相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2015年2月25日向美國(guó)專利商標(biāo)局提交的非臨時(shí)申請(qǐng)no.14/631,391的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過援引納入于此。

背景

領(lǐng)域

各種特征涉及在封裝層中包括被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝。

背景

圖1解說了包括第一管芯102和封裝基板106的集成器件封裝100。封裝基板106包括電介質(zhì)層和多個(gè)互連110。封裝基板106是層壓基板。多個(gè)互連110包括跡線、焊盤和/或通孔。第一管芯102通過第一組焊球112耦合到封裝基板106。封裝基板106通過第二組焊球116耦合到印刷電路板(pcb)108。圖1解說了電感器120被安裝在pcb108上。電感器120位于集成器件封裝100的外部，并且占據(jù)pcb108上的大量占用空間。

圖1中示出的電感器120的一個(gè)缺點(diǎn)在于，其創(chuàng)建了具有對(duì)于移動(dòng)計(jì)算設(shè)備和/或可穿戴計(jì)算設(shè)備的需求而言可能過大的形狀因子的器件。這可能導(dǎo)致過大和/或過厚的器件。即，圖1中示出的集成器件封裝100、電感器120和pcb108的組合可能過厚和/或具有過大以至于不能滿足移動(dòng)計(jì)算設(shè)備和/或可穿戴計(jì)算設(shè)備的需求/要求的表面面積。

因此，存在對(duì)具有更好的形狀因子、而同時(shí)滿足移動(dòng)計(jì)算設(shè)備和/或可穿戴計(jì)算設(shè)備的需求和/或要求的集成器件封裝的需求。

概述

各種特征涉及包括封裝層中被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝。

第一示例提供了一種集成器件封裝，其包括封裝基板、耦合到所述封裝基板的管芯、對(duì)所述管芯進(jìn)行封裝的封裝層、以及被配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電材料的至少一個(gè)薄片，其中，導(dǎo)電材料的所述至少一個(gè)薄片至少部分地被所述封裝層封裝。

第二示例提供了一種用于制造集成器件封裝的方法。所述方法提供封裝基板。所述方法將管芯耦合到所述封裝基板。所述方法將導(dǎo)電材料的至少一個(gè)薄片耦合到所述封裝基板，其中，導(dǎo)電材料的所述至少一個(gè)薄片被形成為作為電感器來操作。所述方法形成封裝層，所述封裝層至少部分地封裝所述管芯和導(dǎo)電材料的所述至少一個(gè)薄片。

附圖

在結(jié)合附圖理解下面闡述的詳細(xì)描述時(shí)，各種特征、本質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)會(huì)變得明顯，在附圖中，相同的附圖標(biāo)記始終作相應(yīng)標(biāo)識(shí)。

圖1解說了集成器件封裝。

圖2解說了在封裝層中包括被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝的示例的剖面圖。

圖3解說了被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的傾斜視圖。

圖4解說了被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的剖面圖。

圖5解說了被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的平面圖(例如，俯視圖)。

圖6解說了用于提供/制造被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的示例性序列。

圖7解說了用于提供/制造被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的方法的示例性流程圖。

圖8解說了被配置為另一電感器的導(dǎo)電薄片的傾斜視圖。

圖9解說了被配置為另一電感器的導(dǎo)電薄片的剖面圖。

圖10解說了在封裝層中包括被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝的示例的剖面圖。

圖11解說了被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的傾斜視圖。

圖12解說了用于提供/制造在封裝層中包括被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝的示例性序列。

圖13解說了用于提供/制造在封裝層中包括被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝的方法的示例性流程圖。

圖14(包括圖14a-14b)解說了用于提供/制造在封裝層中包括被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝的示例性序列。

圖15解說了用于提供/制造在封裝層中包括被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝的方法的示例性流程圖。

圖16解說了被配置為電感器的導(dǎo)電薄片的平面圖(例如，俯視圖)。

圖17解說了半加成圖案化(sap)工藝的示例。

圖18解說了鑲嵌工藝的示例。

圖19解說了可集成本文所描述的集成器件封裝、半導(dǎo)體器件、管芯、集成電路和/或pcb的各種電子設(shè)備。

詳細(xì)描述

在以下描述中，給出了具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)本公開的各個(gè)方面的透徹理解。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，沒有這些具體細(xì)節(jié)也可實(shí)踐這些方面。例如，電路可能用框圖示出以避免使這些方面湮沒在不必要的細(xì)節(jié)中。在其他實(shí)例中，公知的電路、結(jié)構(gòu)和技術(shù)可能不被詳細(xì)示出以免湮沒本公開的這些方面。

一種集成器件封裝包括封裝基板、耦合到封裝基板的管芯、對(duì)管芯進(jìn)行封裝的封裝層、以及被配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電材料的至少一個(gè)薄片。導(dǎo)電材料的薄片至少部分地被封裝層封裝。在一些實(shí)現(xiàn)中，導(dǎo)電材料的薄片可被配置成作為螺線管電感器來操作。導(dǎo)電材料的薄片包括第一薄片部分以及耦合到第一薄片部分的第二薄片部分。第一薄片部分和第二薄片部分形成電感器的第一繞組。導(dǎo)電材料的薄片還包括耦合到第一薄片部分的第一端子部分、以及耦合到第二薄片部分的第二端子部分。第一薄片部分形成在該薄片的第一層上，并且第二薄片部分形成在該薄片的第二層上。

包括被配置為電感器的導(dǎo)電材料的薄片的示例性集成器件封裝

圖2解說了在封裝層中包括被配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝的示例。具體而言，圖2解說了集成器件封裝200的示例，其包括基板202、管芯204、薄片206、以及封裝層208?；?02可以是封裝基板和/或中介體。管芯204耦合(例如，安裝)到基板202。更具體而言，管芯204通過第一組焊球240耦合到基板202。在一些實(shí)現(xiàn)中，管芯204可以不同方式耦合到基板202。例如，管芯204可通過柱和/或焊料耦合到基板202。

薄片206耦合到基板202。薄片206可以是被形成和/或配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電材料的至少一個(gè)薄片。電感器可包括一組繞組。電感器可以是螺線管電感器。以下在圖3中進(jìn)一步詳細(xì)描述了薄片206和電感器。

