本實用新型涉及半導(dǎo)體發(fā)光二極管制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種具有嵌入式透明擴展電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管（LED）具有高光效、低能耗、長壽命、高安全性、高環(huán)保等優(yōu)勢，是一種有廣闊應(yīng)用前景的照明方式，受到越來越多國家的重視，目前LED已廣泛應(yīng)用于高效固態(tài)照明領(lǐng)域中，如顯示屏、汽車用燈、背光源、交通信號燈、景觀照明等。

如圖1所示，常規(guī)AlGaInP發(fā)光二極管包含GaAs襯底100、緩沖層101、n-AIGaInP限制層102、MQW多量子阱有源層103、p-AIGaInP限制層104和p-GaP窗口層105，金屬電極層106直接設(shè)置在p-GaP窗口層105上，在GaAs襯底100背面設(shè)置有背電極層107。由于常規(guī)AlGaInP發(fā)光二極管的出光層為p-GaP窗口層105，同時p-GaP窗口層105也起著歐姆窗口層和電流擴展的重要作用，這就會使電流容易集中從與電極接觸的正下方區(qū)域流過，即電極正下方區(qū)域的電流密度增加，不能使電流得到充分的擴展，從而降低LED的發(fā)光效率。ITO薄膜相比p-GaP窗口層105具有良好的橫向電流擴展性，同時具有透過率高、導(dǎo)電性好、耐磨損、耐腐蝕等優(yōu)點，且與p-GaP窗口層105的粘附性好，因此，ITO薄膜通常被用于作為提高AlGaInP基芯片亮度的透明電極材料。在實際應(yīng)用中，在p-GaP窗口層105上面生長一層ITO薄膜，然后再沉積金屬電極層106，作為焊盤材料使用，在對焊盤的焊線測試中發(fā)現(xiàn)很容易出現(xiàn)ITO薄膜脫落、金屬電極層106脫落異常的問題，導(dǎo)致其焊盤性能和芯片使用可靠性受到嚴(yán)重影響，此外GaP的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，難以采用蝕刻溶液獲得良好的粗化效果，也限制了LED芯片亮度的提高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種便于生產(chǎn)、發(fā)光效率高、焊線可靠性高的具有嵌入式透明擴展電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管。

本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的：

一種具有嵌入式透明擴展電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，包括GaAs襯底，在GaAs襯底的上面依次設(shè)置的緩沖層、布拉格反射層、n-AlGaInP限制層、MQW多量子阱有源層、p-AlGaInP限制層、p-GaP窗口層、ITO電流擴展層和AlGaInP粗化層，p-GaP窗口層為圖案化的p-GaP窗口層，AlGaInP粗化層為圖案化的AlGaInP粗化層，在圖案化的AlGaInP粗化層上設(shè)有金屬電極層，在GaAs襯底的下面設(shè)有背電極層，特征是：所述金屬電極層包括主電極和擴展電極，其中：主電極連接在圖案化的AlGaInP粗化層上，擴展電極嵌入在圖案化的AlGaInP粗化層中，并且與ITO電流擴展層保持連接，主電極的中心與圖案化的GaP窗口層的圖形中心在同一中心線上。

本實用新型采用引入嵌入式的ITO電流擴展層和圖案化的AlGaInP粗化層，進(jìn)而采用AlGaInP粗化溶液對AlGaInP粗化層進(jìn)行可控深度的粗化；其次在圖案化的AlGaInP粗化層上采用蒸鍍方式制作金屬電極層，金屬電極層包括主電極和擴展電極，其中作為焊盤的主電極直接連接在經(jīng)過粗化的AlGaInP粗化層上，從而避免了在焊線測試時造成ITO電流擴展層脫落，另一方面，擴展電極嵌入在AlGaInP粗化層中，并且與ITO電流擴展層保持連接，可降低接觸電阻，同時對于主電極也起到了防護的作用，擴展電極自身因為其嵌入式結(jié)構(gòu)的特點，因而穩(wěn)定性好，從而提高了整個金屬電極層的附著性和完整性，確保了發(fā)光二極管的工作電壓穩(wěn)定，提高了產(chǎn)品的焊線可靠性和發(fā)光效率，極大地提升了產(chǎn)品的質(zhì)量和良率。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的常規(guī)AlGaInP發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合實施例并對照附圖對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

一種具有嵌入式透明擴展電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，包括GaAs襯底，在GaAs襯底100的上面依次設(shè)置的緩沖層101、布拉格反射層102、n-AlGaInP限制層103、MQW多量子阱有源層104、p-AlGaInP限制層105、p-GaP窗口層106、ITO電流擴展層107和AlGaInP粗化層108，p-GaP窗口層106為圖案化的p-GaP窗口層，AlGaInP粗化層108為圖案化的AlGaInP粗化層，在圖案化的AlGaInP粗化層108上設(shè)有金屬電極層，在GaAs襯底100的下面設(shè)有背電極層201，所述金屬電極層包括主電極109和擴展電極110，其中：主電極109連接在圖案化的AlGaInP粗化層108上，擴展電極110嵌入在圖案化的AlGaInP粗化層108中，并且與ITO電流擴展層107保持連接，主電極的中心與圖案化的GaP窗口層的圖形中心在同一中心線上。