技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種制造N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管器件的方法，包括：（1）提供絕緣體上硅（SOI），所述絕緣體上硅為P型硅且具有背離掩埋氧化層的表面；（2）在所述表面刻蝕出剖面為直角三角形或楔形的凹入部分；（3）沉積柵極氧化物材料填充所述凹入部分并從所述表面突出一定的距離形成具有嵌入部分的柵極氧化物層，在柵極氧化物層上鍍上鋁柵極，柵極氧化物層和鋁柵極構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)；（4）在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)分別形成漏區(qū)和源區(qū)，所述漏區(qū)與柵極結(jié)構(gòu)的距離較所述源區(qū)與柵極結(jié)構(gòu)的距離大，并且所述嵌入部分的嵌入深度由漏區(qū)向源區(qū)依次遞減。

技術(shù)研發(fā)人員：王漢清
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南通沃特光電科技有限公司
文檔號(hào)碼：201611038091
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.23
技術(shù)公布日：2017.05.31