封裝層208至少部分地封裝管芯204和薄片206。封裝層208可包括至少模塑和/或樹脂填料中的一者。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝層208可以是可光刻圖案化層?？晒饪虉D案化層/材料是光可蝕刻的材料。即，可光刻圖案化層/材料由能夠通過將材料經(jīng)由掩膜(例如，光掩膜)暴露于光源(例如，紫外(uv)光)而被蝕刻和/或移除(例如，通過光刻工藝)的材料制成。

如圖2中所示，基板202包括至少一個(gè)電介質(zhì)層220、若干個(gè)互連221(例如，跡線、焊盤、通孔)、阻焊層222、以及焊盤223?；ミB是器件(例如，集成器件、集成器件封裝、管芯)和/或基底(例如，封裝基板、印刷電路板、中介體)的允許或促成兩個(gè)點(diǎn)、元件和/或組件之間的電連接的元件或組件。在一些實(shí)現(xiàn)中，互連可包括跡線、通孔、焊盤、柱、重分布金屬層、和/或凸塊下金屬化(ubm)層。在一些實(shí)現(xiàn)中，互連是為信號(hào)(例如，數(shù)據(jù)信號(hào)、接地信號(hào)、功率信號(hào))提供電路徑的導(dǎo)電材料?；ミB可包括一個(gè)以上的元件/組件。一組互連可包括一個(gè)或多個(gè)互連。圖2進(jìn)一步解說了焊盤223耦合到薄片206。焊盤223是互連的一種形式。在一些實(shí)現(xiàn)中，焊盤223通過導(dǎo)電接合材料耦合到薄片206。

圖2進(jìn)一步解說了集成器件封裝200通過第二組焊球228耦合(例如，安裝)到印刷電路板(pcb)250上。更具體而言，集成器件封裝200的基板202通過第二組焊球228耦合到pcb250。在一些實(shí)現(xiàn)中，集成器件封裝200可以不同方式耦合到pcb250。

圖3解說了薄片206的傾斜視圖。薄片206可以是包括被形成或配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電材料的一個(gè)或多個(gè)薄片。在一些實(shí)現(xiàn)中，薄片206可具有大約10微米(μm)或更小的厚度。薄片206可包括電感部分301。薄片206的電感部分301可被形成和/或配置成作為電感器(例如，電感裝置)來操作。在一些實(shí)現(xiàn)中，薄片206的電感部分301可被形成和/或配置成作為螺線管電感器(例如，螺線管電感裝置)來操作。

電感部分301包括第一薄片部分302、第二薄片部分304、第三薄片部分312、第四薄片部分314、第五薄片部分322、第六薄片部分324、第七薄片部分332、第八薄片部分334、以及第九薄片部分342。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一薄片部分302、第二薄片部分304、第三薄片部分312、第四薄片部分314、第五薄片部分322、第六薄片部分324、第七薄片部分332、第八薄片部分334、和/或第九薄片部分342中的一些或全部被形成和/或配置成作為電感器(例如，螺線管電感器)來操作。

第一薄片部分302耦合到第二薄片部分304。第二薄片部分304耦合到第三薄片部分312。第三薄片部分312耦合到第四薄片部分314。第四薄片部分314耦合到第五薄片部分322。第五薄片部分322耦合到第六薄片部分324。第六薄片部分324耦合到第七薄片部分332。第七薄片部分332耦合到第八薄片部分334。第八薄片部分334耦合到第九薄片部分342。

第一薄片部分302、第三薄片部分312、第五薄片部分322、第七薄片部分332、以及第九薄片部分342可由薄片206的第一層(例如，上層)形成。第二薄片部分304、第四薄片部分314、第六薄片部分324、以及第八薄片部分334由薄片206的第二層(例如，下層)形成。

第一薄片部分302和第二薄片部分304可形成電感器的第一繞組。第三薄片部分312和第四薄片部分314可形成電感器的第二繞組。第五薄片部分322和第六薄片部分324可形成電感器的第三繞組。第七薄片部分332和第八薄片部分334可形成電感器的第四繞組。

圖3還解說了薄片206包括第一端子部分350、第二端子部分360、第三端子部分370、以及第四端子部分380。第一端子部分350和第二端子部分360可耦合到第一薄片部分302。第三端子部分370和第四端子部分380可耦合到第九薄片部分342。在一些實(shí)現(xiàn)中，薄片206的一個(gè)或多個(gè)端子部分可耦合到基板202(例如，可耦合到基板202的互連)。例如，薄片206的第二端子部分360可耦合到基板202的焊盤223。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用導(dǎo)電接合材料將一個(gè)或多個(gè)端子部分耦合到基板202(例如，耦合到基板202的焊盤)。

要注意，薄片206的一部分(例如，第二薄片部分304、第一端子部分350)可包括薄片206的垂直部分、水平部分、非垂直部分(例如，對(duì)角部分)、非水平部分(例如，對(duì)角部分)。

包括被形成和/或配置成作為電感器(例如，螺線管電感器)來操作的電感部分301的薄片206提供了若干技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。第一，包括被形成為作為電感器來操作的電感部分301的薄片206提供了可在集成器件封裝中實(shí)現(xiàn)的低剖面電感器。這種薄片占據(jù)集成器件封裝中的非常少的占用空間，從而實(shí)現(xiàn)非常小形狀因子的集成器件封裝和/或低剖面集成器件封裝。第二，具有電感部分301的薄片206提供了集成器件封裝中的非常低成本或成本有效的電感器。第三，電感部分301的示例性設(shè)計(jì)提供了可在集成器件封裝中實(shí)現(xiàn)的、具有相對(duì)高電感和/或高品質(zhì)(q)因數(shù)的電感器。例如，在一些實(shí)現(xiàn)中，大致約4毫米(mm)x5.4毫米(mm)、并具有大約10微米(μm)或更小的厚度的薄片206可提供具有大約10納亨(nh)或更大的電感的電感器。然而，薄片206的不同設(shè)計(jì)、形狀、和大小可提供具有不同電感的電感器。

要注意，圖3解說了被形成和/或配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電材料的薄片的示例。然而，不同的實(shí)施例可使用具有不同形狀、配置、和/或布置的一個(gè)或多個(gè)薄片。例如，不同的實(shí)現(xiàn)可包括不同數(shù)目的繞組、不同數(shù)目的端子部分、和/或具有不同尺寸(例如，不同長(zhǎng)度、不同寬度)的部分。此外，不同的實(shí)現(xiàn)可形成針對(duì)薄片的不同部分的不同角度(例如，垂直角度、對(duì)角角度、45度角度)。

