本發(fā)明實(shí)施例涉及連接件結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

不夸張的說(shuō)，現(xiàn)代集成電路由數(shù)百萬(wàn)個(gè)諸如晶體管和電容器的有源器件構(gòu)成。最初這些器件相互隔離，但是，隨后互連在一起以形成功能電路。典型的互連部件包括諸如金屬線(xiàn)(布線(xiàn))的橫向互連件和諸如通孔和接觸件的垂直互連件?；ミB件越來(lái)越多地決定了現(xiàn)代集成電路的性能和密度的限制。接合焊盤(pán)形成在互連件頂部并且暴露在相應(yīng)的芯片的表面上。通過(guò)接合焊盤(pán)以將芯片連接至封裝襯底或另一管芯制作電互連件接合焊盤(pán)可以用于引線(xiàn)接合或倒裝芯片接合。倒裝芯片封裝使用凸塊以在芯片的輸入/輸出(i/o)焊盤(pán)和封裝件的襯底或引線(xiàn)框架之間建立電接觸。凸塊在結(jié)構(gòu)上實(shí)際包括凸塊本身和位于凸塊和i/o焊盤(pán)之間的凸塊下金屬(ubm)。在一些封裝工藝期間，也使用更小尺寸的凸塊在芯片的i/o焊盤(pán)和其他諸如小尺寸芯片或離散器件的i/o焊盤(pán)之間建立電接觸。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種形成連接件結(jié)構(gòu)的方法，包括：在工件上形成第一圖案化的鈍化層，所述第一圖案化的鈍化層具有暴露所述工件的導(dǎo)電部件的第一開(kāi)口；在所述第一圖案化的鈍化層上方及所述第一開(kāi)口中形成晶種層；在所述晶種層上方形成圖案化的掩模層，所述圖案化的掩模層具有暴露所述晶種層的第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口與所述第一開(kāi)口重疊；在所述第二開(kāi)口中形成連接件；部分地去除所述圖案化的掩模層，所述圖案化的掩模層的未去除的部分保留在所述第一開(kāi)口中；以及使用所述圖案化的掩模層的所述未去除的部分作為掩模來(lái)圖案化所述晶種層。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，還提供了一種形成連接件結(jié)構(gòu)的方法，包括：在工件上沉積具有第一開(kāi)口的第一圖案化的鈍化層，所述第一開(kāi)口暴露所述工件的導(dǎo)電部件；在所述第一圖案化的鈍化層上方以及沿著所述第一開(kāi)口的底部和側(cè)壁沉積保護(hù)層；在所述第一圖案化的鈍化層上方沉積具有第二開(kāi)口的第二圖案化的鈍化層，所述第二開(kāi)口暴露所述第一開(kāi)口，所述第二開(kāi)口和所述第一開(kāi)口形成組合的開(kāi)口；在所述第二圖案化的鈍化層上方以及所述組合的開(kāi)口中沉積晶種層；在所述第二圖案化的鈍化層上方以及所述組合的開(kāi)口中沉積具有第三開(kāi)口的圖案化的掩模層，所述第三開(kāi)口暴露所述晶種層，所述第三開(kāi)口位于所述組合的開(kāi)口內(nèi)；在所述第三開(kāi)口中沉積導(dǎo)電材料以在所述第三開(kāi)口中形成連接件；蝕刻所述圖案化的掩模層直到暴露所述晶種層的最高表面，位于所述組合的開(kāi)口中的所述晶種層的至少部分被所述圖案化的掩模層的剩余部分保護(hù)；使用所述圖案化的掩模層的所述剩余部分作為蝕刻掩模來(lái)蝕刻所述晶種層的暴露部分；以及蝕刻所述圖案化的掩模層的所述剩余部分。

根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，還提供了一種連接件結(jié)構(gòu)，包括：集成電路管芯，具有第一鈍化層，所述第一鈍化層具有位于所述第一鈍化層中的第一開(kāi)口；導(dǎo)電部件，位于所述集成電路管芯上，通過(guò)所述第一開(kāi)口暴露所述導(dǎo)電部件的至少部分；晶種層，位于所述導(dǎo)電部件上；以及連接件，位于所述晶種層上，所述晶種層的寬度大于所述連接件的寬度。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)當(dāng)注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件并非按比例繪制。事實(shí)上，為了清楚討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意增大或減小。

