1.一種含側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的半導(dǎo)體鎖模激光器，其特征在于，所述半導(dǎo)體鎖模激光器采用脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，在該脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的脊上依次形成脊增益區(qū)、脊波導(dǎo)電隔離區(qū)和脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)，其中，脊波導(dǎo)電隔離區(qū)將脊增益區(qū)和脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)分隔開；在所述脊增益區(qū)側(cè)邊的任意位置形成側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體鎖模激光器，其特征在于，側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)被施加的電壓為反向偏壓或者正向偏壓，當(dāng)在側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)上施加反向偏壓時(shí)，側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)作為吸收區(qū)；當(dāng)在側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)上施加正向偏壓時(shí)，側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)作為增益區(qū)；當(dāng)側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)為多段時(shí)，各段側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)被施加的電壓為相同方向或不同方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體鎖模激光器，其特征在于，脊增益區(qū)、脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)以及側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)上均設(shè)置平面電極，脊增益區(qū)、脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)以及側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)的電極之間相互不相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體鎖模激光器，其特征在于，所述脊增益區(qū)為長(zhǎng)條形，所述脊波導(dǎo)電隔離區(qū)位于脊增益區(qū)沿長(zhǎng)度方向的一端，脊增益區(qū)沿長(zhǎng)度方向遠(yuǎn)離脊波導(dǎo)電隔離區(qū)的一端的端面為出光端面，出光端面鍍有增透膜；在脊波導(dǎo)飽和吸收區(qū)遠(yuǎn)離脊波導(dǎo)電隔離區(qū)的一端的端面鍍有高反射率的光學(xué)介質(zhì)膜，端面與出光端面均垂直于脊增益區(qū)的長(zhǎng)度方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體鎖模激光器，其特征在于，在脊增益區(qū)一側(cè)邊的任意位置形成一段側(cè)邊電隔離區(qū)和所述側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)，側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)沿與脊增益區(qū)長(zhǎng)度方向相垂直的方向?qū)盈B制備，側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)均平行于脊增益區(qū)的長(zhǎng)度方向；
或者，在脊增益區(qū)一側(cè)邊的任意位置并排間隔形成多段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)；每段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)沿與脊增益區(qū)長(zhǎng)度方向相垂直的方向?qū)盈B制備，每段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)均平行于脊增益區(qū)的長(zhǎng)度方向。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體鎖模激光器，其特征在于，在脊增益區(qū)兩側(cè)邊的任意位置各設(shè)置一段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)，每段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)沿與脊增益區(qū)長(zhǎng)度方向相垂直的方向?qū)盈B制備，每段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)均平行于脊增益區(qū)的長(zhǎng)度方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體鎖模激光器，其特征在于，在脊增益區(qū)一側(cè)邊的側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)與另一側(cè)邊的側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)對(duì)稱分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體鎖模激光器，其特征在于，在脊增益區(qū)的兩側(cè)邊各設(shè)置多段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)，每段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)沿與脊增益區(qū)長(zhǎng)度方向相垂直的方向?qū)盈B制備，每段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)均平行于脊增益區(qū)的長(zhǎng)度方向。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體鎖模激光器，其特征在于，脊增益區(qū)兩側(cè)邊的各段側(cè)邊電隔離區(qū)和側(cè)邊可調(diào)增益/吸收區(qū)呈多段互補(bǔ)式對(duì)稱分布或鏡像對(duì)稱分布。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體鎖模激光器，其特征在于，所述半導(dǎo)體鎖模激光器半導(dǎo)體鎖模激光器包括下波導(dǎo)層、有源區(qū)和上波導(dǎo)層，所述下波導(dǎo)層、有源區(qū)和上波導(dǎo)層依次設(shè)置構(gòu)成光限制層中心區(qū)域，在所述下波導(dǎo)層下依次設(shè)置下分離限制層、襯底和下電極，在上波導(dǎo)層上依次設(shè)置上分離限制層、蓋層、Si02電流隔離層和上電極。