技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種具有高抗短路能力的IGBT器件，在集電極上設(shè)有FS層，在FS層上設(shè)有基區(qū)，在基區(qū)上設(shè)有P阱，在P阱上設(shè)有金屬層，在金屬層內(nèi)設(shè)有左右兩個第一絕緣氧化層，在左右兩個第一絕緣氧化層之間的金屬層內(nèi)設(shè)有第二絕緣氧化層，在第一絕緣氧化層的下端部連接有第一柵極，在第二絕緣氧化層的下端部連接有第二柵極，第一柵極與第二柵極的下端部均位于基區(qū)內(nèi)，在第一柵極的上端部的左右兩側(cè)以及在第二柵極的上端部的左右兩側(cè)均設(shè)有發(fā)射極，位于第二柵極與第一柵極之間的兩個發(fā)射極之間以及位于第一柵極外側(cè)的發(fā)射極上連接有P+區(qū)域。本發(fā)明進而降低器件發(fā)生短路時對空穴載流子的收集能力，從而實現(xiàn)降低短路電流的目的，可以在極小改變器件飽和壓降的前提下，明顯提高器件抗短路能力。

技術(shù)研發(fā)人員：程煒濤;姚陽;王海軍;葉甜春
受保護的技術(shù)使用者：江蘇中科君芯科技有限公司
文檔號碼：201710007163
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.05
技術(shù)公布日：2017.05.31