本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串的制備方法。

背景技術(shù)：

目前，國內(nèi)外應(yīng)用于等離子可重構(gòu)天線的PiN二極管采用的材料均為體硅材料，此材料存在本征區(qū)載流子遷移率較低問題，影響PiN二極管本征區(qū)載流子濃度，進(jìn)而影響其固態(tài)等離子體濃度；并且該結(jié)構(gòu)的P區(qū)與N區(qū)大多采用注入工藝形成，此方法要求注入劑量和能量較大，對(duì)設(shè)備要求高，且與現(xiàn)有工藝不兼容；而采用擴(kuò)散工藝，雖結(jié)深較深，但同時(shí)P區(qū)與N區(qū)的面積較大，集成度低，摻雜濃度不均勻，影響PiN二極管的電學(xué)性能，導(dǎo)致固態(tài)等離子體濃度和分布的可控性差。

因此，選擇何種材料及工藝來制作一種等離子PiN二極管以應(yīng)用于固態(tài)等離子天線就變得尤為重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)缺陷和不足，本發(fā)明提出一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串的制備方法。

具體地，本發(fā)明實(shí)施例提出的一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串的制備方法，所述AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串用于制作套筒天線，所述套筒天線包括：半導(dǎo)體基片(1)、PiN二極管天線臂(2)、第一PiN二極管套筒(3)、第二PiN二極管套筒(4)、同軸饋線(5)、直流偏置線(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)；所述制備方法包括步驟：

(a)選取GeOI襯底；

(b)在所述GeOI襯底表面形成第一保護(hù)層；

(c)利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成第一隔離區(qū)圖形；

(d)利用干法刻蝕工藝，在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護(hù)層及所述GeOI襯底以形成隔離槽，且所述隔離槽的深度大于等于所述GeOI襯底的頂層Ge的厚度；

(e)填充所述隔離槽以形成所述隔離區(qū)；

(f)刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；

(g)在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)淀積AlAs材料，并對(duì)所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)的AlAs材料進(jìn)行離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū)；以及

(h)在所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)表面形成引線，以完成所述

AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串的制備。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一保護(hù)層包括第一SiO₂層和第一SiN層；相應(yīng)地，步驟(b)包括：

(b1)在所述GeOI襯底表面生成SiO₂材料以形成第一SiO₂層；

(b2)在所述第一SiO₂層表面生成SiN材料以形成第一SiN層。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，其特征在于，步驟(f)包括：

(f1)在所述GeOI襯底表面形成第二保護(hù)層；

(f2)利用光刻工藝在所述第二保護(hù)層上形成第二隔離區(qū)圖形；

(f3)利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護(hù)層及所述GeOI襯底的頂層Ge層以在所述頂層Ge層內(nèi)形成所述P型溝槽和所述N型溝槽。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第二保護(hù)層包括第二SiO₂層和第二SiN層；相應(yīng)地，步驟(f1)包括：

(f11)在所述GeOI襯底表面生成SiO₂材料以形成第二SiO₂層；

(f12)在所述第二SiO₂層表面生成SiN材料以形成第二SiN層。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，步驟(g)之前，還包括：

(x1)氧化所述P型溝槽和所述N型溝槽以使所述P型溝槽和所述N型溝槽的內(nèi)壁形成氧化層；

(x2)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的平整化。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，步驟(g)包括：

(g1)利用MOCVD工藝，在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)及整個(gè)襯底表面淀積AlAs材料；

(g2)利用CMP工藝，平整化處理GeOI襯底后，在GeOI襯底上形成AlAs層；

(g3)光刻AlAs層，并采用帶膠離子注入的方法對(duì)所述P型溝槽和所述N型溝槽所在位置分別注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)且同時(shí)形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)；

(g4)去除光刻膠；

(g5)利用濕法刻蝕去除P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)以外的AlAs材料。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，步驟(g)之后，還包括：

(y1)在整個(gè)襯底表面生成SiO₂材料；

(y2)利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)及所述N型有源區(qū)中的雜質(zhì)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，步驟(h)包括：

(h1)利用各向異性刻蝕工藝刻蝕掉所述P型接觸區(qū)和所述N型接觸區(qū)表面指定位置的SiO₂材料以形成所述引線孔；

(h2)向所述引線孔內(nèi)淀積金屬材料，對(duì)整個(gè)襯底材料進(jìn)行鈍化處理、光刻PAD并互連，以形成所述AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述PiN二極管天線臂(2)、所述第一PiN二極管套筒(3)、所述第二PiN二極管套筒(4)及所述直流偏置線(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)均制作于所述半導(dǎo)體基片(1)上；所述PiN二極管天線臂(2)與所述第一PiN二極管套筒(3)及所述第二PiN二極管套筒(4)通過所述同軸饋線(5)連接，所述同軸饋線(5)的內(nèi)芯線(7)連接所述PiN二極管天線臂(2)且所述同軸饋線(5)的外導(dǎo)體(8)連接所述第一PiN二極管套筒(3)及所述第二PiN二極管套筒(4)；