圖1a至圖7b是根據(jù)一些實(shí)施例的在集成電路管芯上制造連接件結(jié)構(gòu)期間的各個(gè)處理步驟的頂視圖和截面圖。

圖8a和圖8b是根據(jù)一些實(shí)施例的使用連接件結(jié)構(gòu)將多個(gè)離散器件連接至集成電路管芯的頂視圖和截面圖。

圖9是根據(jù)一些實(shí)施例的在集成電路管芯上形成連接件結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為了實(shí)施本發(fā)明的不同部件，以下公開(kāi)提供了許多不同的實(shí)施例或?qū)嵗?。在下面描述元件和布置的特定?shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然這些僅僅是實(shí)例并不旨在限定本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實(shí)施例，也可以包括在第一部件和第二部件之間形成額外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。而且，本發(fā)明在各個(gè)實(shí)例中可重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)僅是為了簡(jiǎn)明和清楚，其自身并不表示所論述的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

此外，為便于描述，在此可以使用諸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)元件或部件的關(guān)系。空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包括除了附圖中所示的方位之外，在使用中或操作中的器件的不同方位。裝置可以以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且通過(guò)在本文中使用的空間關(guān)系描述符可同樣地作相應(yīng)地解釋。

參照具體環(huán)境中的各個(gè)實(shí)施例，即集成電路管芯的連接件結(jié)構(gòu)及其形成方法來(lái)進(jìn)行描述。此外，下文中也提供了使用連接件結(jié)構(gòu)將一個(gè)或多個(gè)離散器件接合至集成電路管芯的方法。在具體地描述所示出的實(shí)施例之前，通常描述本發(fā)明公開(kāi)的實(shí)施例的特定優(yōu)勢(shì)特征和各方面。下文描述的各個(gè)實(shí)施例允許最小化或消除連接件結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的集成電路管芯的接觸焊盤(pán)之間的底切形成。通過(guò)控制底切形成，可以降低或避免諸如連接件結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的集成電路管芯的接觸焊盤(pán)之間形成裂痕的連接件結(jié)構(gòu)的失敗。由于底切形成的原因，細(xì)間距和尺寸的連接件結(jié)構(gòu)更傾向于失敗，下文描述的各個(gè)實(shí)施例特別有利于細(xì)間距和尺寸的連接件結(jié)構(gòu)的形成。

圖1a至圖7是根據(jù)一些實(shí)施例的在集成電路管芯上制造連接件結(jié)構(gòu)期間的各個(gè)工藝步驟的頂視圖和截面圖，其中，“a”圖代表頂視圖且“b”圖代表沿著相應(yīng)的“a”圖的b-b’線(xiàn)截取的截面圖。

首先參考圖1a和圖1b，示出了通過(guò)劃線(xiàn)103(還稱(chēng)為切割線(xiàn)或切割區(qū))隔開(kāi)的具有管芯區(qū)101的工件100的部分。如下文更詳細(xì)地描述的，將沿著劃線(xiàn)103切割工件100以形成單個(gè)的集成電路管芯(諸如圖7a和圖7b中示出的集成電路管芯701)。在一些實(shí)施例中，工件100包括襯底105、位于襯底105上的一個(gè)或多個(gè)有源和/或無(wú)源器件107以及位于襯底105上方的一個(gè)或多個(gè)金屬化層109和一個(gè)或多個(gè)有源/或無(wú)源器件107。在一些實(shí)施例中，襯底105可由硅形成，盡管它還可由諸如硅、鍺、鎵、砷的其他第iii族、第iv族和/或第v族元素及其組合形成。襯底105還可為絕緣體上硅(soi)的形式。soi襯底可包括在絕緣體層(例如，隱埋氧化物等)上方形成的半導(dǎo)體材料層(例如，硅、鍺等)，所述半導(dǎo)體材料層在硅襯底上形成。此外，可使用的其他襯底包括多層襯底、梯度襯底、混合取向襯底、其任意組合等。在其他實(shí)施例中，襯底105可包括諸如氧化硅、氧化鋁等的介電材料或其組合。

