本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，具體涉及一種含側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的半導(dǎo)體鎖模激光器。

背景技術(shù)：

激光器中同時(shí)存在多個(gè)縱模，這些縱模的相位相互獨(dú)立，而鎖模技術(shù)就是把這些縱模的相位鎖定起來，使各縱模在時(shí)間上同步，頻率間隔也保持一定，這樣激光器就會(huì)輸出脈沖光。半導(dǎo)體鎖模激光器(MLLD)具有重復(fù)頻率高，脈寬窄，波長可精確控制，轉(zhuǎn)換效率高，穩(wěn)定性好，驅(qū)動(dòng)電源簡單，體積小，重量輕，功耗低，價(jià)格低廉，易集成等優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使得半導(dǎo)體鎖模激光器已經(jīng)成為光通訊、光時(shí)鐘、光互聯(lián)、高速信號的光學(xué)采樣等領(lǐng)域中的重要光源。

近年來，為了滿足人們對超短脈沖光源的廣泛需求，壓縮輸出脈沖技術(shù)手段也在不斷的進(jìn)步。被動(dòng)式半導(dǎo)體鎖模激光器包含脊增益區(qū)和吸收區(qū)，先利用脊增益區(qū)形成光脈沖，然后利用吸收區(qū)的可飽和吸收特性，當(dāng)光在激光器諧振腔中傳播時(shí)，光場強(qiáng)度較弱的光脈沖會(huì)由于損耗變得更弱而逐漸消失，光場強(qiáng)度較強(qiáng)的光脈沖在經(jīng)過吸收區(qū)時(shí)，可以造成吸收飽和并又返回到脊增益區(qū)，逐漸形成脈沖放大，實(shí)現(xiàn)被動(dòng)鎖模，最終形成較穩(wěn)定的超短脈沖輸出?？梢哉f，脊增益區(qū)關(guān)乎著光脈沖的輸出功率，吸收區(qū)可以調(diào)整光脈沖的脈寬。目前，基于多量子阱-量子點(diǎn)的半導(dǎo)體鎖模激光器已經(jīng)能產(chǎn)生脈寬在亞皮秒量級、峰值功率在幾百毫瓦的超短脈沖。

半導(dǎo)體鎖模激光器的尺寸非常小，這非常有利于光的集成和應(yīng)用，但同時(shí)也會(huì)提高對制備工藝精度的要求。半導(dǎo)體激光器一般通過光刻、腐蝕、生長介質(zhì)絕緣層、開電極窗口、濺射金屬芯片結(jié)構(gòu)等工藝形成。而光刻制備工藝盡管已經(jīng)很精細(xì)，但仍存在一定的精度問題，導(dǎo)致在制作脊波導(dǎo)時(shí)，脊的側(cè)邊會(huì)形成近波長或亞波長量級的凹凸結(jié)構(gòu)。這些凹凸結(jié)構(gòu)會(huì)對光產(chǎn)生散射或者衍射，對器件的光譜特性產(chǎn)生不良影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了得到高光譜質(zhì)量、窄脈寬、高功率的超短脈沖，本實(shí)用新型提供了一種含側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的半導(dǎo)體鎖模激光器，技術(shù)方案如下。

一種含側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的半導(dǎo)體鎖模激光器，所述半導(dǎo)體鎖模激光器采用脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，在該脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊上依次形成脊增益區(qū)、脊波導(dǎo)電隔離區(qū)和脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)，其中，脊波導(dǎo)電隔離區(qū)將脊增益區(qū)和脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)分隔開；在所述脊增益區(qū)側(cè)邊的任意位置形成側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)。

進(jìn)一步地，側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)被施加的電壓為反向偏壓或者正向偏壓，當(dāng)在側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)上施加反向偏壓時(shí)，側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)作為吸收區(qū)；當(dāng)在側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)上施加正向偏壓時(shí)，側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)作為增益區(qū)；當(dāng)側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)為多段時(shí)，各段側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)被施加的電壓為相同方向或不同方向。

進(jìn)一步地，脊增益區(qū)、脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)以及側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)上均設(shè)置平面電極，脊增益區(qū)、脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)以及側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的電極之間相互不相連。

進(jìn)一步地，所述脊增益區(qū)為長條形，所述脊波導(dǎo)電隔離區(qū)位于脊增益區(qū)沿長度方向的一端，脊增益區(qū)沿長度方向遠(yuǎn)離脊波導(dǎo)電隔離區(qū)的一端的端面為出光端面，出光端面鍍有增透膜；在脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)遠(yuǎn)離脊波導(dǎo)電隔離區(qū)的一端的端面鍍有高反射率的光學(xué)介質(zhì)膜，端面與出光端面均垂直于脊增益區(qū)的長度方向。

