技術特征：

1.一種氮化物發(fā)光二極管，依次包括襯底，N型氮化物，多量子阱以及P型氮化物，其特征在于：在所述P型氮化物和N型氮化物中插入應力控制層/反射層/電磁場發(fā)生層組成的復合結構。

2.根據權利要求1所述的一種氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述反射層用于防止電磁場發(fā)生層和應力控制層材料吸收多量子阱發(fā)出的光。

3.根據權利要求1所述的一種氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述電磁場發(fā)生層隨發(fā)光二極管的電流注入引起電磁感應產生磁場，該磁場的大小受電磁發(fā)生層的磁性材料和注入電流大小控制。

4.根據權利要求1所述的一種氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述P型和N型氮化物中插入應力控制層的位置一一對應，應力控制層材料為磁致彈性材料，受到磁場作用時，晶格常數會發(fā)生改變，從而對多量子阱產生張應力或壓應力。

5.根據權利要求1所述的一種氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述應力控制層的厚度為10~900nm。

6.根據權利要求1所述的一種氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述反射層的材料為Al或DBR或ODR或前述組合。

7.根據權利要求1所述的一種氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述的電磁場發(fā)生層為磁性材料，選用Ni或Co或Mn或FeCo或Fe₃O₄或Cr₂O₃或Fe₂CrSi。

8.根據權利要求7所述的一種氮化物發(fā)光二極管，其特征在于：所述磁性材料的大小為10~900nm。

9.一種氮化物發(fā)光二極管的制作方法，包含以下步驟：

（1）在襯底上依次外延生長緩沖層，N型氮化物，形成第一外延片；

（2）將第一外延片取出反應室，在N型氮化物上蝕刻出第一溝道，然后依次沉積電磁場發(fā)生層，再沉積反射層和磁致彈性材料，形成第一模板；

（3）將第一模板重新放入MOCVD反應室，進行二次外延生長N型氮化物、多量子阱、P型氮化物，形成第二外延片；

（4）將第二外延片取出反應室，蝕刻出第二溝道，然后依次沉積應力控制層、反射層和電磁場發(fā)生層，該溝道與第一溝道的坐標一一對應，形成第二模板；

（5）將第二模板重新放入MOCVD反應室，進行三次外延生長P型氮化物，形成最終的第三外延片。

10.根據權利要求9所述的一種氮化物發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述第一溝道、第二溝道的深度為100~1000nm，長度為1~10μm，寬度為1~10μm 。