本實(shí)用新型涉及納米材料的制備領(lǐng)域，特別是涉及一種圓片級(jí)制備硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管。

背景技術(shù)：

納米技術(shù)是融合了許多學(xué)科的新興高新科技，其中納米材料是納米技術(shù)非常重要的研究方向。近年來(lái)，納米技術(shù)的研究和新納米材料的開(kāi)發(fā)都取得了長(zhǎng)足的發(fā)展，并且在生物、醫(yī)療、環(huán)境等行業(yè)得到了應(yīng)用。當(dāng)物質(zhì)的特征尺寸減小到納米尺度時(shí)，相關(guān)力學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)和電學(xué)等性能會(huì)發(fā)生明顯變化，出現(xiàn)了表面效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等新穎的物理現(xiàn)象。

由于傳感器領(lǐng)域?qū)`敏度要求的不斷提高，人們紛紛將目光投向納米技術(shù)領(lǐng)域，硅納米線(xiàn)作為一種新型一維納米材料，具有優(yōu)異力、熱、光、電等性能，其比表面積大，外界環(huán)境能夠引起材料本身性質(zhì)發(fā)生很大改變，所以該材料具有極大的潛力提升傳感器靈敏度，具有廣闊的應(yīng)用前景。

基于硅納米線(xiàn)的場(chǎng)效應(yīng)管既能保留硅納米線(xiàn)的優(yōu)異性能，同時(shí)還能通過(guò)控制外設(shè)電路讓器件工作在穩(wěn)定的工作點(diǎn)，得到更加準(zhǔn)確的反饋，所以基于硅納米線(xiàn)的場(chǎng)效應(yīng)管在傳感器領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。

但現(xiàn)有技術(shù)采用普通(111)型硅片，由于在硅片上不同區(qū)域干法刻蝕速率不同，所以會(huì)導(dǎo)致不同區(qū)域硅槽的深度不同，如圖1至圖3所示，其中，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)干法刻蝕形成五個(gè)不同深度硅槽的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為對(duì)圖1所述硅槽進(jìn)行濕法腐蝕后形成四個(gè)不同厚度硅墻壁的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為對(duì)圖2所述硅墻壁進(jìn)行氧化，形成硅納米線(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1至圖3所示，從左至右看，由于第一個(gè)硅墻壁太厚，導(dǎo)致氧化后仍然為硅墻壁；而由于第二個(gè)硅墻壁較厚，導(dǎo)致氧化后得到的硅納米線(xiàn)3的直徑較大；而對(duì)第三個(gè)硅墻壁氧化后得到正常的硅納米線(xiàn)3；由于第五個(gè)硅槽太深，導(dǎo)致濕法腐蝕后未出現(xiàn)硅墻壁?？梢?jiàn)，基于普通硅片1制備硅納米線(xiàn)陣列時(shí)，由于干法刻蝕在硅片上不同位置的刻蝕速率不同，使得刻蝕的硅槽深度不同，導(dǎo)致硅薄壁的厚度不同，最終導(dǎo)致硅納米線(xiàn)陣列中各硅納米線(xiàn)的尺寸不同。

鑒于此，有必要提供一種圓片級(jí)制備硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管用以解決上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種圓片級(jí)制備硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中基于硅片制備硅納米線(xiàn)陣列時(shí)無(wú)法實(shí)現(xiàn)高可控性及高一致性的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管，所述硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管包括：

一(111)型SOI硅片，所述(111)型SOI硅片包括底層硅、氧化層及頂層硅；

位于所述頂層硅上表面及氧化層上方的氮化硅掩膜層，其中，所述氮化硅掩膜層表面形成有暴露所述氧化層的六邊形腐蝕槽陣列；

位于所述氮化硅掩膜層下表面的硅納米線(xiàn)陣列；

位于所述氮化硅掩膜層上表面且與所述硅納米線(xiàn)陣列位置對(duì)應(yīng)的柵極；以及

位于所述氮化硅掩膜層上表面的源極和漏極，其中，所述源極和漏極之間設(shè)置有至少一條暴露所述氧化層的隔離溝道。

優(yōu)選地，所述頂層硅的厚度為小于等于30um。

優(yōu)選地，所述硅納米線(xiàn)陣列中任一硅納米線(xiàn)的寬度為70～110nm。

優(yōu)選地，所述硅納米線(xiàn)陣列為叉指結(jié)構(gòu)，且所述柵極為叉指結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述源極和漏極之間設(shè)置有2條隔離溝道。