在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)有源和/或無(wú)源器件107可以包括諸如晶體管、電容器、電阻器、二極管、光電二極管、熔絲等的各種n型金屬氧化物半導(dǎo)體(nmos)和/或p型金屬氧化物半導(dǎo)體(pmos)器件。一個(gè)或多個(gè)金屬化層109可包括在襯底105上方形成的層間介電層(ild)/金屬間介電層(imd)(未單獨(dú)示出)。例如，可通過(guò)諸如旋轉(zhuǎn)涂布方法、化學(xué)汽相沉積(cvd)、等離子體增強(qiáng)cvd(pecvd)等或其組合的本領(lǐng)域已知的任何合適的方法，由諸如磷硅酸鹽玻璃(psg)、硼磷硅酸鹽玻璃(bpsg)、fsg、sioxcy、旋涂玻璃、旋涂聚合物,碳化硅材料、其混合物、其復(fù)合物、其組合等的低-k介電材料形成ild/imd。在一些實(shí)施例中，例如，可使用鑲嵌工藝、雙鑲嵌工藝等在ild/imd中形成諸如導(dǎo)電線(xiàn)和通孔的互連結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)可包括銅、銅合金、銀、金、鎢、鉭、鋁等。在一些實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)可在襯底105上形成的一個(gè)或多個(gè)有源和/或無(wú)源器件107之間提供電連接。

在一些實(shí)施例中，在一個(gè)或多個(gè)金屬化層109上方形成多個(gè)導(dǎo)電部件111。在所示的實(shí)施例中，導(dǎo)電部件111是如圖1b中所示的一個(gè)或多個(gè)金屬化層109的最頂部的導(dǎo)電線(xiàn)和/或通孔。在其他實(shí)施例中，導(dǎo)電部件111可以是形成在一個(gè)或多個(gè)金屬化層109上的接觸焊盤(pán)以及可以通過(guò)一個(gè)或多個(gè)金屬化層109的各個(gè)互連結(jié)構(gòu)電連接至一個(gè)或多個(gè)有源和/或無(wú)源器件107。在一些實(shí)施例中，接觸焊盤(pán)可包括諸如鋁、銅、鎢、銀、金等的導(dǎo)電材料或它們的組合。在一些實(shí)施例中，例如，可使用物理汽相沉積(pvd)、原子層沉積(ald)、電化學(xué)鍍、化學(xué)鍍等或它們的組合在一個(gè)或多個(gè)金屬化層109上方形成導(dǎo)電材料。隨后，將導(dǎo)電材料圖案化以形成接觸焊盤(pán)。在一些實(shí)施例中，可使用合適的光刻和蝕刻技術(shù)將導(dǎo)電材料圖案化。如下文更詳細(xì)地描述的，在導(dǎo)電部件111上將形成連接件結(jié)構(gòu)并將其電連接至導(dǎo)電部件111。

進(jìn)一步參照?qǐng)D1a和圖1b，在一些實(shí)施例中，第一鈍化層113形成在襯底105和導(dǎo)電部件111上方。在一些實(shí)施例中，第一鈍化層113可包括諸如聚苯并惡唑(pbo)、聚酰亞胺(pi)、苯并環(huán)丁烯(bcb)等的可光圖案化介電材料的一個(gè)或多個(gè)層，并且可使用旋轉(zhuǎn)涂布工藝等形成?？墒褂门c光刻膠材料類(lèi)似的光刻方法容易地將這種可光圖案化介電材料圖案化。在其他實(shí)施例中，第一鈍化層113可包括諸如氮化硅、氧化硅、磷硅酸鹽玻璃(psg)、硼硅酸鹽玻璃(bsg)、硼摻雜磷硅酸鹽玻璃(bpsg)等的非可光圖案化介電材料的一個(gè)或多個(gè)層，并且可使用(cvd)、pvd、ald、旋轉(zhuǎn)涂布工藝等或其組合形成第一鈍化層113。

在第一鈍化層113中形成開(kāi)口以暴露導(dǎo)電部件111。在一些實(shí)施例中，其中，第一鈍化層113由可光圖案化介電材料形成，可使用與光刻膠材料類(lèi)似的光刻方法將第一鈍化層113圖案化。在其他實(shí)施例中，其中，第一鈍化層113由非可光圖案化介電材料形成，在第一鈍化層113上方形成光刻膠材料(未示出)。隨后，輻照(曝光)和顯影光刻膠材料以去除光刻膠材料的部分。隨后，例如，使用適當(dāng)?shù)奈g刻工藝去除第一鈍化層113的暴露部分以形成開(kāi)口。在一些實(shí)施例中，其中，第一鈍化層113由氧化硅形成，例如，使用緩沖的氫氟酸(hf)蝕刻第一鈍化層113。在一些實(shí)施例中，其中，第一鈍化層113由氮化硅形成，例如，使用熱磷酸(h3po4)蝕刻第一鈍化層113。隨后，例如，可使用灰化工藝和隨后的濕清洗工藝將光刻膠材料去除。在一些實(shí)施例中，第一鈍化層113的厚度介于約0.6μm和約1.2μm之間。