可通過將一個(gè)或多個(gè)薄片移除、彎曲、形成和/或塑形成特定的形狀、配置、和/或布置的沖壓工藝來形成薄片206的不同部分。以下在至少圖6和7中進(jìn)一步詳細(xì)描述了用于制造薄片206的工藝的示例。

圖4解說了薄片206的另一剖面圖。如圖4中所示，薄片206包括第一薄片部分302、第二薄片部分304、第一端子部分350、以及第二端子部分360。電感器包括第一薄片部分302和第二薄片部分304。電感器的內(nèi)部區(qū)域400可由第一薄片部分302與第二薄片部分304之間的空間來限定。電感器的開口率可由電感器的內(nèi)部區(qū)域400的最小尺寸(例如，最小直徑)與電感器的內(nèi)部區(qū)域400的最大尺寸(例如，最大直徑)的比率來限定。在圖4中，電感器具有長(zhǎng)度(l)和高度(h)，并且長(zhǎng)度(l)大于高度(h)。然而，不同的實(shí)現(xiàn)可具有長(zhǎng)度(l)和高度(h)的不同值。在一些實(shí)現(xiàn)中，由第一薄片部分302與第二薄片部分304之間的空間限定的電感器的開口率是h:l，其中l(wèi)大于h。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器的開口率是大約1:2或更小(例如，1:5)。

圖5解說了薄片206的平面圖(例如，俯視圖)。如圖5中所示，薄片206包括第一薄片部分302、第二薄片部分304、第三薄片部分312、第四薄片部分314、第五薄片部分322、第六薄片部分324、第七薄片部分332、第八薄片部分334、第九薄片部分342、第一端子部分350、第二端子部分360、第三端子部分370、和/或第四端子部分380，如上文先前提到的。

用于提供/制造包括被配置為電感器的導(dǎo)電材料的薄片的集成器件封裝的示例性序列

在一些實(shí)現(xiàn)中，提供/制造包括被配置為電感器的導(dǎo)電材料的薄片的集成器件封裝包括若干工藝。圖6解說了用于提供/制造包括被配置為電感器的導(dǎo)電材料的薄片的集成器件封裝的示例性序列。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖6的序列可用于提供/制造圖2-5的薄片206和/或本公開中所描述的其他薄片。然而，出于簡(jiǎn)化的目的，將在提供/制造圖3的薄片206的上下文中描述圖6。

應(yīng)當(dāng)注意，圖6的序列可組合一個(gè)或多個(gè)階段，以便簡(jiǎn)化和/或闡明用于提供/制造被配置成作為電感器來操作的薄片的序列。在一些實(shí)現(xiàn)中，可改變或修改這些工藝的順序。

階段1解說了在提供薄片600之后的狀態(tài)。薄片600可以是一個(gè)或多個(gè)薄片。薄片600由可塑(例如，非脆性)材料制成。薄片600由如下材料制成，該材料可用機(jī)械力或應(yīng)力塑形、彎曲、折疊、伸展等等而材料不會(huì)斷裂和/或破裂。薄片600可以是導(dǎo)電材料的薄片。例如，薄片600可包括金屬(例如，銅)的一個(gè)或多個(gè)薄片。在一些實(shí)現(xiàn)中，薄片600可具有大約10微米(μm)或更小的厚度。

階段2解說了在圖案化薄片600之后的狀態(tài)。即，階段2解說了在移除薄片600的一些部分之后的狀態(tài)。不同的實(shí)現(xiàn)可以不同方式移除薄片600的各部分。例如，可使用激光來切割并圖案化薄片600。在另一示例中，可使用光刻工藝(例如，光蝕刻工藝)來蝕刻并圖案化薄片600。在又一示例中，可使用軋壓和/或沖壓工藝來切割并圖案化薄片。在一些實(shí)現(xiàn)中，可使用上述工藝中的兩個(gè)或更多個(gè)工藝的組合來圖案化薄片600。不同的實(shí)現(xiàn)可圖案化具有不同形狀和大小的薄片600。

階段3解說了在沖壓和/或軋壓經(jīng)圖案化的薄片600以創(chuàng)建具有不同部分和不同層的薄片之后的狀態(tài)。即，經(jīng)圖案化的薄片600的一些部分被沖壓和/或軋壓以形成被配置成作為電感器(例如，螺線管電感器)來操作的薄片。經(jīng)圖案化的薄片600的一些部分可被向上軋壓，而經(jīng)圖案化的薄片600的其他部分可被向下軋壓。一些部分可能不被軋壓。沖壓和/或軋壓薄片600的工藝在薄片600中創(chuàng)建了不同的部分或區(qū)域。這些部分可具有不同的角度和/或?qū)?zhǔn)。例如，沖壓和/或工藝可創(chuàng)建垂直、水平、非垂直(例如，對(duì)角)、和/或非水平(例如，對(duì)角)的部分。在一些實(shí)現(xiàn)中，經(jīng)圖案化和沖壓的薄片600類似于圖3的薄片206。

階段3解說了薄片600包括第一薄片部分602、第二薄片部分604、第三薄片部分612、第四薄片部分614、第五薄片部分622、第六薄片部分624、第七薄片部分632、第八薄片部分634、以及第九薄片部分642。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一薄片部分602、第二薄片部分604、第三薄片部分612、第四薄片部分614、第五薄片部分622、第六薄片部分624、第七薄片部分632、第八薄片部分634、和/或第九薄片部分642中的一些或全部被形成和/或配置成作為電感器(例如，螺線管電感器)來操作。

第一薄片部分602、第三薄片部分612、第五薄片部分622、第七薄片部分632、以及第九薄片部分642可由薄片600的第一層(例如，上層)形成。第二薄片部分604、第四薄片部分614、第六薄片部分624、以及第八薄片部分634由薄片600的第二層(例如，下層)形成。

第一薄片部分602和第二薄片部分604可形成電感器的第一繞組。第三薄片部分612和第四薄片部分614可形成電感器的第二繞組。第五薄片部分622和第六薄片部分624可形成電感器的第三繞組。第七薄片部分632和第八薄片部分634可形成電感器的第四繞組。

圖6還解說了薄片600包括第一端子部分650、第二端子部分660、第三端子部分670、以及第四端子部分680。第一端子部分650和第二端子部分660可耦合到第一薄片部分602。第三端子部分670和第四端子部分680可耦合到第九薄片部分642。

