本實(shí)用新型涉及一種基板移送裝置(APPARATUS OF TRANSFERRING SUBSTRATE)，更為具體地，涉及一種基板移送裝置，其以將結(jié)束研磨工藝的基板以正確的姿勢放置于正確的位置的狀態(tài)移送基板，并防止晶元在移送過程中干燥。

背景技術(shù)：

化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)裝置是一種在半導(dǎo)體元件制造過程中，為了實(shí)現(xiàn)根據(jù)大面積平坦化和用于形成電路的接觸(Contact)/配線膜分離及集成元件化的基板表面粗糙度提高等而對基板的表面進(jìn)行精密研磨加工所使用的裝置，所述大面積平坦化是指去除由通過反復(fù)進(jìn)行掩蔽(masking)、蝕刻(etching)及配線工藝等而生成的基板表面的凹凸所造成的單元(Cell)區(qū)域與周圍電路區(qū)域間的高度差。

如圖1所示，如果化學(xué)機(jī)械研磨裝置X1通過供給臂H將圓形基板W供給至載體頭 CH，則隨著搭載于載體頭CH的基板在研磨平板P上得到加壓，進(jìn)行根據(jù)摩擦的機(jī)械研磨工藝，與此同時(shí)，通過供給于研磨平板P的研磨液進(jìn)行化學(xué)研磨工藝。

由于化學(xué)機(jī)械研磨工藝以在基板W的研磨面附著很多異物的狀態(tài)結(jié)束，因此通過多個(gè)步驟來進(jìn)行將基板W的研磨面清洗干凈的清洗工藝。為此，結(jié)束CMP工藝的基板W，為了去除粘附于表面的異物，如圖2a所示，成為通過供給臂H被安置于基板移送裝置1 的移動(dòng)主體20的狀態(tài)，移動(dòng)主體20沿著規(guī)定的路徑Rx移動(dòng)99d的同時(shí)，進(jìn)行在基板清洗裝置1的各清洗模塊C1、C2、C3的清洗工藝。

在此，各個(gè)清洗模塊C1、C2、C3的清洗裝置設(shè)置為收容于各個(gè)殼內(nèi)，如果基板W 流入清洗模塊的清洗空間，則從移動(dòng)主體20接收基板W并通過設(shè)置于清洗空間的清洗裝置進(jìn)行清洗工藝。

但是，如果基板W不能準(zhǔn)確地被安裝于移動(dòng)主體20的規(guī)定位置，則隨著設(shè)置于清洗空間的清洗裝置從移動(dòng)主體20接收基板W時(shí)發(fā)生錯(cuò)誤，如圖2b所示，基板W發(fā)生墜落。由此，以串聯(lián)形式連續(xù)進(jìn)行的多個(gè)基板處理工藝中斷的同時(shí)，造成無法避免基板受損的問題。

不僅如此，如果完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝的基板W被干燥，則發(fā)生因安裝于基板W的元件的種類而受損的情況。由此，如圖2b所示，因?yàn)槟硞€(gè)基板W的墜落66，以串聯(lián)形式連續(xù)進(jìn)行工藝的多個(gè)基板W無法被移送至接下來的工藝，而固定在那個(gè)位置，如果作業(yè)人員去除墜落的基板W時(shí)所用的時(shí)間延遲幾分以上，則造成多個(gè)基板W受損而需要承受嚴(yán)重的金錢損失的問題。

因此，針對結(jié)束化學(xué)機(jī)械研磨工藝而進(jìn)行多個(gè)步驟的清洗工藝的基板W，迫切需要一種將基板W從移送裝置1毫無誤差地轉(zhuǎn)移至各清洗模塊C1、C2、C3內(nèi)的清洗裝置從而可以進(jìn)行清洗工藝，并且在清洗工藝中即使某一個(gè)基板W墜落66也可以防止其他基板W被干燥而受損的方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型在上述的技術(shù)背景下提出，其目的在于，使得結(jié)束化學(xué)機(jī)械研磨工藝的基板經(jīng)過多個(gè)步驟的清洗工藝的同時(shí)，毫無誤差地將基板傳送至各個(gè)清洗裝置。