在一些實(shí)施例中，保護(hù)層115形成在第一鈍化層113上方和第一鈍化層113的開(kāi)口中。例如，保護(hù)層115保護(hù)導(dǎo)電部件111免受諸如氧化的有害工藝。例如，在一些實(shí)施例中，保護(hù)層115可以包括諸如tan的金屬氮化物并且可以使用cvd、pvd、ald等或它們的組合來(lái)形成。在一些實(shí)施例中，保護(hù)層115的厚度介于約0.06μm和約0.2μm之間。在一些實(shí)施例中，可以圖案化保護(hù)層115以避免導(dǎo)電部件111的短路。在一些實(shí)施例中，保護(hù)層115的位于如圖1b中所示的導(dǎo)電部件111上方的部分沒(méi)有與保護(hù)層115的形成在圖1a中所示的其它導(dǎo)電部件111上方的其它部分電接觸。因此，圖案化的保護(hù)層115沒(méi)有將導(dǎo)電部件111彼此電連接。在一些實(shí)施例中，可以使用合適的光刻方法圖案化保護(hù)層115。

在一些實(shí)施例中，第二鈍化層117形成在保護(hù)等115上方并圖案化第二鈍化層117以暴露保護(hù)層115的形成于第一鈍化層113中的開(kāi)口的底部和側(cè)壁上的部分。在一些實(shí)施例中，可使用與第一鈍化層113類(lèi)似的材料和方法形成和圖案化第二鈍化層117，并且本文不再贅述。如圖1a和圖1b所示，在第一鈍化層113中的開(kāi)口和第二鈍化層117中的開(kāi)口形成組合的開(kāi)口119，保護(hù)層115部分內(nèi)襯于組合的開(kāi)口119。在一些實(shí)施例中，開(kāi)口119具有在約3μm和約4μm之間的高度h1和在約20μm和約30μm之間的寬度w1。在所示的實(shí)施例中，開(kāi)口的位于第二鈍化層117中的側(cè)壁與開(kāi)口的位于第一鈍化層113中的相應(yīng)的側(cè)壁對(duì)齊。在所示的實(shí)施例中，開(kāi)口的位于第二鈍化層117中的側(cè)壁與開(kāi)口的位于第一鈍化層113中的相應(yīng)的側(cè)壁偏移。

在一些實(shí)施例中，在工件100上實(shí)施隨后的工藝步驟之前，清洗保護(hù)層115和第二鈍化層117的暴露的表面。表面清洗工藝可以包括與保護(hù)層115和第二鈍化層117的暴露的表面直接接觸或不直接接觸的諸如rca清洗、低溫清洗、機(jī)械擦拭和洗滌、在氣體、等離子體或液體中的蝕刻、超聲波和超音波清洗、激光清洗等的方法。

參考圖2a以及圖2b，在第二鈍化層117上方以及在開(kāi)口119的底部和側(cè)壁上形成晶種層201。晶種層201可包括一個(gè)或多個(gè)銅、鈦、鎳、金等或其組合的層，并且可使用電化學(xué)鍍工藝、ald、pvd、濺射等或其組合形成晶種層201。在一些實(shí)施例中，晶種層201可包括形成在具有約0.05μm到約0.5μm之間的厚度的鈦層上方的具有約0.05μm到約0.5μm之間的厚度的銅層。如下文更詳細(xì)地描述的連接件形成在位于開(kāi)口119中的晶種層上并電連接至該晶種層。

參考圖3a以及圖3b，在一些實(shí)施例中，在晶種層201上方形成光刻膠層301并將其圖案化以在相應(yīng)的開(kāi)口119中形成開(kāi)口303?？蛇x地，可以使用其他合適的掩模材料替代光刻膠層301。在一些實(shí)施例中，可以使用旋涂方法等形成光刻膠層301。由于不平坦的形貌，光刻膠層301的厚度根據(jù)其所在的位置而改變。在一些實(shí)施例中，光刻膠層301具有位于第二鈍化層117上方的第一厚度t1和位于開(kāi)口119內(nèi)的第二厚度t2，從而第二厚度t2大于第一厚度t1。在一些實(shí)施例中，第一厚度t1在約0.5μm到約2μm或更多之間，第二厚度t2在約4.5μm到約6μm或更多之間。隨后，輻照(曝光)和顯影光刻膠層301以去除光刻膠層301的部分并在光刻膠層301中形成開(kāi)口303。開(kāi)口303暴露位于開(kāi)口119中的晶種層的部分。