進(jìn)一步地，在脊增益區(qū)一側(cè)邊的任意位置形成一段側(cè)邊電隔離區(qū)和所述側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)，側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)沿與脊增益區(qū)長度方向相垂直的方向?qū)盈B制備，側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)均平行于脊增益區(qū)的長度方向；

或者，在脊增益區(qū)一側(cè)邊的任意位置并排間隔形成多段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)；每段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)沿與脊增益區(qū)長度方向相垂直的方向?qū)盈B制備，每段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)均平行于脊增益區(qū)的長度方向。

進(jìn)一步地，在脊增益區(qū)兩側(cè)邊的任意位置各設(shè)置一段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)，每段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)沿與脊增益區(qū)長度方向相垂直的方向?qū)盈B制備，每段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)均平行于脊增益區(qū)的長度方向。

進(jìn)一步地，在脊增益區(qū)一側(cè)邊的側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)與另一側(cè)邊的側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)對稱分布。

進(jìn)一步地，在脊增益區(qū)的兩側(cè)邊各設(shè)置多段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)，每段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)沿與脊增益區(qū)長度方向相垂直的方向?qū)盈B制備，每段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)均平行于脊增益區(qū)的長度方向。

進(jìn)一步地，脊增益區(qū)兩側(cè)邊的各段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)呈多段互補(bǔ)式對稱分布或鏡像對稱分布。

進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體鎖模激光器半導(dǎo)體鎖模激光器包括下波導(dǎo)層、有源區(qū)和上波導(dǎo)層，所述下波導(dǎo)層、有源區(qū)和上波導(dǎo)層依次設(shè)置構(gòu)成光限制層中心區(qū)域，在所述下波導(dǎo)層下依次設(shè)置下分離限制層、襯底和下電極，在上波導(dǎo)層上依次設(shè)置上分離限制層、蓋層、Si02電流隔離層和上電極。

本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型在所述脊增益區(qū)側(cè)邊的任意位置形成側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)，當(dāng)在側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)上施加反向偏壓時(shí)，增益/吸收區(qū)可視作可飽和吸收體，利用側(cè)邊吸收區(qū)所具有的光吸收特性，可減小脊波導(dǎo)側(cè)邊近波長或亞波長量級的凹凸結(jié)構(gòu)對光產(chǎn)生的散射或者衍射，減小激射對器件的光譜特性產(chǎn)生的不良影響；利用側(cè)邊吸收區(qū)所具有的飽和吸收特性及其引起的非線性折射，有效壓縮輸出脈沖的寬度。當(dāng)在側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)上施加正偏壓時(shí)，增益/吸收區(qū)可視作增益區(qū)，利用增益區(qū)的增益放大特性，能有效提高光脈沖的輸出功率。所以在增益區(qū)的電流和脊波導(dǎo)可飽和吸收區(qū)的電壓保持一定值時(shí)，僅調(diào)節(jié)側(cè)邊可調(diào)節(jié)增益/吸收區(qū)的偏壓，就可以優(yōu)化輸出光脈沖的脈沖寬度和光譜特性及輸出功率，從而實(shí)現(xiàn)鎖模激光器高質(zhì)量超短脈沖的輸出，同時(shí)適當(dāng)降低對制備工藝精度的要求，簡化了激光器性能測試時(shí)電流電壓復(fù)雜的調(diào)試。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型提出的脊增益區(qū)一側(cè)邊任意位置含側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的脊波導(dǎo)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型提出的脊增益區(qū)一側(cè)邊任意位置含多側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的脊波導(dǎo)示意圖；

圖3是本實(shí)用新型提出的脊增益區(qū)兩側(cè)邊任意位置含側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的脊波導(dǎo)示意圖；

圖4是本實(shí)用新型提出的脊增益區(qū)兩側(cè)邊任意位置含對稱分布側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的脊波導(dǎo)示意圖；

圖5是本實(shí)用新型提出的脊增益區(qū)兩側(cè)邊任意位置含多段互補(bǔ)式對稱分布側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的脊波導(dǎo)示意圖；

圖6是本實(shí)用新型提出的脊增益區(qū)兩側(cè)邊任意位置含鏡像對稱分布側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的脊波導(dǎo)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說明。但本領(lǐng)域技術(shù)人員都知曉，本實(shí)用新型并不局限于附圖和以下實(shí)施例。

