技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種防止襯底雜質(zhì)外擴(kuò)散的方法，是在外延生長之前，先在襯底側(cè)面形成氧化膜，然后再進(jìn)行外延生長。具體包含：第1步，將背面具有背封氧化層的襯底進(jìn)行氧化膜生長；第2步，對(duì)襯底正面氧化膜進(jìn)行刻蝕。本發(fā)明通過在襯底側(cè)面形成氧化膜的包裹，在外延生長時(shí)能避免襯底中的雜質(zhì)從側(cè)壁向外擴(kuò)散而導(dǎo)致硅片邊緣管芯電特性不穩(wěn)定的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：叢茂杰;康志瀟
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
文檔號(hào)碼：201610874737
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.30
技術(shù)公布日：2016.12.21