技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體芯片，其具有半導(dǎo)體部件主體(2)并且具有多層金屬化部(10)，所述金屬化部(10)布置在半導(dǎo)體部件主體(2)上并且具有布置在半導(dǎo)體部件主體(2)上方的鎳層(6)。本發(fā)明還涉及用于制造功率半導(dǎo)體芯片(1)的方法。本發(fā)明還涉及功率半導(dǎo)體器件。本發(fā)明提供功率半導(dǎo)體芯片(1)，其具有金屬化部(10)，在鍵合期間不設(shè)置有厚金屬覆蓋層的銅線(11)能夠可靠地鍵合到所述金屬化部(10)，而不損壞功率半導(dǎo)體芯片(1)。

技術(shù)研發(fā)人員：W·M·舒爾茨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：賽米控電子股份有限公司
文檔號碼：201611035382
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.18
技術(shù)公布日：2017.05.31