換句話說，本實(shí)用新型的目的在于，即使結(jié)束化學(xué)機(jī)械研磨工藝的基板以錯(cuò)開的形態(tài)位于基板移送裝置，也能夠在基板被移送的過程中對規(guī)定的位置和規(guī)定的形態(tài)進(jìn)行矯正，從而即使不另外經(jīng)過將基板向正確的位置調(diào)整的工藝，也能準(zhǔn)確地將基板傳送至清洗裝置，從而提高工藝效率。

此外，本實(shí)用新型的目的在于，即使在化學(xué)機(jī)械研磨工藝后進(jìn)行的基板的清洗工藝中發(fā)生錯(cuò)誤，也能夠使得基板不干燥，從而防止基板受損。

為了達(dá)成上述目的，本實(shí)用新型提供一種基板移送裝置，所述基板移送裝置作為以使得結(jié)束化學(xué)機(jī)械研磨工藝的基板放置的狀態(tài)進(jìn)行移送的裝置，其特征在于，包括：移動(dòng)主體；基板放置架，其從移動(dòng)主體向下方延長并以互相面對的形式折曲且設(shè)置有兩個(gè)以上的放置面，使得所述基板放置于所述放置面；流體供給部，其向所述基板供給液體或氣體。

其目的在于，在結(jié)束化學(xué)機(jī)械研磨工藝的基板的表面附著有研磨粒子等，如果基板的表面干燥并固著有研磨粒子等，則通過清洗工藝也不能去除研磨粒子等，因而基板永久性受損，因此，通過流體供給部持續(xù)地供給液體或氣體來維持基板的濕潤狀態(tài)，從而即使在清洗工藝發(fā)生錯(cuò)誤，也能防止基板受損。

此時(shí)，優(yōu)選地，在所述基板放置架，傾斜面形成于放置面的外側(cè)。一般來說，由于基板以較薄的厚度形成，即使以傾斜的形態(tài)錯(cuò)誤地將基板放置于移送裝置，基板的邊緣和傾斜面之間的摩擦力也相對較小，因而可以以更加可靠且沒有沖撞的形式使得基板乘著傾斜面下滑，并以正常的水平的形態(tài)移動(dòng)。

此時(shí)，優(yōu)點(diǎn)在于，平坦的放置面的末端之間的長度規(guī)定為與基板的直徑或?qū)挾认鄬?yīng)的長度，所述平坦的放置面與所述基板放置架的所述傾斜面形成界限。據(jù)此，就乘著傾斜面且只放置于平坦面的基板而言，邊緣面全部排列于傾斜面和平坦面的臨界位置，因而不僅基板的形態(tài)呈水平，而且基板的位置變成沿著所述臨界位置而排列邊緣面的狀態(tài)。換句話說，基板的形態(tài)和位置可同時(shí)調(diào)整為預(yù)定的形態(tài)。

此時(shí)，所述基板以工藝面朝向上側(cè)的形式被放置于基板放置架，從而從流體供給部將液體或氣體供給至所述基板的所述工藝面，工藝面維持濕潤的狀態(tài)，從而可防止粘附于工藝面的異物固著。

此外，所述基板移送裝置可以設(shè)置為，通過同時(shí)對多個(gè)移動(dòng)主體進(jìn)行移送來實(shí)現(xiàn)一次對多個(gè)基板進(jìn)行運(yùn)送。據(jù)此，可以更加提高在多個(gè)步驟的清洗裝置中進(jìn)行階段性的清洗工藝的效率。

并且，供給于所述基板的流體可以是純水(DIW)或清洗液。通過供給純水既可以維持基板的濕潤狀態(tài)，并且通過向基板供給化學(xué)制品等的清洗液使得在基板的移送中也能進(jìn)行從基板表面去除異物的清洗工藝，從而也可以縮短在清洗室進(jìn)行清洗工藝所需的時(shí)間。

另外，所述流體供給部位于所述基板的上側(cè)，并向所述基板供給液體或氣體，從而穩(wěn)定地維持基板的濕潤狀態(tài)。此時(shí)，流體供給部以相對基板的表面傾斜的形式噴射液體或氣體，從而即使是用較小的流量也能使基板的表面整體維持濕潤的狀態(tài)。

并且，有效地，所述流體供給部配置兩個(gè)以上，并且在偏離所述基板的中心的位置配置一個(gè)以上。據(jù)此可以更加確定的是，如果基板從放置面中任意一個(gè)翹起來，則只在從基板的中心隔開的流體供給部噴射液體或氣體，或者在從基板的中心隔開的流體供給部以更高的壓力噴射液體，從而進(jìn)行引導(dǎo)使得基板以全部接觸的狀態(tài)放置于放置面。

