1.低暗電流高速PIN探測器，可用于紅外、可見光、紫外或太赫茲波段范圍內(nèi)的光線探測，其特征在于：包括襯底（101），所述襯底（101）上生長有P型歐姆接觸層（103），所述P型歐姆接觸層（103）上覆蓋有增透膜（102），所述增透膜（102）上設(shè)置有至少一個與所述P型歐姆接觸層（103）觸接的P型歐姆接觸電極（106），所述襯底（101）上端面除所述P型歐姆接觸層（103）外的區(qū)域均覆蓋有阻隔層（108），所述阻隔層（108）上覆蓋有增透膜（102），所述襯底（101）的下端面由上至下依次覆蓋生長有N型歐姆接觸層（105）及N型歐姆接觸電極（106），所述襯底（101）的上端面開設(shè)有一圈第一隔離溝槽（104），所述襯底（101）的下端面開設(shè)有一圈第二隔離溝槽（109），所述第一隔離溝槽（104）與第二隔離溝槽（109）內(nèi)均填充有阻隔材料，所述第一隔離溝槽（104）位于所述P型歐姆接觸層（103）的外周側(cè)，所述第一隔離溝槽（104）與第二隔離溝槽（109）上下對應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低暗電流PIN探測器，其特征在于：所述襯底（101）的下端面開設(shè)有一凹槽，所述凹槽的內(nèi)徑與所述第一隔離溝槽（104）的外徑相匹配，所述凹槽的深度為100~300μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低暗電流PIN探測器，其特征在于：所述第二隔離溝槽（109）開設(shè)于所述凹槽內(nèi)，所述第二隔離溝槽（109）的外徑與所述凹槽的內(nèi)徑相匹配。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低暗電流PIN探測器，其特征在于：所述襯底（101）的材質(zhì)為Si、GaAs、GaN、InP、Ge、SiC、SOI或GOI。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低暗電流PIN探測器，其特征在于：所述增透膜（102）上開設(shè)有至少一個用于將所述P型歐姆接觸層（103）裸露出來的電極通孔，所述P型歐姆接觸電極（106）借助所述電極通孔與所述P型歐姆接觸層（103）觸接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低暗電流PIN探測器，其特征在于：所述增透膜（102）上設(shè)置有P型歐姆接觸電極（106），所述P型歐姆接觸電極（106）設(shè)置于所述P型歐姆接觸層（103）上端面的兩側(cè)端部位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低暗電流PIN探測器，其特征在于：所述低暗電流高速PIN探測器包括一用于感光的有源區(qū)，所述有源區(qū)位于所述P型歐姆接觸電極（106）之間；還包括一用于傳遞光源的吸收區(qū)，所述吸收區(qū)位于所述P型歐姆接觸層（103）及N型歐姆接觸層（105）之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低暗電流PIN探測器，其特征在于：所述第一隔離溝槽（104）的深度大于所述P型歐姆接觸層（103）的厚度，所述第一隔離溝槽（104）下端面所在平面低于所述P型歐姆接觸層（103）下端面所在平面。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低暗電流PIN探測器，其特征在于：所述第二隔離溝槽（109）的深度大于所述N型歐姆接觸層（105）的厚度，所述第二隔離溝槽（109）上端面所在的平面高于所述凹槽內(nèi)的N型歐姆接觸層（105）上端面所在的平面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低暗電流PIN探測器，其特征在于：所述第一隔離溝槽（104）與第二隔離溝槽（109）均為環(huán)形結(jié)構(gòu)且二者上下對應(yīng)，所述第一隔離溝槽（104）的深度為2~6μm，所述第二隔離溝槽（109）的深度為0. 1~6μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低暗電流PIN探測器，其特征在于：所述增透膜（102）的材質(zhì)為SiNx或SiO2，所述增透膜（102）的厚度為60~160nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低暗電流PIN探測器，其特征在于：所述阻隔材料的材質(zhì)為SiO2，所述阻隔層（108）的材質(zhì)為SiO2，所述阻隔層（108）的厚度為400~600nm。