本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路片內(nèi)電感器件。

背景技術(shù)：

在單片微波集成電路(MMIC)中，尤其是放大器應(yīng)用中，電感的Q值是衡量器件性能的主要參數(shù)。Q值是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時(shí)，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比，電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。以GaAs低噪放大器為例，第一級(jí)電路中所用的電感，將直接作為插入損耗，惡化整個(gè)放大器的噪聲系數(shù)，高Q值的電感將直接減小插損，優(yōu)化放大器的噪聲系數(shù)。因此，提高片內(nèi)Q值，一直是人們的研究熱點(diǎn)之一。一般來說，較大的介電常數(shù)意味著較大的介電損耗，而介電損耗的大小直接影響電感的Q值。

當(dāng)前，在無源器件工藝中，一般采用SiN材料作為隔離層，主要是由于SiN性能穩(wěn)定，不易變質(zhì)，防潮性好,硬度高，具有較高的機(jī)械強(qiáng)度，但是SiN材料的介電常數(shù)為6～8，影響了片內(nèi)電感Q值的改善。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種集成電路片內(nèi)電感器件，能夠改善片內(nèi)電感Q值。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種集成電路片內(nèi)電感器件，其特征在于，包括襯底，所述襯底上形成有SiN隔離層，所述SiN隔離層具有露出所述襯底的電感區(qū)域，所述電感區(qū)域內(nèi)形成有聚苯并惡唑固化層，所述聚苯并惡唑固化層與所述SiN隔離層的厚度相同，所述聚苯并惡唑固化層上形成有多個(gè)相連的橋形金屬片。

優(yōu)選地，所述襯底的厚度為50μm～2mm。

優(yōu)選地，所述SiN隔離層的厚度為50nm～1μm。

優(yōu)選地，所述橋形金屬片的寬度為5μm～50μm，厚度為2μm～10μm，所述橋形金屬片的橋墩間距與寬度的比例為1:3～1:5。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本實(shí)用新型的有益效果是：通過在SiN隔離層的電感區(qū)域內(nèi)形成聚苯并惡唑固化層，同時(shí)利用橋形金屬片形成“”“空氣橋”，從而能夠改善片內(nèi)電感Q值。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例集成電路片內(nèi)電感器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

參見圖1，是本實(shí)用新型實(shí)施例集成電路片內(nèi)電感器件的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的集成電路片內(nèi)電感器件包括襯底1，襯底1上形成有SiN隔離層2，SiN隔離層2具有露出襯底1的電感區(qū)域21，電感區(qū)域21內(nèi)形成有聚苯并惡唑固化層3，聚苯并惡唑固化層3與SiN隔離層2的厚度相同，聚苯并惡唑固化層3上形成有多個(gè)相連的橋形金屬片4。圖中僅示意顯示了兩個(gè)橋形金屬片4。

聚苯并惡唑材料的介電常數(shù)為2.6～2.9，利于提高片內(nèi)電感Q值，且具有感光性，可采用光刻方式定義有效區(qū)域。同時(shí)，采用多個(gè)相連的橋形金屬片4作為“空氣橋”形成電感，由于與襯底1的接觸面積的減少，能進(jìn)一步降低襯底1對(duì)電感的影響，降低損耗，提高電感Q值。

在本實(shí)施例中，橋形金屬片4的寬度為5μm～50μm，厚度為2μm～10μm，橋形金屬片4的橋墩間距與寬度的比例為1:3～1:5。襯底1的厚度為50μm～2mm，SiN隔離層2的厚度為50nm～1μm。

本實(shí)施例的集成電路片內(nèi)電感器件的制作過程為：

首先采用化學(xué)氣相沉積(CVD)或反應(yīng)濺射方法在襯底上生長(zhǎng)形成SiN隔離層；

其次采用光刻或反應(yīng)離子刻蝕方法在SiN隔離層上制作出露出襯底的電感區(qū)域；

然后在電感區(qū)域內(nèi)涂覆聚苯并惡唑材料，并采用光刻、烘烤工藝進(jìn)行處理形成聚苯并惡固化層；

再采用光刻、濺射、二次光刻等工藝在聚苯并惡固化層上定義出電感位置；

最后采用電鍍工藝在聚苯并惡固化層的電感位置上制作多個(gè)相連的橋形金屬片。

以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。