為此，在所述基板放置架可以設(shè)置感知傳感器，所述感知傳感器對所述基板是否準(zhǔn)確地安裝于放置面進(jìn)行感知。并且，如果通過所述感知傳感器感知到所述基板的某一側(cè)處于與所述放置面非接觸的狀態(tài)，則可設(shè)置為從配置于所述基板的非接觸位置的流體供給部以高于大氣壓的壓力向所述基板噴射液體或氣體。

另外，本實(shí)用新型可設(shè)置為，在所述基板位于所述基板放置架的狀態(tài)下，從所述流體供給部以高于大氣壓的第一壓力進(jìn)行一次噴射，以所述第一壓力噴射后從所述流體供給部以低于所述第一壓力的第二壓力進(jìn)行二次噴射。由此，在基板被供給于基板放置架的狀態(tài)下，以高壓噴射液體或氣體，并且以基板的邊緣緊貼于放置面的狀態(tài)進(jìn)行調(diào)節(jié)后，以低壓向基板的表面供給液體，從而可通過少量液體流量維持濕潤狀態(tài)。

另外，根據(jù)實(shí)用新型的其他領(lǐng)域，本實(shí)用新型的以使得基板放置的狀態(tài)進(jìn)行移送的基板移送裝置，可通過如下步驟進(jìn)行操作：基板供給步驟，將基板供給至在移動(dòng)主體的下側(cè)互相以面對的形式折曲延長的兩個(gè)以上的基板放置架的上面；流體供給步驟，如果所述基板被供給至所述基板放置架，則從設(shè)置于所述移動(dòng)主體的流體供給部向所述基板的表面供給液體；基板移動(dòng)步驟，所述移動(dòng)主體移動(dòng)，從而從第一位置向第二位置移動(dòng)。

在此，所述第二位置可以是進(jìn)行所述基板的清洗工藝的清洗裝置。

并且，所述流體供給步驟以比大氣壓高的第一壓力噴射所述液體或所述氣體，并且可與將所述基板放置于所述放置面的基板放置步驟一起進(jìn)行。據(jù)此，使得基板維持濕潤狀態(tài)和使得基板以規(guī)定的姿勢和位置的形式放置的動(dòng)作可通過一個(gè)操作來進(jìn)行。

并且，所述基板放置步驟可在所述基板移動(dòng)步驟中進(jìn)行。據(jù)此，可縮短將基板放置于規(guī)定的位置所需的時(shí)間，從而提高工藝效率。

為了更高可靠性地控制基板的位置，還包括感知步驟，對所述基板的一側(cè)與所述基板放置架的放置面是否為非接觸的狀態(tài)進(jìn)行感知，可設(shè)置為至所述基板與所述放置面達(dá)到接觸狀態(tài)時(shí)為止，從所述流體供給部以高于大氣壓的壓力向所述基板噴射液體。

并且，與感知步驟的有無無關(guān)，如果所述基板被供給至所述基板放置架，則所述流體供給步驟以高于大氣壓的第一壓力噴射液體后，也可以以低于所述第一壓力的第二壓力將液體供給至所述基板。

本說明書及權(quán)利要求書中記載的“與基板的直徑或?qū)挾认鄬?yīng)”的長度及與此類似的術(shù)語定義為以如下程度所規(guī)定的長度：雖然由于比基板W的直徑略大使得基板W的邊緣板面與放置面進(jìn)行面接觸，但基板W在其位置上不晃動(dòng)且形態(tài)和位置得到固定，從而在接下來的工藝中不進(jìn)行另外的排列工藝。

根據(jù)本實(shí)用新型可獲得的有利效果在于，為了多個(gè)步驟的清洗工藝而對結(jié)束化學(xué)機(jī)械研磨工藝的基板進(jìn)行移送的期間，通過向基板的表面供給液體來維持濕潤狀態(tài)，從而即使因難以預(yù)料的情況導(dǎo)致基板的處理工藝中斷，也能防止因基板的干燥所引起的基板受損。

此外，本實(shí)用新型可獲得的效果在于，通過使得基板總是以規(guī)定的形態(tài)和位置位于基板移送裝置的放置面，從而可預(yù)防因沒有正確放置基板而使得在下個(gè)工藝(例如，清洗工藝)中在接收基板時(shí)發(fā)生的錯(cuò)誤。