參考圖4a以及圖4b，在光刻膠層301的開(kāi)口303中形成連接件401。連接件401可以包括諸如焊料、銅、鋁、金、鎳、銀、鈀、錫、銦等或它們的組合的導(dǎo)電材料。在一些實(shí)施例中，其中，連接件401為焊料凸塊，可通過(guò)諸如蒸發(fā)、電鍍、印刷、焊料轉(zhuǎn)移、植球等的常用方法首先形成焊料層來(lái)形成連接件401。在其他實(shí)施例中，連接件401可以是通過(guò)濺射、印刷、電化學(xué)鍍、化學(xué)鍍、pvd等形成的柱。柱可以沒(méi)有焊料并且具有基本上垂直的側(cè)壁。在所示的實(shí)施例中，連接件401具有由鎳形成的第一部分401a和由銦形成的第二部分401b。在一些實(shí)施例中，連接件401具有在約0.2μm和約2μm之間的高度h2和在約2μm和約5μm之間的寬度w2。如下文更詳細(xì)地描述的，連接件401用于將離散器件(諸如圖8a和圖8b中所示的離散器件801)物理或電接合至由工件100形成的集成電路管芯。

參照?qǐng)D5a和圖5b，去除沉積在第二鈍化層117上方的光刻膠層301的部分，光刻膠層301的未去除的部分301u保留在開(kāi)口119中。如下文更詳細(xì)地描述的，光刻膠層301的未去除的部分301u在隨后的蝕刻工藝中保護(hù)位于開(kāi)口119中的晶種層201的部分。在一些實(shí)施例中，例如，使用諸如反應(yīng)離子蝕刻(rie)等的干蝕刻工藝部分地去除光刻膠層301?？蛇x地，也可以使用其他光刻膠剝離方法?？梢詫?shí)施干蝕刻工藝以特定的持續(xù)時(shí)間，從而從光刻膠層301去除厚度為t1(見(jiàn)圖3b)的層。因此，光刻膠層301的未去除的部分301u具有保留在開(kāi)口119中的厚度t3，厚度t3等于t2-t1。在所示出的實(shí)施例中，連接件401的高度h2大于光刻膠層301的未去除的部分301u的厚度t3。在其他實(shí)施例中，連接件401的高度h2可以小于或等于光刻膠層301的未去除的部分301u的厚度t3。在一些實(shí)施例中，光刻膠層301的未去除的部分301u具有介于約10μm到約20μm之間或更多的寬度w3。

參照?qǐng)D6a和圖6b，去除晶種層201的未被光刻膠層301的未去除的部分301u保護(hù)的部分。隨后，使用適當(dāng)?shù)奈g刻工藝去除晶種層201的未保護(hù)的部分。在其中晶種層201包括形成在鈦層上方的銅層的實(shí)施例中，可以使用，例如，fecl3、hcl和h2o的混合物(用于蝕刻銅)以及h2o2、hf和h2o的混合物(用于蝕刻鈦)來(lái)蝕刻晶種層201。在一些實(shí)施例中，可以過(guò)蝕刻晶種層201以及可以在光刻膠層301的未去除的部分301u下方、靠近光刻膠層301的未去除的部分301u的邊緣301e的位置形成底切601。在一些實(shí)施例中，底切601可以具有介于約0.5μm和約1μm之間的寬度w4。在一些實(shí)施例中，為了避免在連接件401下方形成底切，光刻膠層301的未去除的部分301u的寬度w3可以選擇為大于或等于連接件401的寬度w2和兩倍的底切601的寬度w4的和。如圖6所示，通過(guò)選擇這樣的尺寸，底切不在連接件401和相應(yīng)的導(dǎo)電部件111之間形成。

參照?qǐng)D7a和圖7b，去除光刻膠層301的未去除的部分301u。在一些實(shí)施例中，使用諸如蝕刻、灰化等的任何合適的剝離工藝去除光刻膠層301的未去除的部分301u。晶種層201的剩余部分用作相應(yīng)的連接件401的凸塊下金屬化(ubm)并且也可以稱(chēng)作ubm201。隨后，沿著劃線(xiàn)103將工件100切割以形成單個(gè)的集成電路管芯701。在一些實(shí)施例中，例如，可使用蝕刻、鋸切、激光燒蝕等或其組合將工件100切割。隨后，為了進(jìn)一步加工，可測(cè)試各個(gè)集成電路管芯701以識(shí)別已知良好管芯(kgd)。在一些實(shí)施例中，集成電路管芯701具有約32mm的第一寬度w5和約26mm的第二寬度w6。如下文更詳細(xì)地描述的，使用相應(yīng)的連接件401將多個(gè)將離散器件801接合至各個(gè)集成電路管芯701。