其中，所述PiN二極管天線臂(2)包括串行連接的PiN二極管串(w1、w2、w3)，所述第一PiN二極管套筒(3)包括串行連接的PiN二極管串(w4、w5、w6)，所述第二PiN二極管套筒(4)包括串行連接的PiN二極管串(w7、w8、w9)，每個(gè)所述PiN二極管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6、w7、w8、w9)通過對(duì)應(yīng)的所述直流偏置線(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)連接至直流偏置。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述PiN二極管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6、w7、w8、w9)包括PiN二極管，所述PiN二極管包括P+區(qū)(27)、N+區(qū)(26)、本征區(qū)(22)、P+接觸區(qū)(23)及N+接觸區(qū)(24)；所述P+接觸區(qū)(23)分別連接所述P+區(qū)(27)與直流電源的正極，所述N+接觸區(qū)(24)分別連接所述N+區(qū)(26)與直流電源的負(fù)極。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述P+區(qū)(27)及所述N+區(qū)(26)的摻雜濃度為0.5×10²⁰～5×10²⁰cm^-3。

由上可知，本發(fā)明實(shí)施例通過對(duì)等離子PiN二極管采用了異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，從而提高了載流子的注入效率和電流，故使異質(zhì)鍺基等離子PiN二極管的性能優(yōu)于同質(zhì)等離子PiN二極管。并且，AlAs材料和Ge的晶格失配特別小，所以異質(zhì)結(jié)界面處的界面太特別小，故提高了器件的性能。另外，常規(guī)制作固態(tài)等離子PiN二極管的P區(qū)與N區(qū)的制備工藝中，均采用注入工藝形成，此方法要求注入劑量和能量較大，對(duì)設(shè)備要求高，且與現(xiàn)有工藝不兼容；而采用擴(kuò)散工藝，雖結(jié)深較深，但同時(shí)P區(qū)與N區(qū)的面積較大，集成度低，摻雜濃度不均勻，影響固態(tài)等離子PiN二極管的電學(xué)性能，導(dǎo)致固態(tài)等離子體濃度和分布的可控性差。

通過以下參考附圖的詳細(xì)說明，本發(fā)明的其它方面和特征變得明顯。但是應(yīng)當(dāng)知道，該附圖僅僅為解釋的目的設(shè)計(jì)，而不是作為本發(fā)明的范圍的限定，這是因?yàn)槠鋺?yīng)當(dāng)參考附加的權(quán)利要求。還應(yīng)當(dāng)知道，除非另外指出，不必要依比例繪制附圖，它們僅僅力圖概念地說明此處描述的結(jié)構(gòu)和流程。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種可重構(gòu)套筒天線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例的一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串的制作方法流程圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例的一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a-圖5r為本發(fā)明實(shí)施例的另一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管的制備方法示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例的另一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管的器件結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。

本發(fā)明提出了一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串的制備方法及器件。該AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串是基于絕緣襯底上的鍺(Germanium-On-Insulator，簡稱GeOI)形成橫向PiN二極管，其在加直流偏壓時(shí)，直流電流會(huì)在其表面形成自由載流子(電子和空穴)組成的固態(tài)等離子體，該等離子體具有類金屬特性，即對(duì)電磁波具有反射作用，其反射特性與表面等離子體的微波傳輸特性、濃度及分布密切相關(guān)。

GeOI橫向固態(tài)等離子PiN二極管等離子可重構(gòu)天線可以是由GeOI橫向固態(tài)等離子PiN二極管按陣列排列組合而成，利用外部控制陣列中的固態(tài)等離子PiN二極管選擇性導(dǎo)通，使該陣列形成動(dòng)態(tài)固態(tài)等離子體條紋、具備天線的功能，對(duì)特定電磁波具有發(fā)射和接收功能，并且該天線可通過陣列中固態(tài)等離子PiN二極管的選擇性導(dǎo)通，改變固態(tài)等離子體條紋形狀及分布，從而實(shí)現(xiàn)天線的重構(gòu)，在國防通訊與雷達(dá)技術(shù)方面具有重要的應(yīng)用前景。