優(yōu)選地，所述柵極為金、銅、鋁或多晶硅中的一種。

如上所述，本實(shí)用新型的一種圓片級(jí)制備硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管，具有以下有益效果：

1.本實(shí)用新型由于采用中間設(shè)有氧化層的SOI硅片，對(duì)頂層硅進(jìn)行干法刻蝕時(shí)，由于氧化層的阻擋，所述凹槽陣列的深度都為頂層硅的厚度，且在濕法腐蝕時(shí)腐蝕溶液腐蝕(111)晶向的速率很低，能夠精確控制硅薄壁的厚度，進(jìn)而使得本實(shí)用新型所制備的硅納米線(xiàn)具有高可控性及高一致性。

2.本實(shí)用新型通過(guò)在每條硅納米線(xiàn)上設(shè)置柵極，使柵極覆蓋了所有的硅納米線(xiàn)，并通過(guò)隔離溝道有效地將源極和漏極進(jìn)行物理隔離，保證了場(chǎng)效應(yīng)管的器件性能。

3.本實(shí)用新型所述硅納米線(xiàn)由于其整體貼在氮化硅掩膜層上，能夠有效避免硅納米線(xiàn)斷裂，成品率高。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)干法刻蝕形成五個(gè)不同深度硅槽的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示為對(duì)圖1所述不同深度硅槽進(jìn)行濕法腐蝕后形成四個(gè)不同厚度硅墻壁的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3顯示為對(duì)圖2所述硅墻壁進(jìn)行氧化，形成硅納米線(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4～圖12b顯示為本實(shí)用新型硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管的制備方法的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖6b是圖6a沿AA’方向的截面圖，圖7b是圖7a沿BB’方向的截面圖，圖8b是圖8a沿CC’方向的截面圖，圖9b是圖9a沿DD’方向的截面圖，圖12b是圖12a沿EE’方向的截面圖。

圖13顯示為本實(shí)用新型所述硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管的電鏡圖。

圖14顯示為通過(guò)本實(shí)用新型所述制備方法制備的硅納米線(xiàn)放大圖。

圖15顯示為通過(guò)本實(shí)用新型所述制備方法制備的硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管的掃描曲線(xiàn)。

圖16a和圖16b顯示為表示硅納米線(xiàn)陣列中各硅納米線(xiàn)寬度一致性情況的示意圖，其中，圖16b為圖16a中區(qū)域e的放大圖。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

S1～S8 步驟

1 硅片

2 氮化硅掩膜層

3 硅納米線(xiàn)

101 底層硅

102 氧化層

103 頂層硅

4 矩形窗口陣列

5 凹槽陣列

6 六邊形腐蝕槽陣列

7 硅薄壁陣列

8 硅納米線(xiàn)陣列

9 柵極

10 源極

11 漏極

12 隔離溝道

a～l 區(qū)域a～區(qū)域l

具體實(shí)施方式

以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖4至圖16。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本實(shí)用新型中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供一種圓片級(jí)制備硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管的方法，所述制備方法包括：

S1：提供一(111)型SOI硅片，所述(111)型SOI硅片包括底層硅101、氧化層102及頂層硅103；

S2：在所述頂層硅103表面形成氮化硅掩膜層2，并通過(guò)光刻工藝在所述氮化硅掩膜層2中形成傾斜的矩形窗口陣列4；

S3：通過(guò)所述矩形窗口陣列4對(duì)所述頂層硅103進(jìn)行干法刻蝕，暴露出所述氧化層102，形成凹槽陣列5；

S4：通過(guò)所述凹槽陣列5對(duì)所述頂層硅103進(jìn)行各向異性腐蝕，形成六邊形腐蝕槽陣列6，且相鄰兩個(gè)六邊形腐蝕槽之間形成預(yù)設(shè)寬度的硅薄壁；

S5：基于自限制熱氧化工藝對(duì)所述(111)型SOI硅片進(jìn)行氧化，在硅薄壁陣列7的頂部形成硅納米線(xiàn)陣列8；

S6：以所述硅納米線(xiàn)陣列8中每條硅納米線(xiàn)表面的氮化硅掩膜層2作為柵介質(zhì)層，在所述柵介質(zhì)層表面制作柵極9；

S7：在所述硅納米線(xiàn)陣列8兩端的氮化硅掩膜層2中形成第一、第二窗口，然后分別在第一、第二窗口中制作源極10和漏極11，且所述源極10和漏極11之間設(shè)置有至少一條隔離溝道12，其中，所述隔離溝道12暴露出所述氧化層102；