用于提供/制造包括被配置為電感器的導(dǎo)電材料的薄片的集成器件封裝的方法的示例性流程圖

圖7解說了用于提供/制造包括被配置為電感器的導(dǎo)電材料的薄片的集成器件封裝的方法700的示例性序流程圖。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖7的方法700可用于提供/制造圖2-5的薄片和/或本公開中被配置成作為電感器來操作的其他薄片。

應(yīng)當(dāng)注意，圖7的流程圖可組合一個(gè)或多個(gè)步驟和/或工藝，以便簡(jiǎn)化和/或闡明用于提供被配置成作為電感器來操作的薄片的方法。在一些實(shí)現(xiàn)中，可改變或修改這些工藝的順序。

方法(在705處)提供導(dǎo)電材料的至少一個(gè)薄片。薄片由可塑(例如，非脆性)材料制成。薄片由如下材料制成，該材料可用機(jī)械力或應(yīng)力塑形、彎曲、折疊、伸展等等而材料不會(huì)斷裂和/或破裂。薄片可包括金屬(例如，銅)的一個(gè)或多個(gè)薄片。在一些實(shí)現(xiàn)中，薄片可具有大約10微米(μm)或更小的厚度。在一些實(shí)現(xiàn)中，提供薄片包括制造薄片。在一些實(shí)現(xiàn)中，提供薄片包括從供應(yīng)商接收至少一個(gè)薄片。

該方法(在710處)圖案化薄片。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖案化薄片包括移除薄片的各部分。不同的實(shí)現(xiàn)可以不同方式移除薄片600的各部分。例如，可使用激光來切割并圖案化薄片。在另一示例中，可使用光蝕刻工藝來蝕刻并圖案化薄片。在又一示例中，可使用軋壓和/或沖壓工藝來切割并圖案化薄片。在一些實(shí)現(xiàn)中，可使用上述工藝中的兩個(gè)或更多個(gè)工藝的組合來圖案化薄片。

該方法(在715處)通過沖壓(例如，軋壓)經(jīng)圖案化的薄片的各部分來形成電感器。即，經(jīng)圖案化的薄片的一些部分被沖壓和/或軋壓以形成被配置成作為電感器來操作的薄片部分。在一些實(shí)現(xiàn)中，經(jīng)圖案化的一些部分被沖壓和/或軋壓以形成被配置成作為螺線管電感器來操作的薄片部分。

包括被配置為電感器的導(dǎo)電材料的薄片的示例性集成器件封裝

被配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電材料的薄片可具有不同的形狀和設(shè)計(jì)。上面的圖3解說了被配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電材料的薄片的一個(gè)示例。圖8解說了被配置成作為電感器來操作的薄片800的另一示例。圖8的薄片800類似于圖3的薄片206，不同之處在于薄片800的一些部分位于不同層上。

薄片800可以是包括被形成或配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電材料的一個(gè)或多個(gè)薄片。在一些實(shí)現(xiàn)中，薄片800可具有大約10微米(μm)或更小的厚度。薄片800可包括電感部分801。薄片800的電感部分801可被配置成作為電感器(例如，電感裝置)來操作。在一些實(shí)現(xiàn)中，薄片800的電感部分801可被配置成作為螺線管電感器(例如，螺線管電感裝置)來操作。

電感部分801包括第一薄片部分802、第二薄片部分804、第三薄片部分812、第四薄片部分814、第五薄片部分822、第六薄片部分824、第七薄片部分832、第八薄片部分834、以及第九薄片部分842。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一薄片部分802、第二薄片部分804、第三薄片部分812、第四薄片部分814、第五薄片部分822、第六薄片部分824、第七薄片部分832、第八薄片部分834、和/或第九薄片部分842中的一些或全部被形成和/或配置成作為電感器(例如，螺線管電感器)來操作。

第一薄片部分802耦合到第二薄片部分804。第二薄片部分804耦合到第三薄片部分812。第三薄片部分812耦合到第四薄片部分814。第四薄片部分814耦合到第五薄片部分822。第五薄片部分822耦合到第六薄片部分824。第六薄片部分824耦合到第七薄片部分832。第七薄片部分832耦合到第八薄片部分834。第八薄片部分834耦合到第九薄片部分842。

第一薄片部分802、第三薄片部分812、第五薄片部分822、第七薄片部分832、以及第九薄片部分842可由薄片800的第一層(例如，上層，升高的層)形成。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一薄片部分802、第三薄片部分812、第五薄片部分822、第七薄片部分832、以及第九薄片部分842可通過向上軋壓薄片800的相應(yīng)部分來形成。

第二薄片部分804、第四薄片部分814、第六薄片部分824、以及第八薄片部分834由薄片800的第二層(例如，下層)形成。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二薄片部分804、第四薄片部分814、第六薄片部分824、以及第八薄片部分834通過向下軋壓薄片800的相應(yīng)部分來形成。

第一薄片部分802和第二薄片部分804可形成電感器的第一繞組。第三薄片部分812和第四薄片部分814可形成電感器的第二繞組。第五薄片部分822和第六薄片部分824可形成電感器的第三繞組。第七薄片部分832和第八薄片部分834可形成電感器的第四繞組。

圖8還解說了薄片800包括第一端子部分850、第二端子部分860、第三端子部分870、以及第四端子部分880。第一端子部分850和第二端子部分860可耦合到第一薄片部分802。第三端子部分870和第四端子部分880可耦合到第九薄片部分842。在一些實(shí)現(xiàn)中，薄片800的一個(gè)或多個(gè)端子部分可耦合到基板202。例如，薄片800的第二端子部分860可耦合到基板202的焊盤223。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用導(dǎo)電接合材料將一個(gè)或多個(gè)端子部分耦合到基板202(例如，耦合到基板202的焊盤)。

圖9解說了薄片800的另一剖面圖。如圖9中所示，薄片800包括第一薄片部分802、第二薄片部分804、第一端子部分850、以及第二端子部分860。電感器包括第一薄片部分802和第二薄片部分804。電感器的內(nèi)部區(qū)域900可由第一薄片部分802和第二薄片部分804來限定。圖9的內(nèi)部區(qū)域900大于圖4的內(nèi)部區(qū)域400。如先前提到的，電感器的開口率可由電感器的內(nèi)部區(qū)域900的最小尺寸(例如，最小直徑)與電感器的內(nèi)部區(qū)域900的最大尺寸(例如，最大直徑)的比率來限定。在圖9中，電感器具有長(zhǎng)度(l)和高度(h)，并且長(zhǎng)度(l)大于高度(h)。然而，不同的實(shí)現(xiàn)可具有長(zhǎng)度(l)和高度(h)的不同值。在一些實(shí)現(xiàn)中，由第一薄片部分802與第二薄片部分804之間的空間限定的電感器的開口率是h:l，其中l(wèi)大于h。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器的開口率是大約1:2或更小(例如，1:5)。