圖8a和圖8b是根據(jù)一些實(shí)施例的使用連接件401將多個(gè)離散器件801連接至集成電路管芯701的頂視圖和截面圖。在一些實(shí)施例中，離散器件801包括配置為接合至相應(yīng)的連接件401的接觸焊盤(pán)803。離散器件801可以形成在晶圓上，隨后將該晶圓分割成單獨(dú)的離散器件。例如，接觸焊盤(pán)803可以包括諸如鋁、銅、鎢、銀、金等或它們的組合的導(dǎo)電材料，并且可以通過(guò)物理汽相沉積(pvd)、原子層沉積(ald)、電化學(xué)鍍、化學(xué)鍍等或它們的組合來(lái)形成。在一些實(shí)施例中，離散器件801可以是諸如發(fā)光二極管(led)、光敏二極管、微驅(qū)動(dòng)(microdrivers)或其他微電子部件的離散部件。在一些實(shí)施例中，離散器件801具有介于約10μm和約20μm之間的寬度w7。在一些實(shí)施例中離散器件801的寬度w7大于連接件401的寬度w2。在一些實(shí)施例中，可以通過(guò)諸如回流工藝、共晶合金接合、瞬間液相接合、固態(tài)擴(kuò)散接合等的接合機(jī)制接合接觸焊盤(pán)803和相應(yīng)的連接件401。在所示的實(shí)施例中，在將工件100切割成集成電路管芯701之后，將離散器件801接合至集成電路管芯701。在其他的實(shí)施例中，將工件100切割成集成電路管芯701之前，將離散器件801接合至集成電路管芯701。

此后，在一些實(shí)施例中，在集成電路管芯701的上實(shí)施進(jìn)一步的制造步驟。在一些實(shí)施例中，其中，離散器件801是led，進(jìn)一步的制造步驟形成led顯示器。在一些實(shí)施例中，進(jìn)一步的制造步驟可以包括在led上方形成接觸層，在集成電路管芯701的正面和/或背面上形成一個(gè)或多個(gè)再分布層(rdl)，在rdl上方形成ubm以及在ubm上方形成連接件。隨后，可以使用連接件將集成電路管芯701附接至封裝襯底或印刷電路板。

圖9是根據(jù)一些實(shí)施例的在集成電路管芯上形成連接件結(jié)構(gòu)的方法900的流程圖。方法900從步驟901開(kāi)始，其中，如上述參考圖1a和圖1b描述的，在工件(諸如工件100)上方形成一個(gè)或多個(gè)圖案化的鈍化層(諸如第一鈍化層113和第二鈍化層117)。如上述參考圖1a和圖1b描述的，一個(gè)或多個(gè)鈍化層中的第一開(kāi)口(諸如開(kāi)口)暴露工件的導(dǎo)電部件(諸如導(dǎo)電部件111)。在步驟903中，如上述參考圖2a和圖2b描述的，在第一開(kāi)口的底部和側(cè)壁上形成晶種層(諸如晶種層201)。在步驟905中，如上述參考圖3a和圖3b描述的，在一個(gè)或多個(gè)圖案化的鈍化層上方和第一開(kāi)口中形成圖案化的光刻膠層(諸如光刻膠層301)，圖案化的光刻膠層具有暴露晶種層的部分的第二開(kāi)口。在步驟907中，如上述參考圖4a至圖4b描述的，在第二開(kāi)口中形成連接件(諸如連接件401)。在步驟909中，如上述參考圖5a和圖5b描述的，部分地去除圖案化的光刻膠層從而使得圖案化的光刻膠層的部分(諸如光刻膠層301的未去除的部分301u)保留在第一開(kāi)口中。在步驟911中，如上述參考圖6a和圖6b描述的，使用圖案化的光刻膠層的未去除的部分作為蝕刻掩模蝕刻晶種層。在步驟913中，如上述參考圖7a以及圖7b描述的，完全地去除圖案化的光刻膠層。隨后，在一些實(shí)施例中，如上述參考圖7a以及圖7b描述的，將工件切割成單個(gè)的集成電路管芯(諸如集成的電路管芯701)。在一些實(shí)施例中，如上述參考圖8a至圖8b描述的，使用相應(yīng)的連接件將離散器件(諸如離散器件801)接合至集成電路管芯。

