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      一種多層膜層圖案、多層膜層圖案的制作方法及陣列基板與流程

      文檔序號(hào):12477893閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      1.一種多層膜層圖案的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:

      在襯底上依次形成第一功能層薄膜和第二功能層薄膜;

      在所述第二功能層薄膜上形成圖案化的第一光刻膠層;

      利用所述第一光刻膠層的遮擋,形成第二功能層的圖案;

      在所述第一光刻膠層上形成圖案化的第二光刻膠層;

      利用所述第二光刻膠層的遮擋,形成第一功能層的圖案,其中,所述第一功能層的圖案與所述第二功能層的圖案在所述襯底上的正投影互不交疊;

      同時(shí)去除所述第二光刻膠層和所述第一光刻膠層。

      2.如權(quán)利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一功能層為柵極保護(hù)層,所述第二功能層為有源層,在襯底上依次形成第一功能層薄膜和第二功能層薄膜之前,所述制作方法還包括:

      在襯底上形成柵極層的圖案,其中,所述柵極層的圖案包括柵電極以及用作信號(hào)線的信號(hào)電極;

      所述在襯底上依次形成第一功能層薄膜和第二功能層薄膜,具體包括:

      在所述柵極層上依次形成柵極保護(hù)層薄膜和有源層薄膜;

      所述利用所述第一光刻膠層的遮擋,形成第二功能層的圖案,具體包括:

      利用所述第一光刻膠層的遮擋,對(duì)所述有源層薄膜的與所述柵電極對(duì)應(yīng)區(qū)域的以外區(qū)域進(jìn)行刻蝕,形成有源層圖案;

      所述利用所述第二光刻膠層的遮擋,形成第一功能層的圖案,具體包括:

      利用所述第二光刻膠層的遮擋,對(duì)所述柵極保護(hù)層薄膜的與所述信號(hào)電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕,形成具有第一過孔的柵極保護(hù)層的圖案。

      3.如權(quán)利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在襯底上形成柵極層的圖案,具體包括:

      在所述襯底上濺射形成柵極金屬薄膜;

      在所述柵極金屬薄膜上形成第三光刻膠層薄膜,并形成具有第一遮擋部和第二遮擋部的第三光刻膠層的圖案;

      在所述第一遮擋部和所述第二遮擋部的遮擋下,對(duì)所述柵極金屬薄膜刻蝕,形成具有與所述第一遮擋部對(duì)應(yīng)的柵電極以及與所述第二遮擋部對(duì)應(yīng)的信號(hào)電極的柵極層的圖案;

      去除所述第三光刻膠層。

      4.如權(quán)利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述柵極層上依次形成柵極保護(hù)層薄膜以及有源層薄膜,具體包括:

      通過化學(xué)氣相沉積,在所述柵極層上依次形成柵極保護(hù)層薄膜以及有源層薄膜。

      5.如權(quán)利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第二功能層薄膜上形成圖案化的第一光刻膠層,具體包括:

      在所述有源層薄膜上涂覆第一光刻膠層薄膜;

      對(duì)所述第一光刻膠層薄膜進(jìn)行層曝光、顯影,形成具有與所述柵電極對(duì)應(yīng)的第三遮擋部的第一光刻膠層的圖案。

      6.如權(quán)利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述對(duì)所述有源層薄膜的與所述柵電極對(duì)應(yīng)區(qū)域的以外區(qū)域進(jìn)行刻蝕,形成有源層圖案,具體包括:

      對(duì)所述有源層薄膜的與所述柵電極對(duì)應(yīng)區(qū)域的以外區(qū)域進(jìn)行干刻刻蝕,形成有源層圖案。

      7.如權(quán)利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第一光刻膠層上形成圖案化的第二光刻膠層,具體包括:

      在所述第一光刻膠層上涂覆第二光刻膠層薄膜;

      對(duì)所述第二光刻膠層薄膜進(jìn)行曝光、顯影,形成具有與所述信號(hào)電極對(duì)應(yīng)的第二過孔的第二層光刻膠的圖案。

      8.如權(quán)利要求2-7任一項(xiàng)所述的制作方法,其特征在于,在同時(shí)去除所述第二光刻膠層和所述第一光刻膠層之后,所述制作方法還包括:

      形成具有源極和漏極的源漏極層的圖案,其中,所述源極與所述信號(hào)電極連接。

      9.一種多層膜層圖案,其特征在于,包括:設(shè)置于襯底上的圖案化的第一功能層,以及設(shè)置于所述第一功能層上的圖案化的第二功能層,其中,所述第一功能層的圖案與所述第二功能層的圖案在所述襯底上的正投影互不交疊。

      10.一種陣列基板,其特征在于,包括:設(shè)置在襯底上的柵極層,其中,所述柵極層包括柵電極以及用作信號(hào)線的信號(hào)電極,設(shè)置在所述柵極層上具有暴露所述信號(hào)電極的第一過孔的柵極保護(hù)層,以及,設(shè)置在所述柵極保護(hù)層上的在與所述柵電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有有源層薄膜的有源層。

      11.如權(quán)利要求10所述的陣列基板,其特征在于,所述有源層上還設(shè)置有源漏極層,所述源漏極中的源極與所述信號(hào)電極連接。

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