技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種化合物半導(dǎo)體異質(zhì)接面雙極晶體管，包括集電極層、次集電極層以及設(shè)置于集電極層和次集電極層之間的中間層，所述集電極層和次集電極層分別由GaAs構(gòu)成，所述中間層包括能隙小于GaAs的材料。本發(fā)明通過(guò)低能隙中間層的設(shè)置，在次集電極的厚度和摻雜濃度為一普通條件下，可降低集電極之雜散阻值，改善基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)接面雙極晶體管的功率放大器件的直流功耗，提高器件的功率附加效率。

技術(shù)研發(fā)人員：顏志泓;魏鴻基
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廈門(mén)市三安集成電路有限公司
文檔號(hào)碼：201611216552
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.26
技術(shù)公布日：2017.05.10