本文中描述的示例性實(shí)施例提供各種優(yōu)勢(shì)。例如，上文描述的各個(gè)實(shí)施例允許在集成電路管芯上形成互連結(jié)構(gòu)，從而去除或避免了在連接件結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的集成電路管芯的接觸焊盤(pán)之間的底切形成。通過(guò)控制底切形成，也可以降低或避免諸如連接件結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的集成電路管芯的接觸焊盤(pán)之間形成裂痕的連接件結(jié)構(gòu)的失敗。由于底切形成的原因，具有細(xì)間距和尺寸的連接件結(jié)構(gòu)更傾向于失敗，上文描述的各個(gè)實(shí)施例特別有利于具有細(xì)間距和尺寸的連接件結(jié)構(gòu)的形成。

根據(jù)實(shí)施例，一種方法包括在工件上形成第一圖案化的鈍化層，第一鈍化層具有暴露工件的導(dǎo)電部件的開(kāi)口。在第一圖案化的鈍化層上方及第一開(kāi)口中形成晶種層。在晶種層上方形成圖案化的掩模層，圖案化的掩模層具有暴露晶種層的第二開(kāi)口，第二開(kāi)口與第一開(kāi)口重疊。在第二開(kāi)口中形成連接件。部分地去除圖案化的掩模層，圖案化的掩模層的未去除部分保留在第一開(kāi)口中。使用圖案化的掩模層的未去除部分作為掩模圖案化晶種層。

根據(jù)另一實(shí)施例，一種方法包括在工件上沉積具有第一開(kāi)口的第一圖案化的鈍化層，第一開(kāi)口暴露工件的導(dǎo)電部件。在第一圖案化的鈍化層上方及沿著第一開(kāi)口底部和側(cè)壁沉積保護(hù)層。在第一圖案化的鈍化層上方沉積具有第二開(kāi)口的第二圖案化的鈍化層，第二開(kāi)口暴露第一開(kāi)口，第二開(kāi)口和第一開(kāi)口形成接合開(kāi)口。在第二圖案化的鈍化層上方及接合開(kāi)口中沉積晶種層。在第二圖案化的鈍化層上方及接合開(kāi)口中沉積具有第三開(kāi)口的圖案化的掩模層，第三開(kāi)口暴露晶種層，第三開(kāi)口位于接合開(kāi)口內(nèi)。在第三開(kāi)口中沉積導(dǎo)電材料以在第三開(kāi)口中形成連接件。蝕刻圖案化的掩模層直到暴露晶種層的最高表面，位于接合開(kāi)口中的晶種層至少部分通過(guò)圖案化的掩模層的剩余部分保護(hù)。使用圖案化的掩模層的剩余部分作為蝕刻掩模蝕刻晶種層暴露部分。蝕刻圖案化的掩模層的剩余部分。

根據(jù)又一實(shí)施例，一種結(jié)構(gòu)包括具有第一鈍化層的集成電路管芯，第一鈍化層具有位于其中的第一開(kāi)口，位于集成電路管芯上的導(dǎo)電部件，導(dǎo)電部件的至少部分通過(guò)第一開(kāi)口暴露。結(jié)構(gòu)還包括位于導(dǎo)電部件上的晶種層，以及位于晶種層上的連接件，晶種層的寬度大于連接件的寬度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種形成連接件結(jié)構(gòu)的方法，包括：在工件上形成第一圖案化的鈍化層，所述第一圖案化的鈍化層具有暴露所述工件的導(dǎo)電部件的第一開(kāi)口；在所述第一圖案化的鈍化層上方及所述第一開(kāi)口中形成晶種層；在所述晶種層上方形成圖案化的掩模層，所述圖案化的掩模層具有暴露所述晶種層的第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口與所述第一開(kāi)口重疊；在所述第二開(kāi)口中形成連接件；部分地去除所述圖案化的掩模層，所述圖案化的掩模層的未去除的部分保留在所述第一開(kāi)口中；以及使用所述圖案化的掩模層的所述未去除的部分作為掩模來(lái)圖案化所述晶種層。

