技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種InP?PIN光電探測器集成器件的制作方法，即將InP?PIN光電探測器、InGaP?HBT跨阻放大器（TIA）、GaAs?PN限幅器和GaAs?pHEMT低噪放通過外延層設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)光接收組件的器件極集成，從而使以下設(shè)想成為可能：在光纖通信中，光信號(hào)進(jìn)入光接收機(jī)，通過PIN光電探測器，將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電流信號(hào)，InGaP?HBT?TIA將電流信號(hào)放大后，通過GaAs?PN限幅器，將電信號(hào)傳輸給GaAs?pHEMT低噪放，最后傳輸給后端的信號(hào)處理芯片。

技術(shù)研發(fā)人員：陳一峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都海威華芯科技有限公司
文檔號(hào)碼：201611228235
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.27
技術(shù)公布日：2017.05.31