以下，將對(duì)本發(fā)明制備的用于套筒天線的GeOI基固態(tài)等離子PiN二極管串的工藝流程作進(jìn)一步詳細(xì)描述。在圖中，為了方便說明，放大或縮小了層和區(qū)域的厚度，所示大小并不代表實(shí)際尺寸。

實(shí)施例一

請(qǐng)參見圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種可重構(gòu)套筒天線的結(jié)構(gòu)示意圖；所述PiN二極管串用于制作套筒天線，如圖1所示，所述套筒天線包括：半導(dǎo)體基片(1)、PiN二極管天線臂(2)、第一PiN二極管套筒(3)、第二PiN二極管套筒(4)、同軸饋線(5)、直流偏置線(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)；

請(qǐng)參見圖2，圖2為本發(fā)明實(shí)施例的一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串的制作方法流程圖，該方法包括如下步驟：

(a)選取GeOI襯底；

其中，對(duì)于步驟(a)，采用GeOI襯底的原因在于，對(duì)于固態(tài)等離子天線由于其需要良好的微波特性，而固態(tài)等離子PiN二極管為了滿足這個(gè)需求，需要具備良好的隔離特性和載流子即固態(tài)等離子體的限定能力，而GeOI襯底由于其具有能夠與隔離槽方便的形成PiN隔離區(qū)域、二氧化硅(SiO₂)也能夠?qū)⑤d流子即固態(tài)等離子體限定在頂層Ge中，所以優(yōu)選采用GeOI作為固態(tài)等離子PiN二極管的襯底。并且，由于鍺材料的載流子遷移率比較大，故可在I區(qū)內(nèi)形成較高的等離子體濃度，提高器件的性能。

(b)在所述GeOI襯底表面形成第一保護(hù)層；

(c)利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成第一隔離區(qū)圖形；

(d)利用干法刻蝕工藝，在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護(hù)層及所述GeOI襯底以形成隔離槽；

(e)填充所述隔離槽以形成所述隔離區(qū)；

進(jìn)一步地，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述第一保護(hù)層包括第一SiO₂層和第一SiN層；相應(yīng)地，步驟(b)包括：

(b1)在所述GeOI襯底表面生成SiO₂材料以形成第一SiO₂層；

(b2)在所述第一SiO₂層表面生成SiN材料以形成第一SiN層。

這樣做的好處在于，利用二氧化硅(SiO₂)的疏松特性，將氮化硅(SiN)的應(yīng)力隔離，使其不能傳導(dǎo)進(jìn)頂層Ge，保證了頂層Ge性能的穩(wěn)定；基于氮化硅(SiN)與Ge在干法刻蝕時(shí)的高選擇比，利用氮化硅(SiN)作為干法刻蝕的掩蔽膜，易于工藝實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，可以理解的是，保護(hù)層的層數(shù)以及保護(hù)層的材料此處不做限制，只要能夠形成保護(hù)層即可。

進(jìn)一步地，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，隔離槽的深度大于等于頂層Ge的厚度；

這樣做的好處在于，保證了后續(xù)槽中二氧化硅(SiO₂)與GeOI襯底的氧化層的連接，形成完整的絕緣隔離；

(f)刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；

(g)在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)淀積AlAs材料，并對(duì)所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)的AlAs材料進(jìn)行離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū)；以及

(h)在所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)表面形成引線，以完成所述AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串的制備。

再者，對(duì)于步驟(f)，具體可以包括如下步驟：

(f1)在所述GeOI襯底表面形成第二保護(hù)層；

(f2)利用光刻工藝在所述第二保護(hù)層上形成第二隔離區(qū)圖形；

(f3)利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護(hù)層及所述GeOI襯底的頂層Ge層以在所述頂層Ge層內(nèi)形成所述P型溝槽和所述N型溝槽。

具體地，第二保護(hù)層包括第二二氧化硅(SiO₂)層和第二氮化硅(SiN)層；則第二保護(hù)層的形成包括：在GeOI襯底表面生成二氧化硅(SiO₂)以形成第二二氧化硅(SiO₂)層；在第二二氧化硅(SiO₂)層表面生成氮化硅(SiN)以形成第二氮化硅(SiN)層。這樣做的好處類似于第一保護(hù)層的作用，此處不再贅述。

其中，P型溝槽和N型溝槽的深度大于第二保護(hù)層厚度且小于第二保護(hù)層與GeOI襯底頂層Ge厚度之和。優(yōu)選地，該P(yáng)型溝槽和N型溝槽的底部距GeOI襯底的頂層Ge底部的距離為0.5微米～30微米，形成一般認(rèn)為的深槽，這樣在形成P型和N型有源區(qū)時(shí)可以形成雜質(zhì)分布均勻、且高摻雜濃度的P、N區(qū)和和陡峭的Pi與Ni結(jié)，以利于提高i區(qū)等離子體濃度。