包括被配置為電感器的導(dǎo)電材料的薄片的示例性集成器件封裝

圖10解說了在封裝層中包括被配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝的另一示例。圖10類似于圖2，不同之處在于圖10解說了穿透封裝通孔以及耦合到該穿透封裝通孔的導(dǎo)電薄片。圖10的導(dǎo)電薄片可具有與圖2中所描述的導(dǎo)電薄片不同的配置和/或布置。

具體而言，圖10解說了集成器件封裝1000的示例，其包括基板202、管芯204、薄片1010、封裝層208、封裝層1008、以及至少一個(gè)穿透封裝通孔1020?；?02可以是封裝基板和/或中介體。管芯204耦合(例如，安裝)到基板202。

封裝層208至少部分地封裝管芯204。封裝層208可包括至少模塑和/或樹脂填料中的一者。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝層208可以是可光刻圖案化層。穿透封裝通孔1020穿過封裝層208。穿透封裝通孔1020耦合到基板202。更具體而言，穿透封裝通孔1020耦合到基板202上的焊盤223。在一些實(shí)現(xiàn)中，每個(gè)封裝通孔1020可耦合到基板202的特定互連(例如，焊盤)。

薄片1010耦合到通孔1020。薄片1010可以是被形成和/或配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電材料的至少一個(gè)薄片。電感器可包括一組繞組。電感器可以是螺線管電感器。以下在圖11中進(jìn)一步詳細(xì)描述了薄片1010和電感器。

封裝層1008至少部分地封裝薄片1010。由此，在一些實(shí)現(xiàn)中，薄片1010的各部分可被暴露(例如，未被封裝層1008覆蓋)。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝層1008和封裝層208是相同的封裝層。

圖11解說了薄片1010的傾斜視圖。薄片1010可以是包括被形成或配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電材料的一個(gè)或多個(gè)薄片。在一些實(shí)現(xiàn)中，薄片1010可具有大約11微米(μm)或更小的厚度。薄片1010可包括電感部分1101。薄片1010的電感部分1101可被配置成作為電感器(例如，電感裝置)來操作。在一些實(shí)現(xiàn)中，薄片1010的電感部分1101可被配置成作為螺線管電感器(例如，螺線管電感裝置)來操作。

電感部分1101包括第一薄片部分1102、第二薄片部分1104、第三薄片部分1112、第四薄片部分1114、第五薄片部分1122、第六薄片部分1124、第七薄片部分1132、第八薄片部分1134、以及第九薄片部分1142。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一薄片部分1102、第二薄片部分1104、第三薄片部分1112、第四薄片部分1114、第五薄片部分1122、第六薄片部分1124、第七薄片部分1132、第八薄片部分1134、和/或第九薄片部分1142中的一些或全部被形成和/或配置成作為電感器(例如，螺線管電感器)來操作。

第一薄片部分1102耦合到第二薄片部分1104。第二薄片部分1104耦合到第三薄片部分1112。第三薄片部分1112耦合到第四薄片部分1114。第四薄片部分1114耦合到第五薄片部分1122。第五薄片部分1122耦合到第六薄片部分1124。第六薄片部分1124耦合到第七薄片部分1132。第七薄片部分1132耦合到第八薄片部分1134。第八薄片部分1134耦合到第九薄片部分1142。

第一薄片部分1102、第三薄片部分1112、第五薄片部分1122、第七薄片部分1132、以及第九薄片部分1142可由薄片1010的第一層(例如，上層，升高的層)形成。第二薄片部分1104、第四薄片部分1114、第六薄片部分1124、以及第八薄片部分1134由薄片1010的第二層(例如，下層)形成。

第一薄片部分1102和第二薄片部分1104可形成電感器的第一繞組。第三薄片部分1112和第四薄片部分1114可形成電感器的第二繞組。第五薄片部分1122和第六薄片部分1124可形成電感器的第三繞組。第七薄片部分1132和第八薄片部分1134可形成電感器的第四繞組。

圖11還解說了薄片1010包括第一端子部分1150、第二端子部分1160、第三端子部分1170、以及第四端子部分1180。第一端子部分1150和第二端子部分1160可耦合到第一薄片部分1102。第三端子部分1170和第四端子部分1180可耦合到第九薄片部分1142。在一些實(shí)現(xiàn)中，薄片1010的一個(gè)或多個(gè)端子部分可耦合到封裝層中的通孔。例如，薄片1010的第二端子部分1160可耦合到封裝層208中的通孔1020。

用于提供/制造包括被配置為電感器的導(dǎo)電材料的薄片的集成器件封裝的示例性序列

在一些實(shí)現(xiàn)中，提供/制造在封裝層中包括被配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝包括若干工藝。圖12解說了用于提供/制造在封裝層中包括被配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝的示例性序列。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖12的序列可用于提供/制造圖2的集成器件封裝和/或本公開中的其他集成器件封裝。然而，出于簡(jiǎn)化的目的，將在制造圖2的集成器件封裝的上下文中描述圖12。

應(yīng)當(dāng)注意，圖12的序列可組合一個(gè)或多個(gè)階段，以便簡(jiǎn)化和/或闡明用于提供集成器件封裝的序列。在一些實(shí)現(xiàn)中，可改變或修改這些工藝的順序。

階段1解說了在提供基板1200之后的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，由供應(yīng)商提供基板1200。在一些實(shí)現(xiàn)中，制造(例如，形成)基板1200。基板1200可以是封裝基板和/或中介體。基板1200包括至少一個(gè)電介質(zhì)層、一組互連(例如，跡線、焊盤、通孔)、和/或阻焊層。在一些實(shí)現(xiàn)中，基板1200類似于圖2的基板202。

階段2解說了在將管芯1202耦合到基板1200之后的狀態(tài)。如階段2中所示，管芯1202通過一組焊球1204耦合(例如，安裝)到基板1200。然而，管芯1202可以不同方式耦合到基板1200。

