本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩、頂發(fā)射AMOLED頂電極及頂發(fā)射AMOLED。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器，也稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄、響應(yīng)速度快，而且易于實現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實現(xiàn)和集成電路驅(qū)動器相匹配、易于實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，因而具有廣闊的應(yīng)用前景。

OLED通常包括：基板、設(shè)于基板上的陽極、設(shè)于陽極上的空穴注入層、設(shè)于空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層、設(shè)于電子傳輸層上的電子注入層、及設(shè)于電子注入層上的陰極。OLED顯示器件的發(fā)光原理為半導(dǎo)體材料和有機(jī)發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光。具體的，OLED器件通常采用ITO像素電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

OLED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

通常AMOLED產(chǎn)品的制備方法為：將OLED器件直接制備在TFT(薄膜晶體管)背板上得到；對于頂發(fā)射AMOLED來說，由于其出光方向與TFT背板不在同一側(cè)，因此可獲得更高的開口率從而制備出高分辨率的AMOLED產(chǎn)品。在頂發(fā)射AMOLED器件中，透明頂電極(陰極)的材質(zhì)及制備工藝對產(chǎn)品的品質(zhì)影響巨大，透明金屬薄膜以其高透過率及高導(dǎo)電性成為目前業(yè)內(nèi)最為常用的頂電極。實際生產(chǎn)中通過全開口的光罩來在顯示面板頂部制備整面的透明導(dǎo)電膜，此種方法雖然能獲得導(dǎo)電率較高的頂電極，但是由于該頂電極的出光效率較低且微共振腔效應(yīng)強(qiáng)，容易影響產(chǎn)品品質(zhì)。

圖1為現(xiàn)有的頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該光罩包括支撐框架100、以及設(shè)于所述支撐框架100內(nèi)部且與其固定連接的掩膜片200，所述掩膜片200上設(shè)有數(shù)個開口區(qū)域210，采用該光罩對一金屬薄膜進(jìn)行光刻時，所述金屬薄膜上分別與所述數(shù)個開口區(qū)域210對應(yīng)的區(qū)域形成間隔設(shè)置的數(shù)塊頂電極，該數(shù)塊頂電極分別為數(shù)個顯示面板的頂電極。這種由整塊電極構(gòu)成的頂電極透光率低，從而使含有該頂電極的AMOLED器件效率低且容易產(chǎn)生視角色偏。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩，結(jié)構(gòu)獨特，采用該光罩制得的頂發(fā)射AMOLED頂電極透光率高。

本發(fā)明的目的在于提供一種頂發(fā)射AMOLED頂電極，透光率高，可有效改善視角色偏并提升器件效率。

本發(fā)明的目的在于提供一種頂發(fā)射AMOLED，含有上述頂發(fā)射AMOLED頂電極，可有效改善視角色偏并提升器件效率。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩，包括支撐框架、設(shè)于所述支撐框架內(nèi)部且與其固定連接的掩膜片、設(shè)于所述掩膜片上的數(shù)個開口區(qū)域、以及設(shè)于每個開口區(qū)域中且間隔平行排列的數(shù)個遮光條，其中，每個開口區(qū)域中的數(shù)個遮光條的兩端均與所述掩膜片相連接。

