1.一種隔離型LDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括集成在同一P型襯底(5)基片上的隔離槽結(jié)構(gòu)和LDMOS結(jié)構(gòu)；
所述隔離槽結(jié)構(gòu)位于P型襯底(5)及其上方的N型外延層(6)內(nèi)、LDMOS結(jié)構(gòu)的第二P型重?fù)诫s區(qū)(11)和第一P型擴(kuò)散阱區(qū)(7)之間，隔離槽結(jié)構(gòu)包括至少一個槽(2)、槽(2)內(nèi)部的填充介質(zhì)、槽(2)底部的第一P區(qū)(1)、槽(2)邊緣的第一氧化層(3)，所述第一氧化層(3)用于隔離槽(2)內(nèi)部的填充介質(zhì)與槽(2)外部的半導(dǎo)體硅材料，槽(2)上表面為LDMOS的第三氧化層(14)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離型LDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LDMOS結(jié)構(gòu)是Single-RESURF LDMOS、Double RESURF LDMOS、Triple RESURF LDMOS、Multiple RESURF LDMOS、3D RESURF LDMOS、SJ LDMOS其中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的隔離型LDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LDMOS結(jié)構(gòu)包括P型襯底(5)、N型外延層(6)、第一P型擴(kuò)散阱區(qū)(7)、第二P型擴(kuò)散阱區(qū)(18)、第二P區(qū)(4)、第一P型重?fù)诫s區(qū)(8)、第二P型重?fù)诫s區(qū)(11)、第一N型重?fù)诫s區(qū)(9)、第二N型重?fù)诫s區(qū)(10)、第二氧化層(12)、第三氧化層(14)、柵極(13)、源極(15)、漏極(16)、襯底電極(17)、體區(qū)電極(19)；
所述N型外延層(6)、第二P型擴(kuò)散阱區(qū)(18)位于P型襯底(5)上方并分別在隔離槽結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，所述第一P型擴(kuò)散阱區(qū)(7)、第二P區(qū)(4)、第二N型重?fù)诫s區(qū)(10)都位于N型外延層(6)內(nèi)且其上表面都與N型外延層(6)的上表面平齊，第二P區(qū)(4)位于P型擴(kuò)散阱區(qū)(7)和第二N型重?fù)诫s區(qū)(10)之間，所述第一P型重?fù)诫s區(qū)(8)、第一N型重?fù)诫s區(qū)(9)位于第一P型擴(kuò)散阱區(qū)(7)內(nèi)且其上表面都與P型擴(kuò)散阱區(qū)(7)上表面平齊；所述第二P型重?fù)诫s區(qū)(11)位于第二P型擴(kuò)散阱區(qū)(18)內(nèi)且其上表面與第二P型擴(kuò)散阱區(qū)(18)上表面平齊，所述第三氧化層(14)位于第一P型擴(kuò)散阱區(qū)(7)和第二N型重?fù)诫s區(qū)(10)之間并覆蓋N型外延層(6)、第二P區(qū)(4)的表面，所述第二氧化層(12)位于第一N型重?fù)诫s區(qū)(9)和第三氧化層(14)之間并覆蓋第一P型擴(kuò)散阱區(qū)(7)的表面，所述柵極(13)位于第二氧化層(12)上表面，所述源極(15)連接第一N型重?fù)诫s區(qū)(9)電位，所述漏極(16)連接第二N型重?fù)诫s區(qū)(10)電位，所述襯底電極(17)連接第二P型重?fù)诫s區(qū)(11)電位，所述體區(qū)電極(19)連接第一P型重?fù)诫s區(qū)(8)電位。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離型LDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述槽(2)的深度大于N型外延層(6)的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的隔離型LDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述槽(2)的深度大于N型外延層(6)的厚度1μm～3μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離型LDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述槽(2)底部注入P型雜質(zhì)的劑量大于1012cm-2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離型LDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述槽(2)的形狀是條形、梯形、倒梯形、階梯形其中的一種或多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離型LDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：第一P區(qū)(1)的橫向長度和P型襯底(5)的橫向長度相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離型LDMOS結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述器件中各摻雜類型相應(yīng)變?yōu)橄喾吹膿诫s類型，即P型摻雜變?yōu)镹型摻雜的同時(shí)，N型摻雜變?yōu)镻型摻雜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的隔離型LDMOS結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括以下步驟：
步驟1：采用P型硅片作為襯底；
步驟2：在襯底部分表面注入P型雜質(zhì)形成第一P區(qū)，或者第一P區(qū)在形成隔離槽、槽側(cè)壁及底部氧化之后，填充槽介質(zhì)之前注入形成；
步驟3：外延形成N型外延層；
步驟4：形成隔離槽、槽側(cè)壁及底部氧化；
步驟5：填充槽介質(zhì)；
步驟6：LDMOS制造流程。