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      具有嵌入式透明擴(kuò)展電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制作方法

      文檔序號(hào):12121601閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      技術(shù)總結(jié)
      本實(shí)用新型公開(kāi)了一種具有嵌入式透明擴(kuò)展電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管,在GaAs襯底的上面依次設(shè)置的緩沖層、布拉格反射層、n?AlGaInP限制層、MQW多量子阱有源層、p?AlGaInP限制層、p?GaP窗口層、ITO電流擴(kuò)展層和AlGaInP粗化層,在圖案化的AlGaInP粗化層上設(shè)有金屬電極層,在GaAs襯底的下面設(shè)有背電極層,所述金屬電極層包括主電極和擴(kuò)展電極,其中:主電極連接在圖案化的AlGaInP粗化層上,擴(kuò)展電極嵌入在圖案化的AlGaInP粗化層中,并且與ITO電流擴(kuò)展層保持連接。擴(kuò)展電極自身因?yàn)槠淝度胧浇Y(jié)構(gòu)的特點(diǎn),因而穩(wěn)定性好,從而提高了整個(gè)金屬電極層的附著性和完整性,確保了發(fā)光二極管的工作電壓穩(wěn)定,提高了產(chǎn)品的焊線可靠性和發(fā)光效率,極大地提升了產(chǎn)品的質(zhì)量和良率。

      技術(shù)研發(fā)人員:張銀橋;潘彬
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:南昌凱迅光電有限公司
      文檔號(hào)碼:201620931785
      技術(shù)研發(fā)日:2016.08.24
      技術(shù)公布日:2017.03.22

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