1.一種集成電路片內(nèi)電感器件，其特征在于，包括襯底，所述襯底上形成有SiN隔離層，所述SiN隔離層具有露出所述襯底的電感區(qū)域，所述電感區(qū)域內(nèi)形成有聚苯并惡唑固化層，所述聚苯并惡唑固化層與所述SiN隔離層的厚度相同，所述聚苯并惡唑固化層上形成有多個(gè)相連的橋形金屬片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路片內(nèi)電感器件，其特征在于，所述襯底的厚度為50μm～2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路片內(nèi)電感器件，其特征在于，所述SiN隔離層的厚度為50nm～1μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路片內(nèi)電感器件，其特征在于，所述橋形金屬片的寬度為5μm～50μm，厚度為2μm～10μm，所述橋形金屬片的橋墩間距與寬度的比例為1:3～1:5。