階段3解說了在將薄片1206耦合到基板1200之后的狀態(tài)。薄片1206可包括被形成和/或配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電材料的一個(gè)或多個(gè)薄片。薄片1206可類似于薄片206、薄片800、和/或本公開中所描述的被形成為作為電感器來操作的任何薄片。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用導(dǎo)電接合材料將薄片1206耦合到基板1200。薄片1206可耦合到基板1200的互連(例如，焊盤)。

階段4解說了在基板1200、管芯1202、以及薄片1206上形成封裝層1208之后的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝層1208至少部分地封裝薄片1206。

階段5解說了在將一組焊球1210耦合到基板1200之后的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，階段5解說了包括包含導(dǎo)電材料的薄片的集成器件封裝1250，其中薄片的至少一部分被形成和/或配置成作為電感器來操作。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器是螺線管電感器。在一些實(shí)現(xiàn)中，集成器件封裝1250類似于集成器件封裝200。

用于提供/制造包括被配置為電感器的導(dǎo)電材料的薄片的集成器件封裝的示例性方法

圖13解說了用于提供/制造在封裝層中包括被配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝的方法1300的示例性流程圖。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖13的方法可用于提供/制造圖2的集成器件封裝和/或本公開中的其他集成器件封裝。

應(yīng)當(dāng)注意，圖13的流程圖可組合一個(gè)或多個(gè)步驟和/或工藝，以便簡(jiǎn)化和/或闡明用于提供集成器件封裝的方法。在一些實(shí)現(xiàn)中，可改變或修改這些工藝的順序。

該方法(在1305處)提供基板。在一些實(shí)現(xiàn)中，由供應(yīng)商提供基板。在一些實(shí)現(xiàn)中，制造(例如，形成)基板?；蹇梢允欠庋b基板和/或中介體?；灏娊橘|(zhì)層、一組互連(例如，跡線、焊盤、通孔)、和/或阻焊層。在一些實(shí)現(xiàn)中，基板類似于圖2的基板202。

該方法(在1310處)將管芯耦合到基板。在一些實(shí)現(xiàn)中，管芯通過一組焊球耦合(例如，安裝)到基板。然而，管芯可以不同方式耦合到基板。

該方法(在1315處)將薄片耦合到基板。例如，薄片可耦合到至基板的互連(例如，焊盤)。薄片可包括被形成為作為電感器來操作的導(dǎo)電材料的一個(gè)或多個(gè)薄片。薄片可類似于薄片206、薄片800、和/或被形成和/或配置成作為電感器(例如，螺線管電感器)來操作的任何薄片，如本公開中所描述的。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用導(dǎo)電接合材料將薄片耦合到基板。

該方法(在1320處)在基板、管芯和薄片上形成封裝層。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝層至少部分地封裝薄片。

該方法(在1325處)在基板上提供一組焊球。

用于提供/制造包括被配置為電感器的導(dǎo)電材料的薄片的集成器件封裝的示例性序列

圖14(其包括圖14a-14b)解說了用于提供/制造在封裝層中包括被配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝的另一示例性序列。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖14a–14b的序列可用于提供/制造圖10的集成器件封裝和/或本公開中的其他集成器件封裝。然而，出于簡(jiǎn)化的目的，將在制造圖10的集成器件封裝的上下文中描述圖14a–14b。

應(yīng)當(dāng)注意，圖14a–14b的序列可組合一個(gè)或多個(gè)階段，以便簡(jiǎn)化和/或闡明用于提供集成器件封裝的序列。在一些實(shí)現(xiàn)中，可改變或修改這些工藝的順序。

如圖14a中所示，階段1解說了在提供基板1400之后的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，由供應(yīng)商提供基板1400。在一些實(shí)現(xiàn)中，制造(例如，形成)基板1400?；?400可以是封裝基板和/或中介體?；?400包括電介質(zhì)層、一組互連(例如，跡線、焊盤、通孔)、和/或阻焊層。在一些實(shí)現(xiàn)中，基板1400類似于圖10的基板202。

階段2解說了在將管芯1402耦合到基板1400之后的狀態(tài)。如階段2中所示，管芯1402通過一組焊球1404耦合到基板1400。然而，管芯1402可以不同方式耦合到基板1400。

階段3解說了在基板1400和管芯1402上形成封裝層1408(例如，第一封裝層)之后的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝層1408是可光刻的材料。封裝層1408可以是模塑和/或樹脂填料。

階段4解說了在封裝層1408中形成至少一個(gè)腔1409之后的狀態(tài)。不同的實(shí)現(xiàn)可以不同方式來形成腔1409。在一些實(shí)現(xiàn)中，可通過激光蝕刻工藝和/或光刻工藝來形成腔1409。

如圖14b中所示，階段5解說了在封裝層1408中形成至少一個(gè)通孔1411之后的狀態(tài)。通孔1411形成在腔1409中。通孔1411可以是穿透封裝通孔。通孔1411可通過鍍敷工藝來形成。圖17-18中描述了鍍敷工藝的各種示例。

階段6解說了在封裝層1408上提供薄片1420并將薄片1420耦合到至少一個(gè)通孔1411之后的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用導(dǎo)電接合材料將薄片1420耦合到通孔1411。薄片1420可包括被形成和/或配置成作為電感器(例如，螺線管電感器)來操作的導(dǎo)電材料的一個(gè)或多個(gè)薄片。薄片1420可類似于薄片1010和/或被形成和/或配置成作為電感器(例如，螺線管電感器)來操作的任何薄片，如本公開中所描述的。

階段7解說了在提供封裝層1418(例如，第二封裝層)之后的狀態(tài)。提供封裝層1418以使得封裝層1418至少部分地封裝薄片1420。在一些實(shí)現(xiàn)中，封裝層1418與封裝層1408相同。

階段8解說了在將一組焊球1430耦合到基板1400之后的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，階段8解說了包括包含導(dǎo)電材料的薄片的集成器件封裝1450，其中薄片的至少一部分被形成為作為電感器來操作。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感器是螺線管電感器。在一些實(shí)現(xiàn)中，集成器件封裝1450類似于集成器件封裝1000。

用于提供/制造包括被配置為電感器的導(dǎo)電材料的薄片的集成器件封裝的示例性方法

圖15解說了用于提供/制造在封裝層中包括被配置成作為電感器來操作的導(dǎo)電薄片的集成器件封裝的方法1300的示例性流程圖。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖15的方法可用于提供/制造圖10的集成器件封裝和/或本公開中的其他集成器件封裝。

