技術(shù)總結(jié)
本實用新型揭示了一種低暗電流高速PIN探測器，包括襯底，所述襯底上生長有P型歐姆接觸層，所述P型歐姆接觸層上覆蓋有增透膜，所述增透膜上設(shè)置有至少一個P型歐姆接觸電極，所述襯底上端面除P型歐姆接觸層外的區(qū)域均覆蓋有阻隔層，所述阻隔層上覆蓋有增透膜，所述襯底下端面由上至下依次覆蓋生長有N型歐姆接觸層及N型歐姆接觸電極，所述襯底上端面開設(shè)有第一隔離溝槽，所述襯底下端面開設(shè)有第二隔離溝槽，所述第一隔離溝槽與第二隔離溝槽內(nèi)均填充有阻隔材料，所述第一隔離溝槽位于所述P型歐姆接觸層的外周側(cè)，所述第一隔離溝槽與第二隔離溝槽上下對應(yīng)。本實用新型能夠有效減少器件內(nèi)部的暗電流，效果優(yōu)異，具有很高的使用及推廣價值。

技術(shù)研發(fā)人員：李沖;劉巧莉;豐亞潔;呂本順;郭霞;王華強;黎奔
受保護的技術(shù)使用者：蘇州北鵬光電科技有限公司
文檔號碼：201620751818
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.18
技術(shù)公布日：2017.01.04