技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型提供一種圓片級(jí)制備硅納米線陣列場(chǎng)效應(yīng)管，包括：一(111)型SOI硅片，所述(111)型SOI硅片包括底層硅、氧化層及頂層硅；位于所述頂層硅上表面及氧化層上方的氮化硅掩膜層，其中，所述氮化硅掩膜層表面形成有暴露所述氧化層的六邊形腐蝕槽陣列；位于所述氮化硅掩膜層下表面的硅納米線陣列；位于所述氮化硅掩膜層上表面且與所述硅納米線陣列位置對(duì)應(yīng)的柵極；以及位于所述氮化硅掩膜層上表面的源極和漏極，其中，所述源極和漏極之間設(shè)置有至少一條暴露所述氧化層的隔離溝道。通過本實(shí)用新型提供的圓片級(jí)制備硅納米線陣列場(chǎng)效應(yīng)管，解決了現(xiàn)有技術(shù)中基于硅片制備硅納米線陣列時(shí)無法實(shí)現(xiàn)高可控性及高一致性的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：李鐵;楊勛;王躍林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
文檔號(hào)碼：201621370548
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.14
技術(shù)公布日：2017.06.27