1.一種晶體管器件，包括：
具有溝道區(qū)的襯底；
在所述溝道區(qū)上方的柵極電極，其中，在所述柵極電極與所述溝道區(qū)之間提供了柵極電介質(zhì)層，并且在所述柵極電極的側(cè)面上提供了間隔體；以及
設(shè)置于限定在所述襯底中的相應空腔中且與所述溝道區(qū)相鄰的源極區(qū)和漏極區(qū)，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)中的每一個都包括尖端區(qū)，所述尖端區(qū)在對應的一個所述間隔體和所述柵極電介質(zhì)層中的至少一個的下方延伸，其中，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)以及對應的尖端區(qū)包括硼摻雜鍺層，所述硼摻雜鍺層具有：
超過50原子％的鍺濃度；以及
超過1E20cm-3的硼濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進一步包括在所述襯底與所述硼摻雜鍺層之間的緩沖部，其中所述緩沖部包括硼摻雜硅鍺層，所述硼摻雜硅鍺層具有：
被分級為從與所述襯底相容的基準級別濃度到超過95原子％的高濃度的鍺濃度；以及
被分級為從與所述襯底相容的基準級別濃度到超過1E20cm-3的高濃度的硼濃度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中，所述高濃度反映純鍺。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述硼摻雜鍺層具有雙層結(jié)構(gòu)，所述雙層結(jié)構(gòu)包括：
硼摻雜硅鍺部分；以及
位于該硼摻雜硅鍺部分上的硼摻雜鍺帽層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中：
所述硼摻雜硅鍺部分的鍺濃度被分級為從與所述襯底相容的基準級別濃度到超過50原子％的高濃度；并且
所述硼摻雜鍺帽層具有超過95原子％的鍺濃度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述硼摻雜硅鍺部分的硼濃度被分級為從與所述襯底相容的基準級別濃度到超過1E20cm-3的高濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中：
所述硼摻雜硅鍺部分具有固定的鍺濃度；并且
所述器件進一步包括在所述硼摻雜硅鍺部分與所述硼摻雜鍺帽層之間的緩沖部，所述緩沖部具有：
被分級為從與所述硼摻雜硅鍺部分相容的基準級別濃度到超過50原子％的高濃度的鍺濃度；以及
被分級為從與所述硼摻雜硅鍺部分相容的基準級別濃度到超過1E20cm-3的高濃度的硼濃度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述器件是平面或FinFET PMOS晶體管中的一個。
9.一種晶體管器件，包括：
具有溝道區(qū)的襯底；
在所述溝道區(qū)上方的柵極電極，其中，在所述柵極電極與所述溝道區(qū)之間提供了柵極電介質(zhì)層，并且在所述柵極電極的側(cè)面上提供了間隔體；
設(shè)置于限定在所述襯底中的相應空腔中且與所述溝道區(qū)相鄰的源極區(qū)和漏極區(qū)，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)中的每一個都包括尖端區(qū)，所述尖端區(qū)在對應的一個所述間隔體和所述柵極電介質(zhì)層中的至少一個的下方延伸，其中，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)以及相應的尖端區(qū)包括硼摻雜鍺層，所述硼摻雜鍺層具有：
超過50原子％的鍺濃度；以及
超過2E20cm-3的硼濃度；以及
金屬-鍺化物源極接觸部和金屬-鍺化物漏極接觸部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，進一步包括在所述襯底與所述硼摻雜鍺層之間的緩沖部，所述緩沖部具有：
被分級為從與所述襯底相容的基準級別濃度到超過95原子％的高濃度的鍺濃度；以及
被分級為從與所述襯底相容的基準級別濃度到超過2E20cm-3的高濃度的硼濃度。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中，所述硼摻雜鍺層具有雙層結(jié)構(gòu)，所述雙層結(jié)構(gòu)包括：
硼摻雜硅鍺部分；以及
位于該硼摻雜硅鍺部分上的硼摻雜鍺帽層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中：
所述硼摻雜硅鍺部分的鍺濃度被分級為從與所述襯底相容的基準級別濃度到超過50原子％的高濃度；并且
所述硼摻雜鍺帽層具有超過95原子％的鍺濃度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中，所述硼摻雜硅鍺部分的硼濃度被分級為從與所述襯底相容的基準級別濃度到超過2E20cm-3的高濃度。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中：
所述硼摻雜硅鍺部分具有固定的鍺濃度；并且
所述器件進一步包括在所述硼摻雜硅鍺部分與所述硼摻雜鍺帽層之間的薄緩沖部，所述緩沖部具有：
被分級為從與所述硼摻雜硅鍺部分相容的基準級別濃度到超過50原子％的高濃度的鍺濃度；
被分級為從與所述硼摻雜硅鍺部分相容的基準級別濃度到超過2E20cm-3的高濃度的硼濃度；以及
小于100埃的厚度。
15.一種用于形成晶體管器件的方法，包括：
提供具有溝道區(qū)的襯底；
在所述溝道區(qū)上方提供柵極電極，其中，在所述柵極電極與所述溝道區(qū)之間提供柵極電介質(zhì)層，并且在所述柵極電極的側(cè)面上提供間隔體；以及
在限定在所述襯底中的相應空腔中且與所述溝道區(qū)相鄰地設(shè)置源極區(qū)和漏極區(qū)，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)中的每一個都包括尖端區(qū)，所述尖端區(qū)在對應的一個所述間隔體和所述柵極電介質(zhì)層中的至少一個的下方延伸，其中，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)以及相應的尖端區(qū)包括硼摻雜鍺層，所述硼摻雜鍺層具有：
超過50原子％的鍺濃度；以及
超過1E20cm-3的硼濃度。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進一步包括：
在所述襯底與所述硼摻雜鍺層之間提供緩沖部，所述緩沖部具有：
被分級為從與所述襯底相容的基準級別濃度到超過95原子％的高濃度的鍺濃度；以及
被分級為從與所述襯底相容的基準級別濃度到超過1E20cm-3的高濃度的硼濃度。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述硼摻雜鍺層具有雙層結(jié)構(gòu)，所述雙層結(jié)構(gòu)包括：
硼摻雜硅鍺部分；以及
位于該硼摻雜硅鍺部分上的硼摻雜鍺帽層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中：
所述硼摻雜硅鍺部分的鍺濃度被分級為從與所述襯底相容的基準級別濃度到超過50原子％的高濃度；并且
所述硼摻雜鍺帽層具有超過95原子％的鍺濃度。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述硼摻雜硅鍺部分具有固定的鍺濃度，所述方法進一步包括：
在所述硼摻雜硅鍺部分與所述硼摻雜鍺帽層之間提供緩沖部，所述緩沖部具有：
被分級為從與所述硼摻雜硅鍺部分相容的基準級別濃度到超過50原子％的高濃度的鍺濃度；以及
被分級為從與所述硼摻雜硅鍺部分相容的基準級別濃度到超過1E20cm-3的高濃度的硼濃度。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述硼摻雜硅鍺部分的硼濃度被分級為從與所述襯底相容的基準級別濃度到超過1E20cm-3的高濃度。