再者，步驟(g)之前，還包括：

(x1)氧化所述P型溝槽和所述N型溝槽以使所述P型溝槽和所述N型溝槽的內(nèi)壁形成氧化層；

(x2)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的平整化。這樣做的好處在于：可以防止溝槽側(cè)壁的突起形成電場集中區(qū)域，造成Pi和Ni結(jié)擊穿。

對(duì)于步驟(g)，具體可以包括如下步驟：

(g1)利用MOCVD工藝，在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)及整個(gè)襯底表面淀積AlAs材料；

(g2)利用CMP工藝，平整化處理GeOI襯底后，在GeOI襯底上形成AlAs層；

(g3)光刻AlAs層，并采用帶膠離子注入的方法對(duì)P型溝槽和N型溝槽所在位置分別注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū)且同時(shí)形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)；

(g4)去除光刻膠；

(g5)利用濕法刻蝕去除P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)以外的AlAs材料。

再者，步驟(g)之后，還可以包括：

(y1)在整個(gè)襯底表面生成SiO₂材料；

(y2)利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)及所述N型有源區(qū)中的雜質(zhì)。

再者，對(duì)于步驟(h)，具體可以包括如下步驟：

(h1)利用各向異性刻蝕工藝刻蝕掉所述P型接觸區(qū)和所述N型接觸區(qū)表面指定位置的SiO₂材料以形成所述引線孔；

(h2)向所述引線孔內(nèi)淀積金屬材料，并對(duì)整個(gè)襯底材料進(jìn)行鈍化處理、光刻PAD并互連，以形成所述AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串。

本發(fā)明提供的用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串的制備方法具備如下優(yōu)點(diǎn)：

(1)PiN二極管所使用的鍺材料，由于其高遷移率和大載流子壽命的特性，能有效提高了PiN二極管的固態(tài)等離子體濃度；

(2)PiN二極管采用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，由于i區(qū)為Ge，其載流子遷移率高且禁帶寬度比較窄，在P、N區(qū)填充多晶AlAs從而形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，AlAs材料的禁帶寬度大于Ge，故可產(chǎn)生高的注入比，提高器件性能；

(3)PiN二極管采用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，并且i區(qū)的Ge和P、N區(qū)的多晶AlAs的晶格失配比較低，故在異質(zhì)結(jié)界面處的缺陷很少，從而提高了器件的性能；

(4)PiN二極管采用了一種基于刻蝕的深槽介質(zhì)隔離工藝，有效地提高了器件的擊穿電壓，抑制了漏電流對(duì)器件性能的影響。

實(shí)施例二

請(qǐng)參見圖5a-圖5r，圖5a-圖5r為本發(fā)明實(shí)施例的另一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管的制備方法示意圖，在上述實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，以制備溝道長度為22nm(固態(tài)等離子區(qū)域長度為100微米)的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串為例進(jìn)行詳細(xì)說明，具體步驟如下：

步驟1，襯底材料制備步驟：

(1a)如圖5a所示，選取(100)晶向，摻雜類型為p型，摻雜濃度為10¹⁴cm^-3的GeOI襯底片101，頂層Ge的厚度為50μm；

(1b)如圖5b所示，采用化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡稱CVD)的方法，在GeOI襯底上淀積一層40nm厚度的第一SiO₂層201；

(1c)采用化學(xué)氣相淀積的方法，在襯底上淀積一層2μm厚度的第一Si₃N₄/SiN層202；

步驟2，隔離制備步驟：

(2a)如圖5c所示，通過光刻工藝在上述保護(hù)層上形成隔離區(qū)，濕法刻蝕隔離區(qū)第一Si₃N₄/SiN層202，形成隔離區(qū)圖形；采用干法刻蝕，在隔離區(qū)形成寬5μm，深為50μm的深隔離槽301；

(2b)如圖5d所示，采用CVD的方法，淀積SiO₂401將該深隔離槽填滿；

(2c)如圖5e所示，采用化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing,簡稱CMP)方法，去除表面第一Si₃N₄/SiN層202和第一SiO₂層201，使GeOI襯底表面平整；

步驟3，P、N區(qū)深槽制備步驟：

(3a)如圖5f所示，采用CVD方法，在襯底上連續(xù)淀積延二層材料，第一層為300nm厚度的第二SiO₂層601，第二層為500nm厚度的第二Si₃N₄/SiN層602；