在上述方法中，還包括去除所述圖案化的掩模層的所述未去除的部分。

在上述方法中，所述圖案化的掩模層的所述未去除的部分的寬度大于所述連接件的寬度。

在上述方法中，包括使用所述連接件將離散器件接合至所述工件。

在上述方法中，所述圖案化的掩模層的位于所述第一開(kāi)口中的厚度大于所述圖案化的掩模層的位于所述第一圖案化的鈍化層上方的厚度。

在上述方法中，還包括：在所述第一圖案化的鈍化層上方及沿著所述第一開(kāi)口的底部和側(cè)壁形成保護(hù)層；以及在所述保護(hù)層上方形成第二圖案化的鈍化層。

在上述方法中，部分地去除所述圖案化的掩模層包括暴露沉積在所述第一圖案化的鈍化層上方的所述晶種層的部分。

在上述方法中，還包括使用所述連接件將離散器件接合至所述工件。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，還提供了一種形成連接件結(jié)構(gòu)的方法，包括：在工件上沉積具有第一開(kāi)口的第一圖案化的鈍化層，所述第一開(kāi)口暴露所述工件的導(dǎo)電部件；在所述第一圖案化的鈍化層上方以及沿著所述第一開(kāi)口的底部和側(cè)壁沉積保護(hù)層；在所述第一圖案化的鈍化層上方沉積具有第二開(kāi)口的第二圖案化的鈍化層，所述第二開(kāi)口暴露所述第一開(kāi)口，所述第二開(kāi)口和所述第一開(kāi)口形成組合的開(kāi)口；在所述第二圖案化的鈍化層上方以及所述組合的開(kāi)口中沉積晶種層；在所述第二圖案化的鈍化層上方以及所述組合的開(kāi)口中沉積具有第三開(kāi)口的圖案化的掩模層，所述第三開(kāi)口暴露所述晶種層，所述第三開(kāi)口位于所述組合的開(kāi)口內(nèi)；在所述第三開(kāi)口中沉積導(dǎo)電材料以在所述第三開(kāi)口中形成連接件；蝕刻所述圖案化的掩模層直到暴露所述晶種層的最高表面，位于所述組合的開(kāi)口中的所述晶種層的至少部分被所述圖案化的掩模層的剩余部分保護(hù)；使用所述圖案化的掩模層的所述剩余部分作為蝕刻掩模來(lái)蝕刻所述晶種層的暴露部分；以及蝕刻所述圖案化的掩模層的所述剩余部分。

在上述方法中，所述圖案化的掩模層具有不均勻的厚度。

在上述方法中，所述晶種層的未蝕刻的部分的寬度大于所述連接件的寬度。

在上述方法中，所述圖案化的掩模層的所述剩余部分的寬度大于所述晶種層的未蝕刻的部分的寬度。

在上述方法中，所述連接件的高度大于所述圖案化的掩模層的所述剩余部分的厚度。

在上述方法中，蝕刻所述晶種層的所述暴露部分還包括在所述圖案化的掩模層的所述剩余部分和所述導(dǎo)電部件之間形成底切。

根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，還提供了一種連接件結(jié)構(gòu)，包括：集成電路管芯，具有第一鈍化層，所述第一鈍化層具有位于所述第一鈍化層中的第一開(kāi)口；導(dǎo)電部件，位于所述集成電路管芯上，通過(guò)所述第一開(kāi)口暴露所述導(dǎo)電部件的至少部分；晶種層，位于所述導(dǎo)電部件上；以及連接件，位于所述晶種層上，所述晶種層的寬度大于所述連接件的寬度。

在上述結(jié)構(gòu)中，還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層插入在所述晶種層和所述導(dǎo)電部件之間。

在上述結(jié)構(gòu)中，還包括位于所述第一鈍化層上的第二鈍化層，所述第二鈍化層具有位于所述第二鈍化層中的第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口暴露所述保護(hù)層的設(shè)置在所述第一開(kāi)口中的部分。

在上述結(jié)構(gòu)中，所述保護(hù)層的至少部分插入在所述第一鈍化層和所述第二鈍化層之間。

在上述結(jié)構(gòu)中，還包括離散器件，使用所述連接件將所述離散器件機(jī)械接合或電接合至所述集成電路管芯。

在上述結(jié)構(gòu)中，所述晶種層的所述寬度大于所述離散器件的寬度。

上述內(nèi)容概括了幾個(gè)實(shí)施例的特征使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可更好地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或更改其他的處理和結(jié)構(gòu)以用于達(dá)到與本發(fā)明所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這些等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。