并且，本實(shí)用新型可獲得的有利效果在于，即使基板以傾斜的形式供給于放置面，沒有另外的追加工藝時(shí)間通過引導(dǎo)基板至規(guī)定的位置和形態(tài)，在沒有追加的工藝時(shí)間的情況下也能在移送之后的工藝中正確地傳送基板。

此外，本實(shí)用新型的效果在于，通過對是否正確地將基板放置于放置面進(jìn)行感知，可切實(shí)防止基板以錯(cuò)誤的形態(tài)被傳送至下一個(gè)工藝。

此外，本實(shí)用新型可獲得的優(yōu)點(diǎn)在于，通過以高壓對液體進(jìn)行一次噴射而使基板位于正確的位置，并且通過對低壓的液體進(jìn)行二次供給來維持基板的濕潤狀態(tài)，從而使液體的使用量最小化，同時(shí)使基板的移送效率最大化。

附圖說明

圖1是示出和化學(xué)機(jī)械研磨裝置鄰近的現(xiàn)有的基板清洗裝置的腔室(Chamber)排列結(jié)構(gòu)的平面圖，

圖2a是圖1的基板移送裝置的橫截面圖，

圖2b是示出圖1的基板移送裝置錯(cuò)誤的圖，

圖3是按順序示出根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的基板移送裝置的操作方法的順序圖，

圖4是示出根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的基板移送裝置的構(gòu)成的立體圖，

圖5是根據(jù)圖4的截?cái)嗑€V-V的截面圖，

圖6是示出向基板移送裝置的移動(dòng)主體供給基板的構(gòu)成的圖，

圖7是示出將基板以錯(cuò)誤的形態(tài)被放置的狀態(tài)放置于基板移送裝置的基板放置架的狀態(tài)的圖，

圖8是示出對以圖7的錯(cuò)誤形態(tài)被放置的基板的形態(tài)及位置進(jìn)行矯正并維持濕潤狀態(tài)的圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。但是，在對本實(shí)用新型進(jìn)行說明時(shí)，為了明確本實(shí)用新型的要旨而省略對眾所周知的功能或構(gòu)成的具體說明。

如圖所示，根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的基板移送裝置100是一種在如圖1所示的在化學(xué)機(jī)械研磨裝備X1進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝后為了在多個(gè)清洗模塊C1、C2、C3進(jìn)行多個(gè)步驟的清洗工藝而對基板W進(jìn)行移送的裝置?；逡扑脱b置100從化學(xué)機(jī)械研磨裝備X1的供給臂(hand ler)H得到基板W的傳送，然后向各個(gè)清洗模塊C1、C2、C3 的清洗裝置移送，將基板W傳送至清洗裝置后進(jìn)行清洗工藝。

為此，如圖4所示，基板移送裝置100包括：框架110，其設(shè)置為使得移送塊體115 進(jìn)行往返移動(dòng)；移動(dòng)主體120，其連接于移送塊體115并與移送塊體115一起移動(dòng)；基板放置架125，其固定于移動(dòng)主體120并使得基板W放置；流體供給部130，其向放置于基板放置架125的基板W的表面供給氣體或液體130a(以下為了便利以噴射液體的情況進(jìn)行說明)；感知傳感器140，其對基板W是否準(zhǔn)確地放置于基板放置架125的放置面 125s進(jìn)行感知。

流體供給部130既可一起供給氣體和液體，也可只供給氣體和液體中任意一種。但是，更加優(yōu)選地，為了維持基板的濕潤狀態(tài)而噴射液體。

所述框架110在內(nèi)部設(shè)置有移送軌道Rx，移送塊體115設(shè)置為通過驅(qū)動(dòng)馬達(dá)(未示出)可沿著移送軌道Rx往返移動(dòng)。

所述移動(dòng)主體120從移送塊體115開始得到連接，并隨著移送塊體115的移動(dòng)一起移動(dòng)。在想要得到結(jié)束化學(xué)機(jī)械研磨工藝的基板W的傳遞時(shí)，向接收從圖1的供給臂H 傳送的基板W的位置(圖4的最左邊移動(dòng)主體120向最左邊末端部)移動(dòng)，為了將接收到的基板W供給至第一清洗模塊C1，與移送塊體115的移動(dòng)一起移動(dòng)。