本實(shí)用新型提出的一種含側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的半導(dǎo)體鎖模激光器，依次由下電極、襯底、下分離限制層、下波導(dǎo)層、有源區(qū)、上波導(dǎo)層、上分離限制層、蓋層、Si0₂電流隔離層、上電極構(gòu)成。有源區(qū)為含五層InGaAs的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，嵌入在厚度為250nm的GaAs波導(dǎo)中，72nm的GaAs/Al_0.3Ga_0.7As超晶格構(gòu)成分離限層，蓋層由1500nm的Al_0.35Ga_0.65As形成，最后用SiO₂做電流隔離層，用Ti/Au形成n型和p型電極接觸，襯底為GaAs材料。激光器通過光刻、腐蝕、生長介質(zhì)絕緣層、開電極窗口、濺射金屬芯片結(jié)構(gòu)等工藝形成。

該激光器的下波導(dǎo)層、有源區(qū)、上波導(dǎo)層構(gòu)成光限制層中心區(qū)域，光限制層中心區(qū)域構(gòu)成波導(dǎo)層，該激光器采用脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，脊增益區(qū)側(cè)邊的任意位置形成側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)，通過用電泵浦所述側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)來優(yōu)化光譜特性及光脈沖寬度和功率。

下面結(jié)合附圖對側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的具體設(shè)置位置進(jìn)行描述。

實(shí)施例1

圖1中給出了在脊增益區(qū)一側(cè)邊的任意位置設(shè)置側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的脊波導(dǎo)示意圖，在該脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊上依次形成脊增益區(qū)101、脊波導(dǎo)電隔離區(qū)105和脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)104，其中，脊波導(dǎo)電隔離區(qū)105將脊增益區(qū)101和脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)104分隔開，以形成電隔離。

脊增益區(qū)101為長條形，脊波導(dǎo)電隔離區(qū)105位于脊增益區(qū)101沿長度方向的一端，脊增益區(qū)101沿長度方向遠(yuǎn)離脊波導(dǎo)電隔離區(qū)105的一端的端面為出光端面106，出光端面106鍍有增透膜，例如增透膜反射率為5％；在脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)104遠(yuǎn)離脊波導(dǎo)電隔離區(qū)105的一端的端面107鍍有高反射率的光學(xué)介質(zhì)膜，例如反射率為95％高反膜；端面107與出光端面106均垂直于脊增益區(qū)101的長度方向。

在脊增益區(qū)一側(cè)邊的任意位置制備側(cè)邊電隔離區(qū)102和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)103，側(cè)邊電隔離區(qū)102和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)103沿與脊增益區(qū)101長度方向相垂直的方向?qū)盈B制備，側(cè)邊電隔離區(qū)102和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)103均平行于脊增益區(qū)101的長度方向。其中，側(cè)邊電隔離區(qū)102的第一表面與脊的側(cè)面接觸，側(cè)邊電隔離區(qū)102與第一表面相對的第二表面與側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)103接觸，側(cè)邊電隔離區(qū)102沿脊增益區(qū)101的長度方向的長度大于或等于側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)103沿脊增益區(qū)101的長度方向的長度，以做到更好的電隔離；側(cè)邊電隔離區(qū)102和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)103沿脊增益區(qū)101的長度方向的長度均小于或者等于脊增益區(qū)101的長度。

脊波導(dǎo)電隔離區(qū)105和側(cè)邊電隔離區(qū)102采用干、濕法腐蝕或者離子注入等工藝形成，使芯片的脊增益區(qū)101和脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)104之間以及脊增益區(qū)101和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)103之間存在幾百到幾千歐姆的電阻值，確保高程度的電隔離，但并不是光隔離。

脊增益區(qū)101、脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)104以及側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)103上均設(shè)置平面電極，脊增益區(qū)101、脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)104以及側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)103的電極之間相互不相連。

在激光器工作時(shí)，脊增益區(qū)上加正向電流形成增益，飽和吸收區(qū)上加反向偏壓來控制可飽和吸收恢復(fù)時(shí)間，從而壓縮脈沖寬度。當(dāng)在側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)上施加反向偏壓時(shí)，增益/吸收區(qū)視作可飽和吸收體，當(dāng)在側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)上施加正向偏壓時(shí)，增益/吸收區(qū)視作增益區(qū)。僅調(diào)節(jié)側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)103上的偏壓，利用吸收區(qū)所具有的光吸收特性或增益區(qū)所具有的增益放大特性，就可以優(yōu)化輸出脈沖的光譜特性及脈沖寬度。