S8：去除被氧化的硅薄壁陣列7，釋放出所述硅納米線(xiàn)陣列8。

下面結(jié)合具體附圖對(duì)本實(shí)施例所述硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管的制備方法作詳細(xì)的介紹。

如圖4所示，提供一(111)型SOI硅片，所述(111)型SOI硅片包括底層硅101、氧化層102及頂層硅103。其中，所述頂層硅103的厚度為小于等于30um，以使硅納米線(xiàn)直徑的一致性更好。優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，所述頂層硅103的厚度為30um；當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，所述頂層硅103的厚度還可以為5um，8um，10um，13um，15um，18um，20um，23um，25um或28um等。

需要說(shuō)明的是，SOI硅片從下到上依次包括底層硅101、氧化層102及頂層硅103，當(dāng)后續(xù)對(duì)SOI硅片進(jìn)行刻蝕時(shí)，由于中間氧化層102的阻擋，使得每處刻蝕都直接到氧化層102，即每處刻蝕的深度都相同，都為頂層硅103的厚度，由此保證了后續(xù)形成的硅納米線(xiàn)陣列中每條硅納米線(xiàn)形狀、寬度等的一致性，并且由于每條硅納米線(xiàn)的形狀、寬度等參數(shù)均一，因此可以將硅納米線(xiàn)做成陣列結(jié)構(gòu)，最終實(shí)現(xiàn)硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管的制備。

需要說(shuō)明的是，(111)型SOI硅片由于面密度大，其面間距也大，故其晶面間原子的吸引力就小，而后續(xù)進(jìn)行各向異性腐蝕時(shí)，腐蝕液腐蝕(111)自停止面的速率很低，這樣能夠精確地控制硅薄壁的厚度，以實(shí)現(xiàn)硅納米線(xiàn)陣列中任一硅納米線(xiàn)形狀、寬度等的高可控性和高一致性。

如圖5至圖6b所示，在所述頂層硅103表面形成氮化硅掩膜層2，并通過(guò)光刻工藝在所述氮化硅掩膜層2中形成傾斜的矩形窗口陣列4。

具體的，采用化學(xué)氣相沉積法于所述頂層硅103表面形成所述低應(yīng)力致密的氮化硅薄膜。

具體的，先在所述氮化硅掩膜層2表面涂覆光刻膠，然后在光刻膠中形成窗口圖形后，采用反應(yīng)離子刻蝕法RIE將該窗口圖形轉(zhuǎn)移至所述氮化硅掩膜層2上。

需要說(shuō)明的是，所述矩形窗口陣列中任一矩形窗口的長(zhǎng)和寬均相同，并依據(jù)后續(xù)硅薄壁陣列7的厚度定義其長(zhǎng)、寬和間距。

如圖7a和7b所示，通過(guò)所述矩形窗口陣列4對(duì)所述頂層硅103進(jìn)行干法刻蝕，暴露出所述氧化層102，形成凹槽陣列5。

具體的，采用反應(yīng)離子刻蝕法RIE對(duì)所述頂層硅103進(jìn)行刻蝕，直至暴露出所述氧化層102，形成凹槽陣列5，其中，所述凹槽陣列5中凹槽的深度與所述頂層硅103的厚度相等，均為30um。

如圖8a和8b所示，通過(guò)所述凹槽陣列5對(duì)所述頂層硅103進(jìn)行各向異性腐蝕，形成六邊形腐蝕槽陣列6，且相鄰兩個(gè)六邊形腐蝕槽之間形成預(yù)設(shè)寬度的硅薄壁。

具體的，采用KOH溶液對(duì)所述頂層硅103進(jìn)行各向異性腐蝕，形成六邊形腐蝕槽陣列6，其中，所述六邊形腐蝕槽陣列中任一六邊形腐蝕槽的每個(gè)面都屬于(111)晶面族。

具體的，硅薄壁的寬度為320～380nm。優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，所述硅薄壁的寬度為350nm；當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，所述硅薄壁的寬度還可以為320nm，325nm，330nm，335nm，340nm，345nm，355nm，360nm，365nm，370nm，375nm，或380nm等。