所述掩膜片的形狀為矩形；所述開口區(qū)域的形狀為矩形；所述掩膜片上設(shè)有四個開口區(qū)域，所述四個開口區(qū)域在所述掩膜片上呈矩陣分布。

每個開口區(qū)域中，所述數(shù)個遮光條的寬度相等，所述數(shù)個遮光條之間的狹縫的寬度相等。

所述遮光條的寬度為10μm～30μm，相鄰兩個遮光條之間的狹縫的寬度為10μm～30μm。

所述支撐框架的材料為不銹鋼或者因瓦合金。

所述掩膜片與遮光條一體成型；所述掩膜片與遮光條的材料均為因瓦合金。

本發(fā)明還提供一種頂發(fā)射AMOLED頂電極，包括間隔平行排列的數(shù)個條形導(dǎo)電膜層。

所述數(shù)個條形導(dǎo)電膜層的寬度相等，所述數(shù)個條形導(dǎo)電膜層之間的狹縫的寬度相等。

所述條形導(dǎo)電膜層的寬度為10μm～30μm，相鄰兩個條形導(dǎo)電膜層之間的狹縫的寬度為10μm～30μm。

本發(fā)明還提供一種頂發(fā)射AMOLED，包括TFT基板、設(shè)于TFT基板上的底電極、設(shè)于底電極上的發(fā)光層、及設(shè)于發(fā)光層上的頂電極；所述頂電極為上述頂發(fā)射AMOLED頂電極。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩，包括具有數(shù)個開口區(qū)域的掩膜片，且每個開口區(qū)域中設(shè)有間隔平行排列的數(shù)個遮光條，采用該光罩制得的頂發(fā)射AMOLED頂電極包括間隔平行排列的數(shù)個條形導(dǎo)電膜層，由于數(shù)個條形導(dǎo)電膜層之間設(shè)有數(shù)個狹縫，且狹縫處的透光率高，因此，與傳統(tǒng)的整塊頂電極相比，本發(fā)明的頂發(fā)射AMOLED頂電極的透光率高，在增強(qiáng)整個頂電極的透光率的同時降低了整個頂電極的反射率，可有效改善視角色偏并提升器件效率。本發(fā)明提供的一種頂發(fā)射AMOLED，含有上述頂發(fā)射AMOLED頂電極，可有效改善視角色偏并提升器件效率。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的頂發(fā)射AMOLED頂電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明的頂發(fā)射AMOLED的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參閱圖2，本發(fā)明提供一種頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩，包括支撐框架10、設(shè)于所述支撐框架10內(nèi)部且與其固定連接的掩膜片20、設(shè)于所述掩膜片20上的數(shù)個開口區(qū)域21、以及設(shè)于每個開口區(qū)域21中且間隔平行排列的數(shù)個遮光條30，其中，每個開口區(qū)域21中的數(shù)個遮光條30的兩端均與所述掩膜片20相連接。

具體的，在圖2所示的實施例中，所述掩膜片20的形狀為矩形；所述開口區(qū)域21的形狀為矩形；所述掩膜片20上設(shè)有四個開口區(qū)域21，所述四個開口區(qū)域21在所述掩膜片20上呈矩陣分布。

具體的，每個開口區(qū)域21中，所述數(shù)個遮光條30的寬度相等，所述數(shù)個遮光條30之間的狹縫的寬度相等。

優(yōu)選的，所述遮光條30的寬度為10μm～30μm，相鄰兩個遮光條30之間的狹縫的寬度為10μm～30μm。

具體的，所述支撐框架10的材料為不銹鋼或者因瓦合金(invar)。

優(yōu)選的，所述掩膜片20與遮光條30的材料相同，二者為一體成型。

優(yōu)選的，所述掩膜片20與遮光條30的材料均為因瓦合金。

采用圖2所示的光罩對一導(dǎo)電薄膜進(jìn)行光刻時，所述導(dǎo)電薄膜上與該數(shù)個開口21對應(yīng)的區(qū)域分別形成數(shù)個間隔設(shè)置的頂電極，其中，每個頂電極包括間隔平行排列的數(shù)個條形導(dǎo)電膜層，每個條形導(dǎo)電膜層對應(yīng)所述光罩上的相鄰兩個遮光條30之間的一個狹縫形成；該數(shù)個頂電極分別為數(shù)個顯示面板的頂電極。

請參閱圖3，基于上述光罩，本發(fā)明還提供一種頂發(fā)射AMOLED頂電極，包括間隔平行排列的數(shù)個條形導(dǎo)電膜層40。

具體的，所述數(shù)個條形導(dǎo)電膜層40的寬度相等，所述數(shù)個條形導(dǎo)電膜層40之間的狹縫的寬度相等。

優(yōu)選的，所述條形導(dǎo)電膜層40的寬度為10μm～30μm，相鄰兩個條形導(dǎo)電膜層40之間的狹縫的寬度為10μm～30μm。

具體的，所述條形導(dǎo)電膜層40的材料為金屬，優(yōu)選為銀。

上述頂發(fā)射AMOLED頂電極，具有數(shù)個狹縫區(qū)域，由于狹縫處的透光率高，因此，與傳統(tǒng)的整塊頂電極相比，本發(fā)明的頂發(fā)射AMOLED頂電極透光率高，在增強(qiáng)整個頂電極的透光率的同時降低了整個頂電極的反射率，可有效改善視角色偏并提升器件效率。

請參閱圖4，同時參閱圖3，本發(fā)明還提供一種頂發(fā)射AMOLED，包括TFT基板50、設(shè)于TFT基板50上的底電極60、設(shè)于底電極60上的發(fā)光層70、及設(shè)于發(fā)光層70上的頂電極80；所述頂電極80為如圖3所示的頂發(fā)射AMOLED頂電極，其結(jié)構(gòu)和材料如上文所述，此處不再描述。

具體的，所述底電極60與頂電極80分別為所述頂發(fā)射AMOLED的陽極與陰極。

上述頂發(fā)射AMOLED，通過將頂電極80設(shè)置為具有數(shù)個狹縫的形狀，使得整個頂電極80的透光率高且反射率低，可有效改善視角色偏并提升器件效率。

綜上所述，本發(fā)明提供一種頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩、頂發(fā)射AMOLED頂電極及頂發(fā)射AMOLED。本發(fā)明的頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩，包括具有數(shù)個開口區(qū)域的掩膜片，且每個開口區(qū)域中設(shè)有間隔平行排列的數(shù)個遮光條，采用該光罩制得的頂發(fā)射AMOLED頂電極包括間隔平行排列的數(shù)個條形導(dǎo)電膜層，由于數(shù)個條形導(dǎo)電膜層之間設(shè)有數(shù)個狹縫，且狹縫處的透光率高，因此，與傳統(tǒng)的整塊頂電極相比，本發(fā)明的頂發(fā)射AMOLED頂電極的透光率高，在增強(qiáng)整個頂電極的透光率的同時降低了整個頂電極的反射率，可有效改善視角色偏并提升器件效率。本發(fā)明的頂發(fā)射AMOLED，含有上述頂發(fā)射AMOLED頂電極，可有效改善視角色偏并提升器件效率。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。