實(shí)施例2

本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于，實(shí)施例1中只在脊增益區(qū)的一側(cè)邊設(shè)置一段側(cè)邊電隔離區(qū)102和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)103，而本實(shí)施例中在脊增益區(qū)的一側(cè)邊設(shè)置多段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)。圖2給出了在脊增益區(qū)一側(cè)邊設(shè)置兩段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的示例。

在脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊上依次形成脊增益區(qū)201、脊波導(dǎo)電隔離區(qū)205和脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)204，其中，脊波導(dǎo)電隔離區(qū)205將脊增益區(qū)201和脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)204分隔開，以形成電隔離。

脊增益區(qū)201為長條形，脊波導(dǎo)電隔離區(qū)205位于脊增益區(qū)201沿長度方向的一端，脊增益區(qū)201沿長度方向遠(yuǎn)離脊波導(dǎo)電隔離區(qū)205的一端的端面為出光端面206，出光端面206鍍有增透膜；在脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)204遠(yuǎn)離脊波導(dǎo)電隔離區(qū)205的一端的端面207鍍有高反射率的光學(xué)介質(zhì)膜，端面207與出光端面206均垂直于脊增益區(qū)201的長度方向。

在脊增益區(qū)一側(cè)邊的任意位置制備兩段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊吸收區(qū)，兩段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊吸收區(qū)在脊的一側(cè)邊并排制備。

第一段側(cè)邊電隔離區(qū)2021和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)2031沿與脊增益區(qū)201長度方向相垂直的方向?qū)盈B制備，第一段側(cè)邊電隔離區(qū)2021和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)2031均平行于脊增益區(qū)201的長度方向。其中，側(cè)邊電隔離區(qū)2021的第一表面與脊的側(cè)面接觸，側(cè)邊電隔離區(qū)2021與第一表面相對的第二表面與側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)2031接觸，側(cè)邊電隔離區(qū)2021沿脊增益區(qū)201的長度方向的長度大于或等于側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)2031沿脊增益區(qū)201的長度方向的長度，側(cè)邊電隔離區(qū)2021和側(cè)邊吸收區(qū)2031沿脊增益區(qū)201的長度方向的長度均小于脊增益區(qū)201的長度。

第二段側(cè)邊電隔離區(qū)2022和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)2032沿與脊增益區(qū)201長度方向相垂直的方向?qū)盈B制備，第二段側(cè)邊電隔離區(qū)2022和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)2032均平行于脊增益區(qū)101的長度方向。其中，側(cè)邊電隔離區(qū)2022的第一表面與脊的側(cè)面接觸，側(cè)邊電隔離區(qū)2022與第一表面相對的第二表面與側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)2032接觸，側(cè)邊電隔離區(qū)2022沿脊增益區(qū)201的長度方向的長度大于或等于側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)2032沿脊增益區(qū)201的長度方向的長度，側(cè)邊電隔離區(qū)2022和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)2032沿脊增益區(qū)201的長度方向的長度均小于脊增益區(qū)201的長度。

脊增益區(qū)201和脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)204以及側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)203上均設(shè)置平面電極，同一區(qū)域內(nèi)的電極相互獨(dú)立不交連，即脊增益區(qū)201區(qū)域內(nèi)的電極相互獨(dú)立不交連，脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)204區(qū)域內(nèi)的電極相互獨(dú)立不交連，側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)203區(qū)域內(nèi)的電極相互獨(dú)立不交連。

各側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)可以施加相同或不同方向的電壓，分別起到增益或者吸收的效果，以優(yōu)化輸出光脈沖的質(zhì)量。

側(cè)邊電隔離區(qū)2021和側(cè)邊電隔離區(qū)2022的尺寸可以相同，也可以不同；側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)2031和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)2032的尺寸可以相同，也可以不同。

本實(shí)施例與前述相同之處不再贅述。

實(shí)施例3

本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于，實(shí)施例1中只在脊增益區(qū)的一側(cè)邊設(shè)置一段側(cè)邊電隔離區(qū)102和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)103，而本實(shí)施例中在脊增益區(qū)的兩側(cè)邊各設(shè)置一段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)。

如圖3所示，在脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊上依次形成脊增益區(qū)301、脊波導(dǎo)電隔離區(qū)305和脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)304，其中，脊波導(dǎo)電隔離區(qū)305將脊增益區(qū)301和脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)304分隔開，以形成電隔離。脊增益區(qū)301沿長度方向遠(yuǎn)離脊波導(dǎo)電隔離區(qū)305的一端的端面為出光端306，出光端面306鍍有增透膜；在脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)304遠(yuǎn)離脊波導(dǎo)電隔離區(qū)305的一端的端面307鍍有高反射率的光學(xué)介質(zhì)膜。

