技術(shù)總結(jié)
本公開涉及制造集成電路器件的方法。一種集成電路器件可以包括覆蓋鰭形有源區(qū)的頂表面和彼此對立的側(cè)壁的柵絕緣層、覆蓋柵絕緣層的柵電極、以及沿鰭形有源區(qū)和柵絕緣層之間的界面設(shè)置的氫原子層。一種制造集成電路器件的方法可以包括：形成覆蓋初步鰭形有源區(qū)的下部的絕緣層；通過在氫氣氛中退火初步鰭形有源區(qū)的上部形成鰭形有源區(qū)，該鰭形有源區(qū)具有平滑度增大的外表面；以及形成覆蓋鰭形有源區(qū)的外表面的氫原子層。柵絕緣層和柵電極可以被形成為覆蓋鰭形有源區(qū)的頂表面和彼此對立的側(cè)壁。

技術(shù)研發(fā)人員：金元洪;俞東洙;李民主;宋文均;崔戍偵
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
文檔號碼：201610617613
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.29
技術(shù)公布日：2017.02.15