1.一種防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法，其特征在于，在外延生長之前，先在襯底側(cè)面形成氧化膜，然后再進行外延生長。
2.如權(quán)利要求1所述的防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法，其特征在于：所述襯底側(cè)面氧化膜，在外延生長時能避免襯底中的雜質(zhì)從側(cè)壁向外擴散。
3.如權(quán)利要求1所述的防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法，其特征在于：包含如下步驟：
第1步，將背面具有背封氧化層的襯底進行氧化膜生長；
第2步，對襯底正面氧化膜進行刻蝕。
4.如權(quán)利要求3所述的防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法，其特征在于：所述第1步的襯底為重摻雜的襯底，氧化膜在襯底的正面及側(cè)面生長，和背面的背封氧化層一起將襯底包裹。
5.如權(quán)利要求3所述的防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法，其特征在于：所述第2步，將襯底正面的氧化膜刻蝕掉，側(cè)面氧化膜保留。
6.如權(quán)利要求3所述的防止襯底雜質(zhì)外擴散的方法，其特征在于：所述第2步，刻蝕采用干法刻蝕，或者干法刻蝕加濕法刻蝕；當使用干法刻蝕加濕法刻蝕時，濕法刻蝕的量必須小于氧化膜生長的厚度。