具體的，所述硅薄壁與所述氧化層的夾角為70.5°。

如圖9a和9b所示，基于自限制熱氧化工藝對(duì)所述(111)型SOI硅片進(jìn)行氧化，在硅薄壁陣列7的頂部形成硅納米線(xiàn)陣列8，其中，所述硅納米線(xiàn)陣列為叉指結(jié)構(gòu)。

需要說(shuō)明的是，由于硅納米線(xiàn)陣列8中任一硅納米線(xiàn)整體貼在氮化硅掩膜層上，能夠有效避免硅納米線(xiàn)斷裂。

需要說(shuō)明的是，通過(guò)將所述硅納米線(xiàn)陣列8設(shè)為叉指結(jié)構(gòu)，有效地增大了硅納米線(xiàn)的密度，進(jìn)而提高了器件的靈敏性。

如圖10所示，以所述硅納米線(xiàn)陣列8中每條硅納米線(xiàn)表面的氮化硅掩膜層2作為柵介質(zhì)層，在所述柵介質(zhì)層表面制作柵極9，其中，所述柵極形成為叉指結(jié)構(gòu)。

需要說(shuō)明的是，通過(guò)在每條硅納米線(xiàn)表面制作柵極9覆蓋所有的硅納米線(xiàn)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅納米線(xiàn)的保護(hù)，避免硅納米線(xiàn)斷裂。

具體的，所述柵極的材料可以是金、銅、鋁等金屬，也可以采用多晶硅材料。

如圖11所示，在所述硅納米線(xiàn)陣列8兩端的氮化硅掩膜層2中形成第一、第二窗口，然后分別在第一、第二窗口中制作源極10和漏極11，且所述源極10和漏極11之間設(shè)置有至少一條隔離溝道12，其中，所述隔離溝道12暴露出所述氧化層102。

需要說(shuō)明的是，通過(guò)所述隔離溝道12將所述源極10和漏極11進(jìn)行物理隔絕，避免了所述源極10和漏極11之間的干擾，以保證僅有硅納米線(xiàn)陣列8連接所述源極10和漏極11，進(jìn)而提高了器件的性能。

如圖12a和12b所示，去除被氧化的硅薄壁陣列7，釋放出所述硅納米線(xiàn)陣列8。

實(shí)施例二

如圖12a和12b所示，本實(shí)施例提供一種硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管，所述硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管包括：

一(111)型SOI硅片，所述(111)型SOI硅片包括底層硅101、氧化層102及頂層硅103；

位于所述頂層硅103上表面及氧化層102上方的氮化硅掩膜層2，其中，所述氮化硅掩膜層2表面形成有暴露所述氧化層102的六邊形腐蝕槽陣列6；

位于所述氮化硅掩膜層2下表面的硅納米線(xiàn)陣列8；

位于所述氮化硅掩膜層2上表面且與所述硅納米線(xiàn)陣列8位置對(duì)應(yīng)的柵極9；以及

位于所述氮化硅掩膜層2上表面的源極10和漏極11，其中，所述源極10和漏極11之間設(shè)置有至少一條暴露所述氧化層102的隔離溝道12。

具體的，所述頂層硅103的厚度為小于等于30um。

優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，所述頂層硅103的厚度為30um；當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，所述頂層硅103的厚度還可以為5um，8um，10um，13um，15um，18um，20um，23um，25um或28um等。

需要說(shuō)明的是，當(dāng)所述頂層硅103的厚度小于等于30um時(shí)，所述硅納米線(xiàn)直徑的一致性更好。

具體的，所述硅納米線(xiàn)陣列8為叉指結(jié)構(gòu)，且所述柵極9也形成為叉指結(jié)構(gòu)。

需要說(shuō)明的是，通過(guò)將所述硅納米線(xiàn)陣列8設(shè)為叉指結(jié)構(gòu)，有效地增大了硅納米線(xiàn)的密度，進(jìn)而提高了器件的靈敏性。而且，通過(guò)將硅納米線(xiàn)陣列整體貼在氮化硅掩膜層上，并在其上覆蓋柵極，以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅納米線(xiàn)陣列的保護(hù)，能夠有效避免硅納米線(xiàn)的斷裂。