應(yīng)當(dāng)注意，圖15的流程圖可組合一個(gè)或多個(gè)步驟和/或工藝，以便簡(jiǎn)化和/或闡明用于提供集成器件封裝的方法。在一些實(shí)現(xiàn)中，可改變或修改這些工藝的順序。

該方法(在1505處)提供基板。在一些實(shí)現(xiàn)中，由供應(yīng)商提供基板。在一些實(shí)現(xiàn)中，制造(例如，形成)基板?；蹇梢允欠庋b基板和/或中介體。基板包括電介質(zhì)層、一組互連(例如，跡線、焊盤、通孔)、和/或阻焊層。在一些實(shí)現(xiàn)中，基板類似于圖10的基板202。

該方法(在1510處)將管芯耦合到基板。在一些實(shí)現(xiàn)中，管芯通過一組焊球耦合到基板。然而，管芯可以不同方式耦合到基板。

該方法(在1515處)在基板和薄片上形成第一封裝層。第一封裝層可包括可光刻圖案化材料。

該方法(在1520處)在第一封裝層中形成至少一個(gè)通孔。通孔垂直地穿過第一封裝層。通孔可以是穿透封裝通孔。通孔可耦合到基板的互連(例如，焊盤)。通孔可通過鍍敷工藝來形成。圖17-18中描述了鍍敷工藝的各種示例。

該方法(在1525處)將薄片耦合到第一封裝層中的通孔。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用導(dǎo)電接合材料將薄片耦合到通孔。薄片可包括被形成和/或配置成作為電感器(例如，螺線管電感器)來操作的導(dǎo)電材料的一個(gè)或多個(gè)薄片。薄片可以是薄片1010、和/或被形成為作為電感器來操作的任何薄片，如本公開中所描述的。

該方法(在1530處)在薄片和第一封裝層上形成第二封裝層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二封裝層至少部分地封裝薄片。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二封裝層與第一封裝層相同。

該方法(在1535處)在基板上提供一組焊球。

被形成為作為電感器來操作的示例性導(dǎo)電薄片

不同的實(shí)現(xiàn)可提供被形成為作為電感器來操作的、具有不同形狀、配置和/或布置的薄片。圖3、8和11解說了具有不同的電感器部分、設(shè)計(jì)、配置和布置的薄片的非限制性示例。

圖16解說了具有不同電感器設(shè)計(jì)的另一薄片1600的平面圖。薄片1600包括電感部分1610、第一端子部分1650、第二端子部分1660、第三端子部分1670、第四端子部分1680、以及第五端子部分1690。電感部分1610位于薄片1600的第一層上。如圖16中所示，電感部分1610具有類似螺旋形狀。在一些實(shí)現(xiàn)中，電感部分1610被形成和/或配置成作為螺旋電感器來操作。第一端子部分1650、第二端子部分1660、第三端子部分1670、第四端子部分1680、以及第五端子部分1690位于薄片1600的第二層(例如，下層)上。薄片1600可包括一個(gè)或多個(gè)薄片。

示例性半加成圖案化(sap)工藝

在本公開中描述了各種互連(例如，跡線、通孔、焊盤)。這些互連可形成在基板、封裝層、和/或集成器件封裝中。在一些實(shí)現(xiàn)中，這些互連可包括一個(gè)或多個(gè)金屬層。例如，在一些實(shí)現(xiàn)中，這些互連可包括第一金屬晶種層和第二金屬層?？墒褂貌煌腻兎蠊に噥硖峁?例如，形成)這些金屬層。以下是具有晶種層的互連(例如，跡線、通孔、焊盤)的詳細(xì)示例以及可如何使用不同的鍍敷工藝來形成這些互連。這些鍍敷工藝被描述為形成在電介質(zhì)層中或電介質(zhì)層上。然而，在一些實(shí)現(xiàn)中，這些鍍敷工藝可形成在封裝層中或封裝層上。

不同的實(shí)現(xiàn)可使用不同的工藝來形成和/或制造金屬層(例如，互連、重分布層、凸塊下金屬化層)。在一些實(shí)現(xiàn)中，這些工藝包括半加成圖案化(sap)工藝和鑲嵌工藝。這些各種不同工藝在下文進(jìn)一步描述。

圖17解說了用于使用半加成圖案化(sap)工藝來形成互連以在一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層和/或封裝層中提供和/或形成互連的序列。如圖17中所示，階段1解說了在提供(例如，形成)電介質(zhì)層1702之后的集成器件(例如，基板)的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，階段1解說了電介質(zhì)層1702包括第一金屬層1704。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層1704是晶種層。在一些實(shí)現(xiàn)中，可在提供(例如，接收或形成)電介質(zhì)層1702之后在電介質(zhì)層1702上提供(例如，形成)第一金屬層1704。階段1解說了在電介質(zhì)層1702的第一表面上提供(例如，形成)第一金屬層1704。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層1704是通過使用沉積工藝(例如，pvd、cvd、鍍敷工藝)來提供的。

階段2解說了在第一金屬層1704上選擇性地提供(例如，形成)光致抗蝕層1706(例如，光顯影抗蝕層)之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，選擇性地提供抗蝕層1706包括在第一金屬層1704上提供第一抗蝕層1706并且通過顯影(例如，使用顯影工藝)來選擇性地移除抗蝕層1706的諸部分。階段2解說了提供抗蝕層1706以使得形成腔1708。

階段3解說了在腔1708中形成第二金屬層1710之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在第一金屬層1704的被暴露部分之上形成第二金屬層1710。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層1710是通過使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來提供的。

階段4解說了在移除抗蝕層1706之后的集成器件的狀態(tài)。不同的實(shí)現(xiàn)可使用不同的工藝來移除抗蝕層1706。

階段5解說了在選擇性地移除第一金屬層1704的諸部分之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，移除第一金屬層1704中未被第二金屬層1710覆蓋的一個(gè)或多個(gè)部分。如階段5中所示，剩余的第一金屬層1704和第二金屬層1710可形成和/或限定集成器件和/或基板中的互連1712(例如，跡線、通孔、焊盤)。在一些實(shí)現(xiàn)中，移除第一金屬層1704，以使得位于第二金屬層1710下方的第一金屬層1704的尺寸(例如，長(zhǎng)度、寬度)大致相同于或小于第二金屬層1710的尺寸(例如，長(zhǎng)度、寬度)，這可導(dǎo)致底切，如圖17的階段5所示。在一些實(shí)現(xiàn)中，上述過程可以被迭代若干次以提供和/或形成集成器件和/或基板的一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層中的若干互連。

