1.一種化合物半導(dǎo)體異質(zhì)接面雙極晶體管，其特征在于：包括集電極層、次集電極層以及設(shè)置于集電極層和次集電極層之間的中間層；所述集電極層和次集電極層分別由GaAs構(gòu)成，所述中間層包括能隙小于GaAs的材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體異質(zhì)接面雙極晶體管，其特征在于：所述中間層由InxGaAs構(gòu)成，其中0＜x≤0.4。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化合物半導(dǎo)體異質(zhì)接面雙極晶體管，其特征在于：所述中間層的厚度為所述集電極層厚度的0.5％～1％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體異質(zhì)接面雙極晶體管，其特征在于：所述中間層由InxGaAs/GaAs超晶格結(jié)構(gòu)構(gòu)成，其中0＜x≤0.4。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的化合物半導(dǎo)體異質(zhì)接面雙極晶體管，其特征在于：所述超晶格結(jié)構(gòu)的周期范圍是1～100。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體異質(zhì)接面雙極晶體管，其特征在于：所述次集電極層的摻雜濃度高于所述集電極層，或所述次集電極層的厚度大于所述集電極層；所述次集電極層上形成有集電極電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體異質(zhì)接面雙極晶體管，其特征在于：還包括
設(shè)于所述集電極層之上，并由GaAs構(gòu)成的基極層；
設(shè)于所述基極層之上，并由InGaP構(gòu)成的發(fā)射極層；
設(shè)于所述發(fā)射極層之上，并由GaAs構(gòu)成的發(fā)射極接觸間隙層；以及
設(shè)于所述發(fā)射極接觸間隙層之上，并由InGaAs構(gòu)成的發(fā)射極接觸層。