技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，方法包括：提供襯底，所述襯底包括隔離區(qū)以及分別位于所述隔離區(qū)兩側(cè)的第一器件區(qū)和第二器件區(qū)；在所述隔離區(qū)襯底中形成隔離結(jié)構(gòu)；在所述第一器件區(qū)襯底中形成第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)距離所述隔離區(qū)最遠(yuǎn)的邊為第一邊；在所述第二器件區(qū)襯底中形成第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)距離所述隔離區(qū)最遠(yuǎn)的邊為第二邊；在所述隔離結(jié)構(gòu)之間的襯底中形成電連接摻雜層，所述電連接摻雜層連接所述第一摻雜區(qū)與第二摻雜區(qū)；形成與所述電連接摻雜層電連接的插塞，所述插塞到所述第一邊和第二邊的距離不相等。所述形成方法能夠增加所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝穩(wěn)定性，改善所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能。

技術(shù)研發(fā)人員：高超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
文檔號(hào)碼：201710007608
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.05
技術(shù)公布日：2017.05.10