并且，如果基板W從位于最左邊的移動(dòng)主體120向第一清洗模塊C1傳遞，則位于最左邊的移動(dòng)主體120為了再次從圖1的供給臂H得到結(jié)束化學(xué)機(jī)械研磨工藝的基板W 的傳遞，以圖4為基準(zhǔn)，向最左邊末端部移動(dòng)。并且，在第一清洗模塊C1完成清洗的基板W通過圖4的中央部的移動(dòng)主體120向接下來的第二清洗模塊C2移動(dòng)。以所述方式通過多個(gè)移動(dòng)主體120，從供給臂H得到傳送的基板W按順序經(jīng)過多個(gè)清洗模塊C1、 C2、C3的同時(shí)，進(jìn)行多個(gè)步驟的清洗工藝。

在此，移送塊體115形成為一個(gè)，多個(gè)移動(dòng)主體120也可設(shè)置為與移送塊體115的往返移動(dòng)被聯(lián)動(dòng)從而一起移動(dòng)，并且隨著移送塊體115形成為多個(gè)并獨(dú)立地進(jìn)行往返移動(dòng)，多個(gè)移動(dòng)主體120也可與各個(gè)移送塊體115的往返移動(dòng)被聯(lián)動(dòng)并獨(dú)立地移動(dòng)。

如圖4及圖5所示，所述基板放置架125從移動(dòng)主體120向下方延長然后向內(nèi)側(cè)折曲形成，并形成有放置基板W的邊緣的放置面125s。并且，從放置面125s的末端部形成有向上傾斜面125a，在基板W以傾斜的形式被放置的情況下，因基板W的邊緣和傾斜面125a的較低摩擦力而容易下滑，從而可使得基板W位于規(guī)定的形態(tài)和位置。

在此，規(guī)定的形態(tài)和位置指的是基板W的邊緣板面不與放置面125s隔開而是緊貼的狀態(tài)。為此，放置面125s的末端之間的間隔L1規(guī)定為比基板W的直徑或?qū)挾?Wd) 小。并且，形成基板放置架125的傾斜面125a和放置面125s相交的界線的放置面125s 的末端之間的長度L2與放置的基板W的直徑或?qū)挾萕d相對應(yīng)從而其長短得以規(guī)定。并且，基板放置架125的內(nèi)面的間隔L3規(guī)定為使得基板W易于放置的大小。

雖然在圖中例示了基板放置架125以間隔180度的間距的形式形成有兩個(gè)的構(gòu)成，但如果可設(shè)置有基板W進(jìn)入和進(jìn)出的通道，則也可形成為3個(gè)以上。

此處，如圖所示，供給至基板放置架130的基板W既可以形成為圓板形態(tài)，也可以形成為四邊形形態(tài)。

所述流體供給部130接收從流體供給部P供給的純水或清洗液中的任意一種，并將純水(DIW)或清洗液中的任意一種供給至位于基板放置架125的基板W的表面從而維持基板W的濕潤狀態(tài)。此時(shí)，液體130可以從流體供給部130自上側(cè)向下方得以供給，且可以沿傾斜的方向得以供給，從而引導(dǎo)用較小的流量使得大面積的基板表面為潤濕狀態(tài)。

由流體供給部130噴射的液體的噴射壓力以可調(diào)節(jié)的形式得到規(guī)定。優(yōu)選地，流體供給部130的液體噴射壓力設(shè)置為以高于大氣壓的第一壓力和低于第一壓力的第二壓力 (第二壓力可以比大氣壓高)得到調(diào)節(jié)。

據(jù)此，如果基板W被供給于基板放置架125，則以較高的第一壓力噴射液體130a，在基板W的邊緣的一部分沒有緊貼于平坦的放置面125s的狀態(tài)下，基板W因液體130a 的噴射力130F而向下方滑動(dòng)的同時(shí)，基板W的邊緣從傾斜的傾斜面125a向下滑55，隨之基板W沿由附圖標(biāo)號55’標(biāo)示的方向橫向移動(dòng)，隨著基板W向規(guī)定的位置移動(dòng)，成為基板W的邊緣表面與放置面125s緊貼的狀態(tài)。

