技術(shù)總結(jié)
公開了用于形成具有高濃度硼摻雜鍺的源極和漏極區(qū)的晶體管器件的技術(shù)。在一些實(shí)施例中，在源極和漏極區(qū)及其對(duì)應(yīng)的尖端區(qū)中使用選擇性外延沉積提供原位硼摻雜鍺，或者可替換地，覆蓋有重硼摻雜鍺層的硼摻雜硅鍺。在一些此類情況下，鍺濃度例如可以超過50原子％，并高達(dá)100原子％，硼濃度例如可以超過1E20cm?3。提供分級(jí)的鍺和/或硼濃度的緩沖部可以用于更好地連接不同的層。在不使尖端陡度降級(jí)的情況下，在外延?金屬分界面的摻雜在鍺中的硼的濃度有效地降低了寄生電阻。這些技術(shù)例如可以體現(xiàn)在平面或非平面晶體管器件中。

技術(shù)研發(fā)人員：A·S·默西;G·A·格拉斯;T·加尼;R·皮拉里塞泰;N·慕克吉;J·T·卡瓦列羅斯;R·科特利爾;W·拉赫馬迪;M·Y·劉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英特爾公司
文檔號(hào)碼：201610552470
技術(shù)研發(fā)日：2011.12.07
技術(shù)公布日：2017.05.17