具體的，所述柵極為金、銅、鋁或多晶硅中的一種。

具體的，所述源極10和漏極11之間設(shè)置有2條隔離溝道12。

需要說(shuō)明的是，通過(guò)所述隔離溝道12將所述源極10和漏極11進(jìn)行物理隔絕，避免了所述源極10和漏極11之間的干擾，以保證僅有硅納米線(xiàn)陣列8連接所述源極10和漏極11，進(jìn)而提高了器件的性能。

通過(guò)實(shí)施例一所述制備方法制備硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管，其電鏡圖如圖13所示，硅納米線(xiàn)的放大圖如圖14所示。其中，所述硅納米線(xiàn)陣列中各硅納米線(xiàn)的理論寬度為90nm，對(duì)所述場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行測(cè)試，得到如圖15和圖16所示的測(cè)試結(jié)果。

如圖15所示，圖15為通過(guò)本實(shí)用新型所述制備方法制備的硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管的掃描曲線(xiàn)，從圖15可以看出，本實(shí)用新型所制備的硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管的柵極的調(diào)制效果明顯，器件性能優(yōu)異。

如圖16a和圖16b所示，圖16a和圖16b表示硅納米線(xiàn)陣列中各硅納米線(xiàn)寬度一致性情況的示意圖，其中，圖16b為圖16a中區(qū)域e的放大圖。對(duì)圖16a中各區(qū)域硅納米線(xiàn)寬度的測(cè)量結(jié)果如下：區(qū)域a中硅納米線(xiàn)的寬度為110nm，區(qū)域b中硅納米線(xiàn)的寬度為106nm，區(qū)域c中硅納米線(xiàn)的寬度為96nm，區(qū)域d中硅納米線(xiàn)的寬度為79.4nm，區(qū)域e中硅納米線(xiàn)的寬度為107nm，區(qū)域f中硅納米線(xiàn)的寬度為89.3nm，區(qū)域g中硅納米線(xiàn)的寬度為79.4nm，區(qū)域h中硅納米線(xiàn)的寬度為75nm，區(qū)域i中硅納米線(xiàn)的寬度為83.3nm，區(qū)域j中硅納米線(xiàn)的寬度為103nm，區(qū)域k中硅納米線(xiàn)的寬度為102nm，區(qū)域l中硅納米線(xiàn)的寬度為107nm；可見(jiàn)，通過(guò)本實(shí)用新型所述制備方法制備的硅納米線(xiàn)的寬度分布在70～110nm之間，由此實(shí)現(xiàn)將硅納米線(xiàn)陣列中各硅納米線(xiàn)寬度的精度控制在±20nm之內(nèi)。

本實(shí)用新型所述制備方法首次實(shí)現(xiàn)了圓片級(jí)大批量制備高可控性、高一致性的硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管，其硅納米線(xiàn)陣列的高一致性使得所述場(chǎng)效應(yīng)管作為傳感器等敏感元件時(shí)，硅納米線(xiàn)陣列中所有硅納米線(xiàn)同時(shí)檢測(cè)到被測(cè)信號(hào)，在保證外界噪聲大小不變的情況下，有效實(shí)現(xiàn)了被測(cè)信號(hào)的疊加，極大地提高了信噪比和器件性能，使得器件的電路部分極其容易實(shí)現(xiàn)，為硅納米線(xiàn)的廣泛應(yīng)用打下基礎(chǔ)。

綜上所述，本實(shí)用新型的一種圓片級(jí)制備硅納米線(xiàn)陣列場(chǎng)效應(yīng)管，具有以下有益效果：

1.本實(shí)用新型由于采用中間設(shè)有氧化層的SOI硅片，對(duì)頂層硅進(jìn)行干法刻蝕時(shí)，由于氧化層的阻擋，所述凹槽陣列的深度都為頂層硅的厚度，且在濕法腐蝕時(shí)腐蝕溶液腐蝕(111)晶向的速率很低，能夠精確控制硅薄壁的厚度，進(jìn)而使得本實(shí)用新型所制備的硅納米線(xiàn)具有高可控性及高一致性。

2.本實(shí)用新型通過(guò)在每條硅納米線(xiàn)上設(shè)置柵極，使柵極覆蓋了所有的硅納米線(xiàn)，并通過(guò)隔離溝道有效地將源極和漏極進(jìn)行物理隔離，保證了場(chǎng)效應(yīng)管的器件性能。

3.本實(shí)用新型所述硅納米線(xiàn)由于其整體貼在氮化硅掩膜層上，能夠有效避免硅納米線(xiàn)斷裂，成品率高。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。