(3b)如圖5g所示，光刻P、N區(qū)深槽，濕法刻蝕P、N區(qū)第二Si₃N₄/SiN層602和第二SiO₂層601，形成P、N區(qū)圖形；采用干法刻蝕，在P、N區(qū)形成寬4μm，深5μm的深槽701，P、N區(qū)槽的長度根據(jù)在所制備的天線中的應(yīng)用情況而確定；

(3c)如圖5h所示，在850℃下，高溫處理10分鐘，氧化槽內(nèi)壁形成氧化層801，以使P、N區(qū)槽內(nèi)壁平整；

(3d)如圖5i所示，利用濕法刻蝕工藝去除P、N區(qū)槽內(nèi)壁的氧化層801。

步驟4，P、N接觸區(qū)制備步驟：

(4a)如圖5j所示，利用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,簡稱MOCVD)工藝，在P、N區(qū)槽中淀積多晶AlAs1001，并將溝槽填滿；

(4b)如圖5k所示，采用CMP，去除表面多晶AlAs1001與第二Si₃N₄/SiN層602，使表面平整；

(4c)如圖5l所示，采用CVD的方法，在表面淀積一層多晶AlAs1201，厚度為200～500nm；

(4d)如圖5m所示，光刻P區(qū)有源區(qū)，采用帶膠離子注入方法進(jìn)行P⁺注入，使P區(qū)有源區(qū)摻雜濃度達(dá)到0.5×10²⁰cm^-3，去除光刻膠，形成P接觸1301；

(4e)光刻N(yùn)區(qū)有源區(qū)，采用帶膠離子注入方法進(jìn)行N⁺注入，使N區(qū)有源區(qū)摻雜濃度為0.5×10²⁰cm^-3，去除光刻膠，形成N接觸1302；

(4f)如圖5n所示，采用濕法刻蝕，刻蝕掉P、N接觸區(qū)以外的多晶AlAs1201，形成P、N接觸區(qū)；

(4g)如圖5o所示，采用CVD的方法，在表面淀積SiO₂1501，厚度為800nm；

(4h)在1000℃，退火1分鐘，使離子注入的雜質(zhì)激活、并且推進(jìn)AlAs中雜質(zhì)；

步驟5，構(gòu)成PIN二極管步驟：

(5a)如圖5p所示，在P、N接觸區(qū)光刻引線孔1601；

(5b)如圖5q所示，襯底表面濺射金屬，在750℃合金形成金屬硅化物1701，并刻蝕掉表面的金屬；

(5c)襯底表面濺射金屬，光刻引線；

(5d)如圖5r所示，淀積Si₃N₄/SiN形成鈍化層1801，光刻PAD并互連，形成PIN二極管串，作為制備固態(tài)等離子天線材料。

本實(shí)施例中，上述各種工藝參數(shù)均為舉例說明，依據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的常規(guī)手段所做的變換均為本申請(qǐng)之保護(hù)范圍。

本發(fā)明制備的應(yīng)用于可重構(gòu)套筒天線固態(tài)等離子可重構(gòu)天線的PiN二極管，首先，所使用的鍺材料，由于其高遷移率和大載流子壽命的特性，提高了PiN二極管的固態(tài)等離子體濃度；其次，鍺材料由于其氧化物GeO熱穩(wěn)定性差的特性，P區(qū)和N區(qū)深槽側(cè)壁平整化的處理可在高溫環(huán)境自動(dòng)完成，簡化了材料的制備方法；再次，本發(fā)明制備的應(yīng)用于固態(tài)等離子可重構(gòu)天線的GeOI基PiN二極管采用了一種基于刻蝕的深槽介質(zhì)隔離工藝，有效地提高了器件的擊穿電壓，抑制了漏電流對(duì)器件性能的影響。

實(shí)施例三

請(qǐng)參照?qǐng)D6，圖6為本發(fā)明實(shí)施例的另一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管的器件結(jié)構(gòu)示意圖。該AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串采用上述如圖2所示的制備方法制成，具體地，該AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串在GeOI襯底301上制備形成，且PiN二極管的P區(qū)304、N區(qū)305以及橫向位于該P(yáng)區(qū)304和該N區(qū)305之間的I區(qū)均位于該GeOI襯底的頂層Ge層302內(nèi)。其中，該P(yáng)iN二極管可以采用STI深槽隔離，即該P(yáng)區(qū)304和該N區(qū)305外側(cè)各設(shè)置有一隔離槽303，且該隔離槽303的深度大于等于該頂層Ge層302的厚度。

綜上所述，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明用于套筒天線的固態(tài)等離子PiN二極管及其制備方法的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所附的權(quán)利要求為準(zhǔn)。