技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體行業(yè)存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，提供一種基于簇星狀結(jié)構(gòu)聚合物有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器及其制備方法。該存儲(chǔ)器從上至下依次包括源漏電極、有機(jī)半導(dǎo)體層、電荷存儲(chǔ)層和柵絕緣層；其特征在于，采用核殼型簇星狀結(jié)構(gòu)聚合物為電荷存儲(chǔ)層，即簇星狀結(jié)構(gòu)聚合物薄膜層。本發(fā)明采用旋涂法在柵絕緣層基片上制備簇星狀結(jié)構(gòu)的聚合物薄膜層，并將其作為電荷存儲(chǔ)層。本發(fā)明通過采用核殼型簇星狀結(jié)構(gòu)聚合物為電荷存儲(chǔ)層，使其存儲(chǔ)容量、開關(guān)速度和耐受性能力得到很大提升；并且降低了器件制備成本，便于推廣、應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：解令海;徐姣姣;黃維;儀明東;李昊龍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京郵電大學(xué)
文檔號碼：201610615166
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.29
技術(shù)公布日：2016.11.30