在脊增益區(qū)一側(cè)邊的任意位置制備一段側(cè)邊電隔離區(qū)3021和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)3031，在另一側(cè)邊的任意位置制備一段側(cè)邊電隔離區(qū)3022和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)3032。

各側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)可以施加相同或不同方向的電壓，分別起到增益或者吸收的效果，以優(yōu)化輸出光脈沖的質(zhì)量。

側(cè)邊電隔離區(qū)3021和側(cè)邊電隔離區(qū)3022的尺寸可以相同，也可以不同；側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)3031和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)3032的尺寸可以相同，也可以不同。

其他與實(shí)施例1相同的內(nèi)容不再贅述。

實(shí)施例4

本實(shí)施例與實(shí)施例3的不同之處在于，實(shí)施例3中每側(cè)的側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)設(shè)置在脊增益區(qū)兩側(cè)邊的任意位置，而本實(shí)施例中脊增益區(qū)一側(cè)邊的側(cè)邊電隔離區(qū)4021和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)4031與另一側(cè)邊的側(cè)邊電隔離區(qū)4022和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)4032對稱分布，如圖4所示。

各側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的電極相互獨(dú)立不交連，可以施加相同或不同方向的電壓，分別起到增益或者吸收的效果，以優(yōu)化輸出光脈沖的質(zhì)量。

其他與前述相同的內(nèi)容不再贅述。

實(shí)施例5

本實(shí)施例與實(shí)施例3的不同之處在于，實(shí)施例3中，在脊增益區(qū)的兩側(cè)邊均設(shè)置一段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)，而本實(shí)施例中，在脊增益區(qū)的兩側(cè)邊各設(shè)置多段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)，并且脊波導(dǎo)兩側(cè)邊的各段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)為多段互補(bǔ)式對稱分布。

如圖5所示，以四段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)為例說明多段互補(bǔ)式側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊吸收區(qū)的分布情況：沿脊增益區(qū)501的長度方向，在脊增益區(qū)501同一側(cè)邊的第一段側(cè)邊電隔離區(qū)5021和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)5031與第三段側(cè)邊電隔離區(qū)5023和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)5033之間預(yù)留出第二段側(cè)邊電隔離區(qū)5022和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)5032尺寸匹配的空間，第二段側(cè)邊電隔離區(qū)5022和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)5032位于脊增益區(qū)501另一側(cè)邊與該空間對應(yīng)的位置；同理，在脊增益區(qū)501同一側(cè)邊的第二段側(cè)邊電隔離區(qū)5022和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)5032與第四段側(cè)邊電隔離區(qū)5024和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)5034之間預(yù)留的空間與脊增益區(qū)501另一側(cè)邊的第三段側(cè)邊電隔離區(qū)5023和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)5033尺寸相匹配。

各側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的電極相互獨(dú)立不交連，可以施加相同或不同方向的電壓，分別起到增益或者吸收的效果，以優(yōu)化輸出光脈沖的質(zhì)量。

其他與前述相同的內(nèi)容不再贅述。

實(shí)施例6

本實(shí)施例與實(shí)施例5的不同之處在于，實(shí)施例5中各段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)周期互補(bǔ)式分布，實(shí)施例6中各段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)為多段鏡像對稱分布，如圖6所示，在脊增益區(qū)601一側(cè)邊的第一段側(cè)邊電隔離區(qū)6021和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)6031與在脊增益區(qū)601另一側(cè)邊的第二段側(cè)邊電隔離區(qū)6022和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)6032對稱分布，在脊增益區(qū)601一側(cè)邊的第三段側(cè)邊電隔離區(qū)6023和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)6033與在脊增益區(qū)601另一側(cè)邊的第四段側(cè)邊電隔離區(qū)6024和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)6034對稱分布。

其他與前述相同的內(nèi)容不再贅述。

根據(jù)上述實(shí)施例1-6可知，該側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)可以是單側(cè)單段，如實(shí)施例1；或者是單側(cè)多段，如實(shí)施例2；或者是兩側(cè)邊單段，如實(shí)施例3和4；或者是兩側(cè)邊多段，實(shí)施例5和6。

以上，對本實(shí)用新型的實(shí)施方式進(jìn)行了說明。但是，本實(shí)用新型不限定于上述實(shí)施方式。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。