技術總結
本發(fā)明涉及一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串的制備方法。該制備方法包括：選取GeOI襯底，并在所述GeOI襯底內設置隔離區(qū)；刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；在所述P型溝槽和所述N型溝槽內淀積AlAs材料，并在所述P型溝槽和所述N型溝槽內的AlAs材料進行離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū)；在所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)表面形成引線，以完成所述AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串的制備。本發(fā)明實施例利用深槽隔離技術及離子注入工藝能夠制備并提供適用于形成固態(tài)等離子天線的高性能Ge基等離子PiN二極管串。

技術研發(fā)人員：張亮;左瑜
受保護的技術使用者：西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
文檔號碼：201611184381
技術研發(fā)日：2016.12.20
技術公布日：2017.05.31