替設(shè)有多根P型立柱和多根N型立柱，其中，每相鄰兩根P型立柱之間的區(qū)域?yàn)橐桓鵑型立柱；多個(gè)表面MOS結(jié)構(gòu)，包括：P阱區(qū)、N阱區(qū)、柵氧化層和柵極；其中，每個(gè)表面MOS結(jié)構(gòu)的敏感區(qū)域均與P型立柱的中軸線錯(cuò)位；每個(gè)表面MOS結(jié)構(gòu)的敏感區(qū)域均與N型立柱的中軸線錯(cuò)位；其中，敏感區(qū)域包括：柵氧化層與外延層交界的界面區(qū)域。本發(fā)明提供的晶體管，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中SJ?MOSFET應(yīng)用在空間領(lǐng)域時(shí)，存在易出現(xiàn)SEB和SEGR，導(dǎo)致失效的技術(shù)問(wèn)題。實(shí)現(xiàn)了單粒子輻射加固的效果，進(jìn)而提高器件在空間應(yīng)用時(shí)的可靠性的技術(shù)效果。

技術(shù)研發(fā)人員：孫博韜;王立新;張彥飛;肖超;宋李梅;丁艷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
文檔號(hào)碼：201610542698
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.11
技術(shù)公布日：2016.12.07