此時(shí)，雖然流體供給部130也可只配置于基板W的上側(cè)的任意一個(gè)位置，但在基板 W的上側(cè)，與基板W的中心隔開的位置，在包括至少一個(gè)的多個(gè)位置，可配置兩個(gè)以上。因此，不僅在基板W的中央部向下方導(dǎo)入液體噴射力130F，也可針對偏離基板W的中心的傾斜位置導(dǎo)入液體噴射力130F，從而可使得基板W的邊緣板面以從放置面125s翹起的狀態(tài)準(zhǔn)確地移動(dòng)至緊貼于放置面125s的準(zhǔn)確位置。

由流體供給部130所供給的液體130a可以是純水(DIW)或清洗液。通過供給純水可維持基板W的濕潤狀態(tài)，并且通過將化學(xué)制品等的清洗液供給至基板W使得在基板W 的移送中也能進(jìn)行從基板W的表面去除異物的清洗工藝，從而可縮短在清洗室進(jìn)行清洗工藝所需的時(shí)間。

所述感知傳感器140設(shè)置于基板放置架125的放置面125s，并對基板W的邊緣板面是否為緊貼(面接觸)于放置面125s的狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)感知。尤其，如圖6所示，感知傳感器140在基板W被供給于基板放置架120時(shí)立即對基板W的正常放置與否進(jìn)行感知。

感知傳感器140既可以是探針(Probe)或開關(guān)方式的接觸傳感器，也可以是利用激光束的非接觸傳感器。

由此，如果基板W的邊緣板面被供給于基板放置架125的放置面125s，則對基板W 的邊緣板面是否為全部與基板放置架120的放置面125s面接觸的狀態(tài)進(jìn)行感知。并且，在基板W的邊緣板面相對于任意一個(gè)以上的放置面125s不是面接觸的狀態(tài)的情況下，只在鄰近基板W翹起的位置的流體供給部130高壓噴射液體130a，或以更高的壓力向鄰近基板W翹起的位置的流體供給部130噴射液體130a，從而引導(dǎo)基板W相對放置面125s 翹起的部分迅速地緊貼于放置面125s。

如此，以高壓噴射液體130a持續(xù)至通過感知傳感器140感知到基板W的邊緣板面與所有放置面125s為面接觸的狀態(tài)為止。據(jù)此，可獲得的效果在于，可始終可靠地進(jìn)行使得基板W準(zhǔn)確地放置于基板放置架125的平坦的放置面125s的操作。

以下，對根據(jù)如上所述構(gòu)成的根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的基板移送裝置100的操作方法進(jìn)行詳細(xì)敘述。

步驟一：首先，如圖6所示，為了基板W的移送將基板W供給至基板放置架125(S110)。此時(shí)，基板W在圖1所示的化學(xué)機(jī)械研磨區(qū)域X1進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝后，將工藝面朝向上方以翻轉(zhuǎn)180度的狀態(tài)供給至基板放置架125。

步驟二：如果基板W被供給至基板放置架125，則流體供給部130以高于大氣壓的高壓(例如，2bar至5bar)一次噴射液體130a，以使得基板W的邊緣板面位于與放置面125s面接觸的準(zhǔn)確位置的形式進(jìn)行移動(dòng)55’S120。

換句話說，通過流體供給部130得到供給的液體130a因液體的流動(dòng)壓力而使得基板W移動(dòng)至預(yù)定位置，同時(shí)使基板W的工藝面維持濕潤狀態(tài)。

步驟三：進(jìn)行步驟二后或進(jìn)行步驟二的同時(shí)，移動(dòng)主體120使基板W從第一位置移動(dòng)至第二位置S130。

此時(shí)，雖然步驟二S120在移動(dòng)主體120靜止的狀態(tài)下可和步驟三分開進(jìn)行，但也可和步驟三S130同時(shí)進(jìn)行，所述步驟三為移動(dòng)主體120從接收基板W的第一位置向進(jìn)行下一工藝的第二位置(例如，清洗模塊內(nèi)部)移動(dòng)。

如此，由于不需要使得基板W位于移送裝置100的規(guī)定位置的追加時(shí)間，因此，可不會(huì)使工藝效率降低，同時(shí)可防止在基板W的傳送上發(fā)生錯(cuò)誤。

步驟四：然后，流體供給部130以更低的低壓(例如，0.5bar至1.5bar)供給液體130a，從而使基板W的工藝面(上面)維持濕潤狀態(tài)S140。向基板W的工藝面供給低壓液體來維持基板W的濕潤狀態(tài)持續(xù)至為了下一工藝而傳送基板W時(shí)為止。

