1.一種功率半導體芯片，其特征在于，所述功率半導體芯片具有半導體部件主體(2)并且具有多層金屬化部(10)，所述多層金屬化部(10)布置在半導體部件主體(2)上并且具有布置在半導體部件主體(2)上方的鎳層(6)。
2.根據(jù)權利要求1所述的功率半導體芯片，其特征在于，所述金屬化部(10)具有布置在所述半導體部件主體(2)上的含鋁的第一金屬層(3)，所述鎳層(6)布置在第一金屬層(3)上。
3.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的功率半導體芯片，其特征在于，所述金屬化部(10)具有第二金屬層(4)以及第三金屬層(5)，所述第二金屬層(4)為鉻層、鈮層或釩層的形式，所述第三金屬層(5)布置在所述第二金屬層(4)上并且為銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層的形式，所述鎳層(6)布置在所述第三金屬層(5)上。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的功率半導體芯片，其特征在于，所述金屬化部(10)具有第二金屬層(4)、中間層以及第三金屬層(5)，所述第二金屬層(4)為鉻層、鈮層或釩層的形式，所述中間層布置在所述第二金屬層(4)上并且由鎳、鈦、氮化鈦、鎢或氮化鎢構(gòu)成，所述第三金屬層(5)布置在所述中間層(13)上并且為銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層的形式，所述鎳層(6)布置在所述第三金屬層(5)上。
5.根據(jù)權利要求4所述的功率半導體芯片，其特征在于，所述中間層(13)具有200nm至3000nm的厚度。
6.根據(jù)權利要求3至5中任一項所述的功率半導體芯片，其特征在于，所述第二金屬層(4)具有10nm至100nm的厚度。
7.根據(jù)權利要求3至6中任一項所述的功率半導體芯片，其特征在于，所述第三金屬層(5)具有100nm至2000nm的厚度。
8.根據(jù)權利要求3至7中任一項所述的功率半導體芯片，其特征在于，所述金屬化部(10)具有布置在所述半導體部件主體(2)上的含鋁的第一金屬層(3)以及所述第二金屬層(4)布置在所述第一金屬層(3)上。
9.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的功率半導體芯片，其特征在于，所述金屬化部(10)具有布置在所述鎳層(6)上的鈀層(7)。
10.根據(jù)權利要求9所述的功率半導體芯片，其特征在于，所述金屬化部(10)具有布置在所述鈀層(7)上的金層(8)。
11.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的功率半導體芯片，其特征在于，所述金屬化部(10)具有布置在所述鎳層(6)上的金層(8)。
12.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的功率半導體芯片，其特征在于，所述鎳層(6)具有至少5μm的厚度。
13.一種功率半導體器件，其特征在于，所述功率半導體器件具有根據(jù)前述權利要求中任一項所述的功率半導體芯片(1)，并具有銅線(11)，所述銅線(11)被鍵合到所述金屬化部(10)的所述鎳層、更具體地被超聲鍵合到所述金屬化部(10)的所述鎳層(6)，所述銅線(11)的銅與所述鎳層(6)的鎳接觸。
14.一種用于制造功率半導體芯片(1)的方法，其包括以下方法步驟：
a)提供半導體部件主體(2)；
b)將含鋁的第一金屬層(3)施加到所述半導體部件主體(2)；
c)將為鉻層、鈮層或釩層形式的第二金屬層(4)施加到所述第一金屬層(3)，以及將為銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層形式的第三金屬層(5)施加到所述第二金屬層(4)，以及通過基于電流的電鍍將鎳層(6)施加到所述第三金屬層(5)，或者將為鉻層、鈮層或釩層形式的第二金屬層(4)施加到所述第一金屬層(3)，以及將由鎳、鈦、氮化鈦、鎢或氮化鎢構(gòu)成的中間層(13)施加到所述第二金屬層(4)，以及將為銅層、銀層、鈀層、鐵層或鋅層形式的第三金屬層(5)施加到所述中間層，以及通過基于電流的電鍍將鎳層(6)施加到所述第三金屬層(5)；或者，
d)通過基于電流的電鍍將鎳層(6)施加到所述第一金屬層(3)。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，包括在方法步驟c)或d)之后的以下方法步驟：
e)將鈀層(7)施加到所述鎳層(5)。
16.根據(jù)權利要求15所述的方法，包括在方法步驟e)之后的以下方法步驟：
f)將金層(8)施加到所述鈀層(7)。
17.根據(jù)權利要求14所述的方法，包括在方法步驟c)或d)之后的以下方法步驟：
g)將金層(8)施加到所述鎳層(6)。
18.一種用于制造功率半導體器件(9)的方法，所述方法包括根據(jù)權利要求14至17中任一項所述的用于制造功率半導體芯片(1)的方法，所述用于制造功率半導體器件(9)的方法包括以下在用于制造功率半導體芯片(1)的方法之后發(fā)生的進一步的方法步驟，在用于制造功率半導體芯片的方法中施加的層、更具體是金屬層，一起形成金屬化部(10)：
h)將銅線(11)鍵合到所述金屬化部(10)的所述鎳層(6)、更具體地超聲鍵合到所述金屬化部(10)的所述鎳層(6)，所述銅線(11)的銅與所述鎳層(6)的鎳接觸。