示例性鑲嵌工藝

圖18解說了用于使用鑲嵌工藝來形成互連以在電介質(zhì)層和/或封裝層中提供和/或形成互連的序列。如圖18中所示，階段1解說了在提供(例如，形成)電介質(zhì)層1802之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，電介質(zhì)層1802是無(wú)機(jī)層(例如，無(wú)機(jī)膜)。

階段2解說了在電介質(zhì)層1802中形成腔1804之后的集成器件的狀態(tài)。不同的實(shí)現(xiàn)可使用不同的工藝來在電介質(zhì)層1802中提供腔1804。

階段3解說了在電介質(zhì)層1802上提供第一金屬層1806之后的集成器件的狀態(tài)。如階段3中所示，在電介質(zhì)層1802的第一表面上提供第一金屬層1806。在電介質(zhì)層1802上提供第一金屬層1806，以使得第一金屬層1806采取電介質(zhì)層1802的輪廓，包括腔1804的輪廓在內(nèi)。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層1806是晶種層。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一金屬層1806是通過使用沉積工藝(例如，物理氣相沉積(pvd)、化學(xué)氣相沉積(cvd)、或鍍敷工藝)來提供的。

階段4解說了在腔1804中和電介質(zhì)層1802的表面形成第二金屬層1808之后的集成器件的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在第一金屬層1806的被暴露部分之上形成第二金屬層1808。在一些實(shí)現(xiàn)中，第二金屬層1808是通過使用沉積工藝(例如，鍍敷工藝)來提供的。

階段5解說了在移除第二金屬層1808的各部分和第一金屬層1806的各部分之后的集成器件的狀態(tài)。不同的實(shí)現(xiàn)可使用不同的工藝來移除第二金屬層1808和第一金屬層1806。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工藝來移除第二金屬層1808的諸部分和第一金屬層1806的諸部分。如階段5中所示，剩余的第一金屬層1806和第二金屬層1808可形成和/或限定集成器件和/或基板中的互連1812(例如，跡線、通孔、焊盤)。如階段5中所示，以在第二金屬層1810的基底部分和(諸)側(cè)面部分上形成第一金屬層1806的方式來形成互連1812。在一些實(shí)現(xiàn)中，腔1804可包括兩層電介質(zhì)的溝槽和/或孔洞的組合，以使得通孔和互連(例如，金屬跡線)可以在單個(gè)沉積步驟中被形成。在一些實(shí)現(xiàn)中，上述過程可以被迭代若干次以提供和/或形成集成器件和/或基板的一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層中的若干互連。

示例性電子設(shè)備

圖19解說了可集成有前述集成器件、半導(dǎo)體器件、集成電路、管芯、中介體、封裝或?qū)盈B封裝(pop)中的任何一者的各種電子設(shè)備。例如，移動(dòng)電話1902、膝上型計(jì)算機(jī)1904、以及固定位置終端1906可包括如本文所描述的集成器件1900。集成器件1900可以是例如本文中所描述的集成電路、管芯、封裝、層疊封裝中的任何一者。圖19中所解說的設(shè)備1902、1904、1906僅是示例性的。其它電子設(shè)備也能以集成器件1900為其特征，此類電子設(shè)備包括但不限于移動(dòng)設(shè)備、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(pcs)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個(gè)人數(shù)字助理)、啟用全球定位系統(tǒng)(gps)的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、固定位置數(shù)據(jù)單元(諸如儀表讀數(shù)裝備)、通信設(shè)備、智能電話、平板計(jì)算機(jī)、計(jì)算機(jī)、可穿戴設(shè)備、或者存儲(chǔ)或檢索數(shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)指令的任何其它設(shè)備，或者其任何組合。

圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14a–14b、15、16、17、18和/或19中解說的組件、步驟、特征和/或功能中的一者或多者可以被重新編排和/或組合成單個(gè)組件、步驟、特征或功能，或可以實(shí)施在數(shù)個(gè)組件、步驟、或功能中。也可添加附加的元件、組件、步驟、和/或功能而不會(huì)脫離本公開。還應(yīng)當(dāng)注意，本公開中的圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14a–14b、15、16、17、18和/或19及其對(duì)應(yīng)描述不限于管芯和/或ic。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14a–14b、15、16、17、18和/或19及其相應(yīng)描述可被用于制造、創(chuàng)建、提供、和/或生產(chǎn)集成器件。在一些實(shí)現(xiàn)中，器件可包括管芯、管芯封裝、集成電路(ic)、集成器件、集成器件封裝、晶片、半導(dǎo)體器件、層疊封裝結(jié)構(gòu)、和/或中介體。

措辭“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實(shí)例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何實(shí)現(xiàn)或方面不必被解釋為優(yōu)于或勝過本公開的其他方面。同樣，術(shù)語(yǔ)“方面”不要求本公開的所有方面都包括所討論的特征、優(yōu)點(diǎn)或操作模式。術(shù)語(yǔ)“耦合”在本文中用于指代兩個(gè)對(duì)象之間的直接或間接耦合。例如，如果對(duì)象a物理地接觸對(duì)象b，且對(duì)象b接觸對(duì)象c，則對(duì)象a和c可仍被認(rèn)為是彼此耦合的——即便它們并非彼此直接物理接觸。

還應(yīng)注意，諸實(shí)施例可能是作為被描繪為流程圖、流圖、結(jié)構(gòu)圖、或框圖的過程來描述的。盡管流程圖可能會(huì)把諸操作描述為順序過程，但是這些操作中的許多操作能夠并行或并發(fā)地執(zhí)行。另外，這些操作的次序可被重新安排。過程在其操作完成時(shí)終止。

本文中所描述的本公開的各種特征可實(shí)現(xiàn)于不同系統(tǒng)中而不會(huì)脫離本公開。應(yīng)注意，本公開的以上各方面僅是示例，且不應(yīng)被解釋成限定本公開。對(duì)本公開的各方面的描述旨在是解說性的，而非限定所附權(quán)利要求的范圍。由此，本發(fā)明的教導(dǎo)可以現(xiàn)成地應(yīng)用于其他類型的裝置，并且許多替換、修改和變形對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。