由此，即使在基板W向多個(gè)清洗模塊C1、C2、C3移動(dòng)的期間針對任意一個(gè)基板W 發(fā)生錯(cuò)誤，其余的基板W持續(xù)地接收從流體供給部130供給的純水或清洗液，因此可預(yù)防基板W因干燥而受損。

以下，對根據(jù)如上所述構(gòu)成的本實(shí)用新型的其他實(shí)施例的基板移送裝置100的操作方法進(jìn)行詳細(xì)敘述。

步驟一：首先，如圖6所示，為了基板W的移送將基板W供給至基板放置架125 (S110)。此時(shí)，基板W在圖1所示的化學(xué)機(jī)械研磨區(qū)域X1進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝后，將工藝面朝向上方以翻轉(zhuǎn)180度的狀態(tài)供給至基板放置架125。

步驟二：如果基板W被供給至基板放置架125，則感知傳感器140對基板W的邊緣板面是否為緊貼于放置面125s的狀態(tài)進(jìn)行感知。

并且，哪怕感知到對基板W進(jìn)行接觸支撐的放置面125s中任意一個(gè)沒有面接觸于基板W且為翹起的狀態(tài)，則只在與基板W的翹起位置最接近的流體供給部130噴射高壓液體130a，或噴射比其他流體供給部130較高的壓力的液體130a，如圖8所示，翹起位置的基板W下滑55，使得基板W向預(yù)定的準(zhǔn)確位置移動(dòng)55’。

換句話說，由流體供給部130所供給的液體130a因液體的流動(dòng)壓力使基板W移動(dòng)至預(yù)定位置，同時(shí)使基板W的工藝面維持濕潤狀態(tài)。

步驟三：進(jìn)行步驟二后或與進(jìn)行步驟二的同時(shí)，移動(dòng)主體120使基板W從第一位置移動(dòng)至第二位置S130。

此時(shí)，步驟二S120在移動(dòng)主體120靜止的狀態(tài)下可和步驟三分開進(jìn)行，但也可和步驟三S130同時(shí)進(jìn)行，所述階段三為移動(dòng)主體120從接收基板W第一位置向進(jìn)行下一工藝的第二位置(例如，清洗模塊內(nèi)部)移動(dòng)。

如此，由于不需要使得基板W位于移送裝置100的規(guī)定位置的追加時(shí)間，因此，可不會(huì)使工藝效率降低，同時(shí)可防止在基板W的傳送上發(fā)生錯(cuò)誤。

步驟四：然后，流體供給部130以更低的低壓(例如，0.5bar至1.5bar)供給液體130a，從而使基板W的工藝面(上面)維持濕潤狀態(tài)S140。向基板W的工藝面供給低壓液體來維持基板W的濕潤狀態(tài)持續(xù)至為了下一工藝而傳送基板W時(shí)為止。

如上所述構(gòu)成的本實(shí)用新型，可獲得的有利效果在于，為了多個(gè)步驟的清洗工藝而對結(jié)束化學(xué)機(jī)械研磨工藝的基板W進(jìn)行多步驟移送的期間，通過將液體供給至基板W的表面來維持基板的濕潤狀態(tài)，從而即使基板的處理工藝意外地中斷，也能防止基板W被干燥的同時(shí)受損。

并且，本實(shí)用新型可獲得的有利效果在于，利用使得基板W的表面維持濕潤狀態(tài)的液體的壓力，使得基板W以規(guī)定的形態(tài)和位置位于基板移送裝置的放置面125s，在這個(gè)過程中無需追加工藝時(shí)間，從而可使工藝效率不降低，同時(shí)可預(yù)防在基板W的移送和傳送上發(fā)生錯(cuò)誤。

以上雖然通過優(yōu)選實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了例示說明，但本實(shí)用新型不只限定于如上所述的特定實(shí)施例，且只要是在本實(shí)用新型所提出的技術(shù)思想，具體來說，在權(quán)利要求所記載的范圍內(nèi)，可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種修正、變更及完善。

標(biāo)號說明

W：基板； 100：基板移送裝置；

110：框架； 120：移動(dòng)主體；

125：基板放置架； 125s：放置面；

125a：傾斜面； 130：流體供給部；

140：感知傳感器。