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      頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩、頂發(fā)射AMOLED頂電極及頂發(fā)射AMOLED的制作方法

      文檔序號(hào):12370675閱讀:來源:國知局
      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明提供一種頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩、頂發(fā)射AMOLED頂電極及頂發(fā)射AMOLED。本發(fā)明的頂發(fā)射AMOLED頂電極光罩,包括具有數(shù)個(gè)開口區(qū)域的掩膜片,且每個(gè)開口區(qū)域中設(shè)有間隔平行排列的數(shù)個(gè)遮光條,采用該光罩制得的頂發(fā)射AMOLED頂電極包括間隔平行排列的數(shù)個(gè)條形導(dǎo)電膜層,由于數(shù)個(gè)條形導(dǎo)電膜層之間設(shè)有數(shù)個(gè)狹縫,且狹縫處的透光率高,因此,與傳統(tǒng)的整塊頂電極相比,本發(fā)明的頂發(fā)射AMOLED頂電極的透光率高,在增強(qiáng)整個(gè)頂電極的透光率的同時(shí)降低了整個(gè)頂電極的反射率,可有效改善視角色偏并提升器件效率。本發(fā)明的頂發(fā)射AMOLED,含有上述頂發(fā)射AMOLED頂電極,可有效改善視角色偏并提升器件效率。

      技術(shù)研發(fā)人員:姜亮;李金川;吳聰原
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:深圳市華星光電技術(shù)有限公司
      文檔號(hào)碼:201610828109
      技術(shù)研發(fā)日:2016.09.18
      技術(shù)公布日:2017.01.04

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